叶建辉
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：新加坡国立大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 湿法腐蚀后硅表面形态微结构的研究
- 2003年
- 随着半导体工艺集成度的不断提高及微纳米技术的发展,半导体硅材料的湿法腐蚀及腐蚀后硅表面的平整度及洁净度对半导体器件的影响越来越重要,有关此方面的研究也日益受到重视。本文利用扫描隧道显微镜(STM)技术,研究了Si(111)在几种不同比例的NH_4F-HCl溶液中腐蚀后的表面形态及洁净度。表面的STM图像分析,表明在较高pH值的NH_4F-HCl溶液中腐蚀的Si(111)表面粗糙度较小。
- 李静吴孙桃叶建辉S.F.Y.Li
- 关键词：湿法腐蚀微结构STM扫描隧道显微镜
- 氟化物溶液腐蚀后硅表面形态的STM与XPS研究被引量：2
- 2003年
- 利用扫描隧道显微技术(STM)和X 射线光电子能谱(XPS)技术,研究了Si(111)在几种不同比例的NH4F HCl溶液中被腐蚀后的表面形态及洁净度.通过分析表面的STM图像与XPS谱图,表明在较高pH值的NH4F HCl溶液中被腐蚀的Si(111)表面粗糙度较小,且表面洁净度及化学稳定性较好.
- 李静吴孙桃叶建辉LI S F Y
- 关键词：半导体工艺湿法腐蚀表面形态STM
- Si(111)湿法腐蚀后表面形态的FTIR研究
- 2003年
- 运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术 (ATR-FTIR) ,研究了 Si(1 1 1 )在不同比例的 NH4F-HCl溶液中腐蚀后的表面形态。通过分析表面振动模型的偏振波长及红外粗糙因子 ,表明在较低的 PH值的NH4F-HCl溶液中腐蚀的 Si(1 1 1 )表面粗糙度较大 ,与通过扫描隧道显微镜 (STM)
- 李静吴孙桃叶建辉S.F.YLi
- 关键词：扫描隧道显微镜湿法腐蚀表面形态FTIR硅片表面
