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彭龙新

作品数：51 被引量：92H指数：6
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 43篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 47篇电子电信

主题

  • 36篇单片
  • 27篇电路
  • 26篇集成电路
  • 24篇单片集成
  • 23篇单片集成电路
  • 21篇放大器
  • 19篇低噪
  • 19篇低噪声
  • 18篇低噪声放大器
  • 17篇微波单片
  • 16篇微波单片集成
  • 16篇微波单片集成...
  • 12篇GAAS
  • 10篇限幅器
  • 9篇单片低噪声放...
  • 9篇毫米波
  • 8篇MMIC
  • 7篇电子迁移率
  • 7篇迁移率
  • 7篇芯片

机构

  • 46篇南京电子器件...
  • 11篇东南大学
  • 3篇中国电子科技...
  • 1篇南京理工大学
  • 1篇微波毫米波单...

作者

  • 50篇彭龙新
  • 12篇李建平
  • 10篇魏同立
  • 9篇林金庭
  • 7篇蒋幼泉
  • 5篇杨乃彬
  • 5篇陈堂胜
  • 5篇徐波
  • 4篇李光超
  • 3篇刘石生
  • 3篇李拂晓
  • 3篇沈宏昌
  • 3篇詹月
  • 3篇牛超
  • 3篇李真
  • 2篇彭劲松
  • 2篇潘晓枫
  • 2篇张闻辉
  • 2篇李忠辉
  • 2篇黄念宁

传媒

  • 31篇固体电子学研...
  • 5篇电子与封装
  • 3篇稀有金属
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子学报
  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇第六届全国毫...
  • 1篇2000全国...

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2021
  • 5篇2019
  • 2篇2018
  • 5篇2017
  • 3篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2006
  • 7篇2004
  • 1篇2003
  • 4篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1994
共 51 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于双栅长GaN集成工艺的Ku波段收发芯片被引量：1
2022年
研制了一款Ku波段GaN收发多功能芯片。芯片集成了接收通道的低噪声放大器和发射通道的功率放大器,使用单刀双掷开关实现通道间切换。该芯片采用两种不同栅长集成的GaN HEMT工艺。低噪声放大器使用0.10μm低压低噪声工艺,功率放大器和开关使用0.15μm高压高功率工艺。低噪声放大器采用电流复用结构以降低功耗,功率放大器采用三级电抗式匹配网络以提高芯片输出功率。测试结果表明,在14~18 GHz频带内,发射通道线性增益≥30 dB,饱和输出功率≥40.5 dBm,功率附加效率典型值为23%;接收通道线性增益为24 dB(±0.2 dB),噪声系数典型值为2.3 dB,功耗仅为140 mW(5 V/28 mA)。芯片面积为4.0 mm×3.0 mm。
孔令峥彭龙新陶洪琪陶洪琪闫俊达王维波韩方彬
关键词：多功能芯片氮化镓单片微波集成电路收发KU波段
毫米波大动态宽带单片低噪声放大器被引量：1
2009年
利用0.25μmGaAsPHEMT低噪声工艺,设计并制造了2种毫米波大动态宽带单片低噪声放大器。第1种为低增益大动态低噪声放大器,单电源+5V工作,测得在26～40GHz范围内,增益G=10±0.5dB,噪声系数NF≤2.2dB,1分贝压缩点输出功率P1dB≥15dBm;第2种为低压大动态低噪声放大器,工作电压为3.6V,静态电流0.6A(输出功率饱和时,动态直流电流约为0.9A),在28～35GHz范围内,测得增益G=14～17dB,噪声系数约4.0dB,1分贝压缩点输出功率P1dB≥24.5dBm,最大饱和输出功率≥26.8dBm,附加效率约10%～13.6%。结果中还给出了2种放大器直接级联的情况。
彭龙新
关键词：毫米波宽带单片集成电路
X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器被引量：6
2017年
在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限幅器插入损耗约0.65dB,输入输出驻波≤1.5;当限幅器输入脉冲功率(9.5GHz,脉宽8ms、占空比40%)达50dBm(100 W)时,保持壳温120℃,输出漏功率最大18dBm,持续时间20min后,未见损坏。
彭龙新李真徐波凌志健李光超彭劲松
关键词：微波单片集成电路GAASPIN
垂直异质集成PIN超大功率限幅器MMIC技术
2021年
南京电子器件研究所首次提出了PIN异质集成纵向结构超大高功率限幅器构想,引入现有MMIC限幅器不具有的纵向导电结构和SiC衬底的高导热特性,把Si薄层二极管转移到SiC衬底上,极大地提高了MMIC限幅器的耐功率。根据大功率要求,确定了材料结构N^(+)、P^(+)和I层等参数,设计了工艺方案和加工方法,基于自停止减薄技术实现超薄Si基PIN管芯转移,使用Au-Au热压键合的晶圆级低温异质键合互连技术,制成了超大功率限幅器。
彭龙新戴家赟王钊贾晨阳杨进
关键词：热压键合限幅器PIN管超大功率
微波宽带单片低噪声放大器
本文研究了并联反馈放大器的噪声参数(Rn，NFmin和Yopt)表达式和S参数表达式，并运用到低噪声放大器的设计中，对宽带低噪声放大器进行了详细的理论分析，图示了主要元件对放大器性能的影响，为一次设计成功奠定了理论基础。...
彭龙新
关键词：卫星通信微波宽带低噪声放大器
文献传递
毫米波高性能收发多功能芯片被引量：3
2015年
利用0.15μm GaAs PHEMT工艺,研制了一款集成功率放大器和低噪声放大器的毫米波多功能单片。发射支路功率放大器采用三级放大拓扑结构,在32~36GHz内,在6V工作电压下,线性增益23dB,增益平坦度优于±0.75dB,输入/输出驻波小于1.3,饱和输出功率30dBm,功率附加效率约30%。接收支路低噪声放大器采用三级放大拓扑结构,在5V、30mA工作电压下,在32~37GHz内,线性增益23.5dB,增益平坦度优于±1dB,噪声系数小于2.5dB,1dB压缩输出功率大于6dBm。该芯片面积为3.67mm×3.13mm。
彭龙新詹月李光超傅少雷
关键词：砷化镓低噪声放大器毫米波微波单片集成电路
砷化镓微波单片电路技术在五十五所
本文简要地介绍了中国电子科技集团公司第五十五研究所在砷化镓微波单片集成电路研究与开发方面的进展与突破.采用砷化镓0.5微米MESFET、HFET、PHEMT技术研制成功各类宽带及窄带单片电路,金属陶瓷及塑料封装的多种产品...
杨乃彬李拂晓张斌陈堂胜蒋幼泉沈亚高建峰彭龙新
关键词：砷化镓单片电路微波单片集成电路
文献传递
Ku波段GaN一片式收发组件芯片被引量：2
2017年
报道了一款应用于Ku波段的GaN T/R MMIC。该芯片采用0.15μm GaN HEMT器件工艺制造,集成了T/R组件的接收通道和发射通道,芯片面积7.00mm×3.32mm。研制的MMIC集成了5位数字衰减器、5位数字移相器、前级低噪声放大器、后级低噪声放大器、驱动放大器、功率放大器、公用支路的小信号开关和收发切换的功率开关。在16~17GHz工作频带内测得该芯片接收通道增益大于21dB,噪声系数小于3.5dB;发射通道增益大于20.8dB,饱和功率大于40.8dBm,功率附加效率典型值30%。该芯片上集成的5位数字移相器、5位数字衰减器功能正常,达到设计要求。
任春江彭龙新戈勤沈宏昌潘晓枫李建平李忠辉陈堂胜
关键词：氮化镓KU波段收发
微波毫米波宽带单片低噪声放大器被引量：5
2008年
推导了反馈电路理论,利用0.25μmGaAs PHEMT工艺,研制了两种并联反馈单片低噪声放大器。第一种放大器的工作频带为6～18GHz,测得增益G≥21dB,带内增益波动ΔG≤±1.0dB,噪声系数NF典型值为2.0dB,输入驻波VSWRin≤1.5,输出驻波VSWRout≤2.0,1分贝压缩点输出功率P1dB≥11dBm。第二种放大器的工作频带为26～40GHz,测得增益G≥17dB,噪声系数NF约为2.0dB,输入、输出驻波VSWR≤2.5,1分贝压缩点输出功率P1dB≥10dBm。两种电路的测试结果验证了设计的正确性。
彭龙新李建平
关键词：低噪声单片集成电路
GaAs Ti/Pt/Au栅PHEMT单片集成电路耐氢能力的提升被引量：1
2019年
为提高GaAs Au/Pt/Ti栅PHEMT MMIC放大器耐氢气的能力,提出了在PHEMT栅上加厚Si N钝化层的方法,并通过高温加速氢气试验验证了该方法的有效性。耗尽型D管的钝化层由150 nm加厚到300 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间由原来的14000×10-6、40 h提升到30000×10-6、110 h (电流还未出现明显下降),耐氢能力得到了明显提升。为了维护管子的微波性能,增强型E管采用多层Si N钝化,总厚度加厚到600 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间可达到20000×10-6、115 h (电流还未出现明显下降),满足实际应用要求。
彭龙新彭龙新王朝旭林罡林罡徐波
关键词：微波单片集成电路
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