原子健
- 作品数：11 被引量：10H指数：2
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>
- 一种高电子迁移率氧化铟透明薄膜的制备方法
- 一种高电子迁移率氧化铟透明半导体薄膜的制备方法，采用双室高真空射频磁控溅射法，是以纯度99.99％的高纯氧化铟为靶材，玻璃等为衬底，以纯度99.99％以上的高纯氩气、氧气的一种或二种为溅射气体，在磁控溅射装置中进行溅射生...
- 吴惠桢朱夏明原子健
- 文献传递
- In_2O_3透明薄膜晶体管的制备及其电学性能的研究被引量：2
- 2010年
- 采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜.该薄膜具有(111)晶面择优取向,晶粒尺寸达到33nm.利用光刻工艺制作了以In2O3晶体薄膜为沟道层的底栅式薄膜晶体管.In2O3薄膜晶体管具有良好的栅压调制特性,场效应迁移率达到6.3cm2/(V·s),开关电流比为3×103,阈值电压为-0.9V.结果表明,In2O3薄膜晶体管在新型平板显示领域具有潜在的应用前景.
- 徐天宁吴惠桢张莹莹王雄朱夏明原子健
- 关键词：磁控溅射薄膜晶体管场效应迁移率
- ZnO:Ag薄膜的生长及电学性质研究被引量：1
- 2010年
- p-型ZnO材料因在紫外光电器件方面的潜在应用价值而受到人们的广泛关注。采用反应电子束蒸发法在白宝石上生长了ZnO：Ag薄膜,生长温度范围从150~250°C。研究表明：在该温度范围生长的ZnO：Ag薄膜具有n-型导电特征,但通过退火可以实现p-型导电。当退火温度为300°C时,ZnO：Ag薄膜的空穴浓度为2.8×1016 cm-3,电阻率为1.0 kΩ.cm,空穴的迁移率为0.22 cm2/V.s。当在350°C下进一步退火,薄膜仍为p-型导电,但空穴浓度减小为2.1×1015 cm-3,电阻率增大到5.0 kΩ.cm。通过对ZnO：Ag薄膜的X射线衍射谱分析发现,ZnO：Ag电学性质的变化与薄膜中Ag＋替代Zn2＋的浓度有关。
- 隋成华徐天宁郑东蔡霞夏娟原子健
- 关键词：ZNO薄膜AG2O
- 磁控溅射气体参数对氧化铟薄膜特性的影响被引量：3
- 2011年
- 采用射频磁控溅射法生长氧化铟薄膜,研究了溅射气压和溅射气体对氧化铟薄膜结构及光电特性的影响。X射线衍射结果表明制得的薄膜为立方结构的多晶体,随着溅射气压的升高,薄膜晶粒尺寸变大。1 Pa下沉积的氧化铟薄膜具有最大的迁移率和最小的载流子浓度,分别为15.2 cm^2/V.s和1.19×10^19cm^-3。用O2溅射的氧化铟薄膜载流子浓度降至4.39×1013cm^-3,在红外区（1.5-5.5μm）的平均透射率为85%,高于Ar溅射的薄膜,这可能是由于O2的加入减少了氧空位,降低了载流子浓度,使得自由载流子对红外光的吸收减弱。
- 才玺坤原子健朱夏明张兵坡邱东江吴惠桢
- 关键词：IN2O3磁控溅射溅射气压电学特性氧空位
- 一种合金氧化物透明薄膜晶体管的制备方法
- 一种低温制造透明薄膜晶体管的方法，通过在ZnO中掺入少量的In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和SnO<Sub>2</Sub>形成透明的ZnInSnO四元合金半导体薄膜为沟道层，与平板显示等的低温制造技...
- 吴惠桢朱夏明原子健张莹莹王雄
- 文献传递
- 磁控溅射沉积氧化铟薄膜及其TFT器件应用研究
- 薄膜晶体管在有源矩阵寻址液晶显示器(AMLCD)中处于关键地位,它的研发历来是该领域研究中的重点。非晶硅薄膜晶体管(α-Si TFT)易于在低温下大面积制备,技术成熟,是目前使用最广的技术。但由于α-Si材料的禁带宽度只...
- 原子健
- 关键词：磁控溅射沉积微结构光电特性有源矩阵
- 文献传递
- 氧化锌锡薄膜晶体管的研究被引量：2
- 2011年
- 在ITO玻璃基底上用射频磁控溅射技术生长氧化锌锡(ZnSnO)沟道有源层、用PECVD生长SiO2薄膜作为薄膜晶体管的栅绝缘层研制了薄膜晶体管(TFT),器件的场效应迁移率最高达到μn=9.1cm2/(V·s),阈值电压-2V,电流开关比为104.
- 王雄才玺坤原子健朱夏明邱东江吴惠桢
- 关键词：薄膜晶体管场效应迁移率
- 氧化铟薄膜制备及其特性研究被引量：2
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备氧化铟薄膜,通过测试原子力显微镜、X射线衍射、X射线光电子谱、紫外可见分光光度计以及霍尔效应,研究了氧化铟薄膜的结构和光、电特性.实验发现,氧化铟薄膜表面粗糙度随着生长温度的升高而增大.X射线衍射结果表明薄膜为立方结构的多晶体,并且随着生长温度的升高,可以看到氧化铟薄膜的晶粒变大以及半高宽减小,这也说明结晶质量的改善.在可见光范围的透射率超过90%.同时,在氩气氛围下制备的薄膜迁移率最大,其电阻率、霍尔迁移率和电子浓度分别达到了0.31Ω.cm、9.69 cm2/(V.s)和1×1018cm-3.退火处理可以改善氩氧氛围下制备的薄膜的电学性能.
- 原子健朱夏明王雄张莹莹万正芬邱东江吴惠桢杜滨阳
- 关键词：氧化铟射频磁控溅射表面形貌X射线衍射电学特性
- 掺氮ZnO的多声子共振Raman散射光谱研究
- 我们详细研究了掺氮ZnO薄膜中的多声子共振Raman散射过程,在室温下观察到高达六阶的纵光学(LO)声子峰,而且掺氮后ZnO的共振Raman散射强度显著增强。掺氮ZnO第一阶LO声子的Raman散射强度比未掺杂ZnO样品...
- 朱夏明吴惠桢原子健孔晋芳沈文忠
- 一种高电子迁移率氧化铟透明薄膜的制备方法
- 一种高电子迁移率氧化铟透明半导体薄膜的制备方法，采用双室高真空射频磁控溅射法，是以纯度99.99％的高纯氧化铟为靶材，玻璃等为衬底，以纯度99.99％以上的高纯氩气、氧气的一种或二种为溅射气体，在磁控溅射装置中进行溅射生...
- 吴惠桢朱夏明原子健
- 文献传递
