孙昀
- 作品数：35 被引量：13H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学化学工程更多>>
- 用于背结-背接触电池的低反射四甲基氢氧化氨表面制绒
- 本文采用具有良好的各项异性腐蚀特性、腐蚀速率高且无金属离子污染的四甲基氢氧化氨(TMAH)方法制备金字塔绒面，通过采用扫描电子显微镜和光学反射谱测试技术探索了不同腐蚀条件包括:不同TMAH浓度、腐蚀时间、腐蚀温度以及不同...
- 孙昀贾锐张代生金智刘新宇
- 关键词：光学特性
- 文献传递
- N型背结太阳能电池模型建立与优化
- 高开路电压→HIT太阳能电池 高短路电流→背接触太阳能电池→N型背结电池→模型建立 实验与测试 N型双面太阳能电池的工艺流程 N型双面太阳能电池的测试结果 模型的建立 基本参数设置 已知的参数1、衬底的厚度、电阻率、面积...
- 张巍太阳能电池研究中心贾锐孙昀邢钊
- Al_2O_3对晶硅电池的表面钝化研究
- 2014年
- 采用原子层沉积(Atomic layer Deposition,ALD)工艺制备了Al2O3,并对晶硅电池的表面进行钝化。通过与采用传统热氧化SiO2钝化的p型晶硅电池相比较,采用Al2O3钝化后晶硅太阳电池开路电压可提高5%。在未经制绒处理的情况下,短路电流可提高17.4%。通过对不同钝化技术下晶硅电池少子寿命变化以及发射区方阻变化的分析,采用原子层沉积工艺制备的Al2O3不仅能对晶硅电池表面实现良好钝化,还可避免高温氧化工艺对电池发射区的影响。
- 孟彦龙贾锐孙昀王仕建邢钊丁武昌李昊峰陈晨孙兵李尚卿
- 关键词：太阳电池AL2O3表面钝化
- n型背结太阳电池模型建立及优化
- 在n型衬底上制作了2′2cm2的双面太阳电池片,并对电池的正反面进行I-V、量子效率、掺杂形貌的测试.将结果导入到PC1D中,通过内量子效率的拟合建立了n型背结前接触太阳电池的模型.通过调整模型中串并联电阻、衬底寿命、表...
- 张巍贾锐孙昀邢钊
- 关键词：串联电阻模型试验
- 文献传递
- 针对N型IBC太阳电池中背结模型的建立及优化被引量：4
- 2015年
- 在N型衬底上制作2 cm×2 cm的双面太阳电池片,并对电池的正反面进行I-V、量子效率、掺杂形貌测试。通过将结果导入到PC1D中并拟合内量子效率,建立N型背结太阳电池的模型。通过调整背结太阳电池模型中串并联电阻、衬底寿命、表面复合速率、前表面场等参数,发现串联电阻与前表面场掺杂浓度是N型背结太阳太阳电池设计的关键。将这两个参数进行优化,电池效率的增幅分别为19.7%与33.9%。最终将N型背结太阳电池效率优化到20.6%。
- 张巍贾锐孙昀邢钊
- 关键词：串联电阻
- 一种单模高功率、低热阻垂直腔面发射激光器及制备方法
- 本发明公开了一种单模高功率、低热阻垂直腔面发射激光器，包括：依次设置的异质材料衬底，N型电极、N型欧姆接触层、N型反射镜、延长腔层、多有源区域、第二刻蚀停层、相位层、P型反射镜、P型欧姆接触层、离子注入区以及正面电极；所...
- 荀孟周晓莉潘冠中赵壮壮孙昀
- 垂直腔面发射激光器及其制作方法
- 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，其中，该垂直腔面发射激光器，按照预设方向，依次包括：衬底、缓冲层、N电极接触层、第一分布布拉格反射镜、第一包层、第一异质结限制层、有源区、第二异质结限制层、第二包层、氧化限...
- 孙昀吴德馨荀孟潘冠中赵壮壮周静涛王大海金智
- 文献传递
- 一种背结背接触太阳能电池
- 本发明提供了一种背结背接触太阳能电池，包括，基片；复合在所述基片前表面的受光复合层；复合在所述基片背表面的第二钝化层和第一电极复合层；所述第二钝化层和所述第一电极复合层交替设置；复合在所述第二钝化层表面的第二型掺杂半导体...
- 孙昀贾锐姜帅陶科孙恒超戴小宛金智刘新宇
- 文献传递
- 用于异质结a-Si:H/c-Si太阳能电池钝化和隧穿层的Al2O3研究
- 新型硅表面钝化材料Al203由于其优异的钝化特性和适合于高效P-型产业化电池引起了广泛的关注。目前，对Al203在太阳能电池应用的研究主要集中在发射极及背表面钝化( PERC)电池作为钝化层上。在本文中，我们将采用热一原...
- 孙昀贾锐金智刘新宇
- 关键词：AL2O3原子层沉积隧穿异质结太阳能电池
- 晶体硅异质结-背接触电池(HJ-IBC)的前表面结构对其性能影响研究
- 中科院微电子研究所太阳电池研究简介，HJ-IBC(或HBC)电池研究进展，HJ-IBC电池前表面对电池性能影响，结论微电子研究所背接触(IBC&IBC-HJ)研究P&N型电池技术背接触电池(IBC)(＞20％(2cm×2...
- 贾锐陶科李强戴小宛姜帅孙昀
- 关键词：晶体硅电池异质结背接触
