彭国良
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院加速器实验室更多>>
- 发文基金：国家基础科学人才培养基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Mn离子注入Si材料的结构分析及磁学性质
- 2009年
- 采用剂量分别为1×1016(1E16),3×1016(3E16)和5×1016cm-2(5E16)的Mn离子注入方法制备Si基稀磁半导体样品.利用透射电子显微镜(TEM)和交变梯度磁强计(AGM)对不同剂量的样品退火前后的结构和磁学特性的变化进行了表征.实验发现,退火前,只有5E16样品出现球状偏析物,其直径在5 nm左右,但也有个别直径15 nm左右的大团簇.N2环境下800℃退火5 min部分修复了1E16样品注入区域的晶格损伤,并使该剂量样品出现偏析物,直径多在10 nm左右.衍射花样分析表明该偏析物为具有晶面间距0.333,0.191和0.163 nm的微晶,这说明该微晶最有可能是MnSi1.7.退火前,样品饱和磁化强度随注入剂量增大而显著增强,但从3E16到5E16增速放缓,退火使低剂量样品磁性大幅减弱,说明偏析物不利磁性增强.
- 郭立平欧阳中亮彭国良叶舟黎明彭挺潘杨
- 关键词：离子注入
- 在线低能气体离子源被引量：1
- 2010年
- 材料中氦和氢积累可引起材料性能的恶化甚至失效。为研究材料内氦和氢的存在形式、氦与氢及缺陷的相互作用、气泡的形成和演变过程以及各种因素的影响,建立一套离子束能量最高20keV的潘宁型气体离子源引出和聚焦系统,与200kV透射电镜联机,在离子注入现场原位观察氦和氢不同注入浓度下材料内部的微观结构及变化过程。对离子源进行氦离子的起弧、引出和聚焦测试。离子源在15–60mA放电电流范围内稳定地工作。在5×10–3Pa和1.5×10–2Pa工作气压下,放电电压约380V和320V。低气压下引出离子束流比高气压下大,且引出束流随放电电流和吸极电压的增加而增加。等径三圆筒透镜有显著聚焦作用,在距透镜出口150cm处,离子束流密度提高一个量级以上。能量10keV左右的氦离子获得束流密度约200nA·cm–2的离子束,可满足多种材料进行在线离子注入和原位电镜观测的需要。
- 靳硕学郭立平彭国良张蛟龙杨铮黎明刘传胜巨新刘实
- 关键词：离子源辐照损伤原位透射电镜氦
- 离子注入制备Si_xMn_(1-x)稀磁半导体的X射线衍射
- 2010年
- 把1×1016/cm2的200keVMn离子注入p型Si单晶(100)片中,在N2气氛下进行600℃、700℃、800℃和900℃退火,制得SixMn1-x稀磁半导体。用同步辐射X射线衍射技术研究样品结构,发现Mn的注入和退火导致了Si结晶颗粒的产生,随退火温度升高,间隙位的Mn原子逐渐减少,替代位的Mn原子增加,同时晶格发生膨胀。间隙位和替代位Mn原子间的相互作用导致样品的铁磁性增强。
- 彭国良李铁成张文勇彭挺艾志伟郭立平何庆文闻
- 关键词：稀磁半导体离子注入X射线衍射
