彭挺
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院加速器实验室更多>>
- 发文基金：国家基础科学人才培养基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Mn离子注入Si材料的结构分析及磁学性质
- 2009年
- 采用剂量分别为1×1016(1E16),3×1016(3E16)和5×1016cm-2(5E16)的Mn离子注入方法制备Si基稀磁半导体样品.利用透射电子显微镜(TEM)和交变梯度磁强计(AGM)对不同剂量的样品退火前后的结构和磁学特性的变化进行了表征.实验发现,退火前,只有5E16样品出现球状偏析物,其直径在5 nm左右,但也有个别直径15 nm左右的大团簇.N2环境下800℃退火5 min部分修复了1E16样品注入区域的晶格损伤,并使该剂量样品出现偏析物,直径多在10 nm左右.衍射花样分析表明该偏析物为具有晶面间距0.333,0.191和0.163 nm的微晶,这说明该微晶最有可能是MnSi1.7.退火前,样品饱和磁化强度随注入剂量增大而显著增强,但从3E16到5E16增速放缓,退火使低剂量样品磁性大幅减弱,说明偏析物不利磁性增强.
- 郭立平欧阳中亮彭国良叶舟黎明彭挺潘杨
- 关键词：离子注入
- 分子束外延生长AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管
- Ⅲ族氮化物材料不仅在光电子领域得到迅猛发展,而且在制备高温、大功率微波电子器件方面也显示了优异性能。GaN、AlN及其三元合金材料AlGaN具有禁带宽、电子漂移速率高、击穿电场强、热导率高、不易热分解、耐腐蚀、抗辐照等特...
- 梅菲彭挺刘昌
- 关键词：分子束外延GAN调制掺杂二维电子气
- 文献传递
- 离子注入制备Si_xMn_(1-x)稀磁半导体的X射线衍射
- 2010年
- 把1×1016/cm2的200keVMn离子注入p型Si单晶(100)片中,在N2气氛下进行600℃、700℃、800℃和900℃退火,制得SixMn1-x稀磁半导体。用同步辐射X射线衍射技术研究样品结构,发现Mn的注入和退火导致了Si结晶颗粒的产生,随退火温度升高,间隙位的Mn原子逐渐减少,替代位的Mn原子增加,同时晶格发生膨胀。间隙位和替代位Mn原子间的相互作用导致样品的铁磁性增强。
- 彭国良李铁成张文勇彭挺艾志伟郭立平何庆文闻
- 关键词：稀磁半导体离子注入X射线衍射
