张道礼
- 作品数：74 被引量：302H指数：8
- 供职机构：华中科技大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划湖北省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术化学工程理学更多>>
- 一种硒化锌多晶纳米薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种硒化锌多晶纳米薄膜的化学浴制备方法。采用锌盐溶液作为锌离子源，自制Na<Sub>2</Sub>SeSO<Sub>3</Sub>溶液或配制硒脲或二甲基硒脲溶液提供Se<Sup>2-</Sup>源，采用单一水...
- 张道礼陈良艳黄川曹翀张建兵
- 文献传递
- 多层片式ZnO压敏电阻器研究进展被引量：8
- 2000年
- 叙述了片式ZnO压敏电阻器的特点,以及ZnO-V_2O_5系、ZnO-玻璃系两种新型压敏电阻材料的近期研究成果,提出了片式压敏电阻今后的主要研究万向。
- 付明周东祥龚树萍张道礼
- 关键词：多层片式压敏电阻氧化锌
- 喷雾造粒粉体对BaTiO_3系PTCR半导体陶瓷性能的研究被引量：3
- 2001年
- 研究了通过喷雾造粒制得的 Ba Ti O3系 PTCR热敏陶瓷粉体性能对生坯成型及瓷体物理、PTC效应、电学等性能的影响 ,与手工造粒粉体比较 ,由于喷雾造粒的粉体流动性好 ,表面活性大 ,粒度均匀 ,其成型性及烧结后瓷体 PTCR效应、电学性能均有明显提高。
- 张道礼章登宏龚树萍周东祥
- 关键词：半导体陶瓷PTCR钛酸钡
- 胶体化学法合成InP量子点被引量：3
- 2006年
- 采用InCl3·4H2O为铟源，P（Si（CH3）3）3为磷源，TOPO为包覆剂，十二烷胺为表面活性剂，通过胶体化学法合成InP量子点。使用TEM对量子点表面形貌进行了分析，利用荧光光谱仪和紫外可见分光光度计分析了其光学性质。所合成的量子点具有较好的分散性和表面性能，随着粒径的减小，表现出较好的量子效应。量子点表面性能的好坏是影响其光学性能的一个关键因素。
- 吴启明张道礼张建兵陈胜
- 关键词：量子点纳米晶胶体化学法
- 千兆以太网卡芯片时钟产生电路的设计与实现
- 2005年
- 本文介绍了千兆以太网卡芯片时钟产生电路的设计,包括体系结构设计、系统设计与仿真、电路设计与仿真,及版图设计。该时钟产生电路的工作电压为1.5V,经过TSMC0.13μm1P8MCMOS工艺验证,表明该电路能够满足千兆以太网卡芯片的要求。本文介绍了千兆以太网卡芯片时钟产生电路的设计,包括体系结构设计、系统设计与仿真、电路设计与仿真,以及版图设计。该时钟产生电路的工作电压为1.5V,经过TSMC0.13μm1P8MCMOS工艺验证,表明该电路能够满足千兆以太网卡芯片的要求。
- 朱全庆张道礼李海华
- 关键词：锁相环电荷泵压控振荡器时钟产生电路版图设计
- 过流保护用高性能PTL陶瓷材料
- 周东祥龚树萍姜胜林吕文中付明黎步银张道礼黄正伟汪小红王礼琼梁飞
- PTC过载保护系列产品是一种应用前景很广的产品，仅以通讯设备上使用计，每支电话线平均使用6只（交换机及配线架）以上，按年产交换机3000万台计，即可使用PTC元件近2亿只，产值近4亿人民币，如加上节能灯、家用电器、电子仪...
- 关键词：
- 关键词：过流保护陶瓷
- 电子陶瓷材料的数字模拟与建模被引量：2
- 2003年
- 电子陶瓷材料正由经验研究和实物展示向虚拟设计和测试转变,从材料到器件性能的计算机数字模拟和建模也应运而生。本文介绍了电子陶瓷材料领域技术数字模拟与建模的理论背景,着重讨论了有限元方法(FEM)在压电及其相关陶瓷及换能器建模中的应用,以及分子动力学模拟在电子陶瓷材料电子结构、点缺陷和晶界特性等电子陶瓷材料中的研究进展和发展趋势。
- 张道礼赵岚徐建梅吕文中
- 关键词：电子陶瓷材料有限元分析分子动力学模拟
- 不同络合剂对化学镀镍过程的影响被引量：24
- 2000年
- 用热力学平衡的方法研究了在ＢａＴｉＯ３ 系陶瓷ＰＴＣＲ 上进行化学沉积金属镍电极时常用的醋酸盐镍离子、甘氨酸镍离子和柠檬酸盐镍离子体系化学镀镍溶液中各种型体镍离子的分布。研究结果表明，加入络合剂会影响化学镀镍的速度，醋酸盐会使化学沉积速度升高，而甘氨酸和柠檬酸盐会使化学镀镍速度明显下降，这可能和混合电位及空间位阻、化学键合力等因素有关。选择合适的络合剂对于化学镀镍的稳定操作有着十分重要的意义。
- 张道礼龚树萍周东祥
- 关键词：化学镀镍络合剂热力学平衡
- 胶体化学法合成InP量子点
- 本文采用InCl3·4H2O为铟源,P(Si(CH3)3)3为磷源,TOPO为包覆剂,十二烷胺为表面活性剂,通过胶体化学法合成了InP量子点。文章使用TEM对量子点表面形貌进行了分析,利用荧光光谱仪和紫外可见分光光度计分...
- 吴启明张道礼张建兵陈胜
- 关键词：纳米晶量子点胶体化学法
- 文献传递
- 千兆以太网卡芯片数模转换电路的设计与实现被引量：1
- 2006年
- 给出了6bit分辨率、10bit精度的千兆以太网卡芯片数模转换电路,包括体系结构设计、电路设计与仿真、版图设计.该数模转换电路经过TSMC0.13μm1P8MCMOS工艺验证,工作电压为1.5V/2.7V.芯片测试结果表明该数模转换电路能够满足千兆以太网卡芯片的性能要求.
- 朱全庆张道礼沈绪榜李海华
- 关键词：数模转换电路电流舵
