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叶堉
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13
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北京大学
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
自动化与计算机技术
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合作作者
戴伦
北京大学
代宇
北京大学
秦国刚
北京大学
王海龙
北京大学
李艳平
北京大学
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北京大学
作者
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叶堉
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戴伦
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李艳平
2篇
王海龙
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秦国刚
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代宇
1篇
侯仰龙
1篇
张琨
1篇
王逸伦
年份
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2022
2篇
2020
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2019
2篇
2018
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2017
1篇
2012
1篇
2011
1篇
2010
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一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法及其转移装置
本发明公开了一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法及其转移装置。本发明采用在柔性生长衬底上生长钙钛矿纳米材料,并将柔性生长衬底粘贴在载玻片上,将载玻片固定在三维移动台上,将目标衬底放置在显微镜的载物台上,通过分别调节三维移动平...
王逸伦
叶堉
戴伦
徐晓龙
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大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用
本发明公开了一种大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用。该方法是先在衬底上生长二维钼薄膜,通过化学气相沉积法使之转变为半导体相碲化钼薄膜,再通过光刻和刻蚀图形化半导体相碲化钼薄膜,然后生长钼薄膜...
徐晓龙
叶堉
戴伦
文献传递
大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用
本发明公开了一种大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用。该方法是先在衬底上生长二维钼薄膜,通过化学气相沉积法使之转变为半导体相碲化钼薄膜,再通过光刻和刻蚀图形化半导体相碲化钼薄膜,然后生长钼薄膜...
徐晓龙
叶堉
戴伦
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一种铁磁半导体薄膜的转移方法及应用
本发明公开了一种铁磁半导体薄膜的转移方法及应用,该方法实现了(Ga,Mn)As薄膜在任意衬底上的转移。转移之后的(Ga,Mn)As薄膜可以与其他不同物理特性的二维层状材料(如半金属石墨烯,半导体MoS<Sub>2</Su...
袁恺
王海龙
姚笑寒
赵建华
戴伦
叶堉
文献传递
一种图形化石墨烯的制备方法
本发明公开了一种图形化石墨烯的制备方法,该方法通过紫外光刻或电子束光刻等微电子工艺在器件衬底上图形化光刻胶,在需要石墨烯的地方开出窗口。通过石墨烯转移方法,将大面积石墨烯转移到图形化的光刻胶上,通过丙酮浸泡的方法将光刻胶...
叶堉
戴伦
代宇
秦国刚
一种定位自组装有机半导体薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种定位自组装有机半导体薄膜晶体管及其制备方法。本发明以石墨烯和h‑BN为模板进行自组装生长有机半导体薄膜,有机半导体薄膜与石墨烯之间形成较好的接触,从而实现定位自组装有机半导体薄膜晶体管;自组装过程中无需溶...
张琨
叶堉
戴伦
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半导体纳米线(带)光电子器件的设计、构建和物性研究
纳米材料是纳米科技领域中富有活力、研究内容十分丰富的分支,特别在纳米光子器件、电子器件和光电子器件领域中有着广泛的应用前景。本论文主要研究了CdS、CdSe纳米线(带)的可控生长与掺杂,以获得不同形貌和不同掺杂浓度的Cd...
叶堉
关键词:
半导体纳米线
光电子器件
肖特基结
光探测器
发光二极管
一种通过电流直接调控铁磁金属磁性的方法
本发明公开了一种通过电流直接调控铁磁金属磁性的方法。本发明突破了传统磁调制的机理方法,无需使用多层结构或牺牲器件性能为代价,在铁磁金属居里温度以下,通过对铁磁金属材料直接注入电流,实现了在单个材料中电流辅助畴壁运动,直接...
侯仰龙
曾怡
王秋原
叶堉
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一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法
本发明公开了一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法。利用磁控溅射共蒸的方法在基底上沉积一层掺有杂质元素的Mo薄膜,将该掺杂Mo薄膜放入化学气相沉积设备中,通过控制温度和时间生长掺有杂质元素的大面积连续二维半导体碲化钼薄膜...
潘宇
徐晓龙
李艳平
叶堉
一种铁磁半导体薄膜的转移方法及应用
本发明公开了一种铁磁半导体薄膜的转移方法及应用,该方法实现了(Ga,Mn)As薄膜在任意衬底上的转移。转移之后的(Ga,Mn)As薄膜可以与其他不同物理特性的二维层状材料(如半金属石墨烯,半导体MoS<Sub>2</Su...
袁恺
王海龙
姚笑寒
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