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吕壵

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 2篇电气工程

主题

  • 4篇电容
  • 4篇电容器
  • 2篇电感
  • 2篇电路
  • 2篇电涌
  • 2篇多电极
  • 2篇凸点
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子工艺
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇金凸点
  • 2篇刻蚀
  • 2篇硅基
  • 2篇反应离子
  • 2篇反应离子刻蚀
  • 2篇高速电路
  • 2篇PN结

机构

  • 4篇中国科学院微...

作者

  • 4篇吕壵
  • 4篇王惠娟
  • 4篇万里兮

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法
本发明公开了一种制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，通过一系列理论的论证和假设，将原来半导体PN结电容器加以改进，使改进后的电容具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺简单等特点，特别是可实现串联电感大...
万里兮吕壵王惠娟
一种三维硅基电容器的制作方法
本发明公开了一种利用半导体PN结结电容和硅通孔技术制作高密度三维硅基堆叠电容器的方法，包括：利用成熟的深度反应离子刻蚀、淀积、键合等微电子加工工艺，通过对单层硅基电容芯片刻蚀，形成大的深宽比通孔，并淀积铜，制作金凸点，并...
王惠娟万里兮吕壵
制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法
本发明公开了一种制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，通过一系列理论的论证和假设，将原来半导体PN结电容器加以改进，使改进后的电容具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺简单等特点，特别是可实现串联电感大...
万里兮吕壵王惠娟
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一种三维硅基电容器的制作方法
本发明公开了一种利用半导体PN结结电容和硅通孔技术制作高密度三维硅基堆叠电容器的方法，包括：利用成熟的深度反应离子刻蚀、淀积、键合等微电子加工工艺，通过对单层硅基电容芯片刻蚀，形成大的深宽比通孔，并淀积铜，制作金凸点，并...
王惠娟万里兮吕壵
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