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徐波

作品数：18 被引量：34H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 18篇电子电信

主题

  • 8篇单片
  • 6篇电路
  • 6篇集成电路
  • 5篇单片集成
  • 5篇单片集成电路
  • 5篇微波单片
  • 5篇微波单片集成
  • 5篇微波单片集成...
  • 5篇功率放大
  • 5篇功率放大器
  • 5篇放大器
  • 5篇GAN
  • 5篇MMIC
  • 5篇GAAS
  • 3篇电子迁移率
  • 3篇迁移率
  • 3篇限幅器
  • 3篇晶体管
  • 3篇功率
  • 3篇高电子迁移率

机构

  • 18篇南京电子器件...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 18篇徐波
  • 5篇彭龙新
  • 5篇陶洪琪
  • 4篇王维波
  • 4篇钱峰
  • 3篇潘晓枫
  • 3篇沈宏昌
  • 2篇郑惟彬
  • 2篇彭劲松
  • 2篇任春江
  • 2篇李思其
  • 2篇余旭明
  • 2篇汪珍胜
  • 2篇林罡
  • 2篇李光超
  • 2篇李真
  • 2篇韩群飞
  • 2篇贾东铭
  • 1篇蒋幼泉
  • 1篇叶育红

传媒

  • 15篇固体电子学研...
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇电子与封装
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2012
  • 1篇2002
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
C波段75W GaN HEMT高效率功率放大器MMIC被引量：1
2020年
报道了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺的C波段75 W高效率功率放大器MMIC。为提高功率增益,芯片的整体拓扑结构设计为三级。在末级输出匹配电路上设计了一个高效电抗式匹配拓扑,在末级管芯输入匹配电路上运用了谐波控制技术,同时利用GaN HEMT器件大信号模型来优化驱动比,通过这三种技术途径有效提高了芯片的附加效率。为扩展工作带宽及提高稳定性,其他匹配电路采用有耗匹配方式。在漏压28 V、脉宽100μs、占空比10%的工作条件下,芯片在4.8~6.0 GHz频带范围内,典型输出功率达到75 W(最高81 W),增益大于25.5dB,附加效率大于51%(最高55%),芯片面积为3.8 mm×5.5 mm。
杨常林余旭明陶洪琪徐波
关键词：单片微波集成电路C波段大功率
InP DHBT Ka波段四通道发射芯片
2020年
基于南京电子器件研究所开发的0.7μm InP DHBT工艺,研制了一款工作在Ka波段的四通道变频发射芯片。该款芯片集成四倍频、功分、放大、检波、温度传感及逻辑控制等功能。在输入功率-18 dBm条件下,实测30~40 GHz内四个通道的四倍频差分输出信号功率大于5 dBm,三次谐波抑制大于30 dBc,五次谐波抑制大于35 dBc。线性功率检波范围为-10~10 dBm(0.05 V/dBm),温度传感器检测范围为-55~125℃(1 mV/K)。图1-4展示了该款芯片的测试结果。
潘晓枫刘尧张宇辰徐波程伟
关键词：KA波段DHBT四倍频INP五次谐波
GaAs Ti/Pt/Au栅PHEMT单片集成电路耐氢能力的提升被引量：2
2019年
为提高GaAs Au/Pt/Ti栅PHEMT MMIC放大器耐氢气的能力,提出了在PHEMT栅上加厚Si N钝化层的方法,并通过高温加速氢气试验验证了该方法的有效性。耗尽型D管的钝化层由150 nm加厚到300 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间由原来的14000×10-6、40 h提升到30000×10-6、110 h (电流还未出现明显下降),耐氢能力得到了明显提升。为了维护管子的微波性能,增强型E管采用多层Si N钝化,总厚度加厚到600 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间可达到20000×10-6、115 h (电流还未出现明显下降),满足实际应用要求。
彭龙新彭龙新王朝旭林罡林罡徐波
关键词：微波单片集成电路
GaN HEMT微波功率管直流和射频加速寿命试验被引量：4
2015年
分别选用南京电子器件研究所研制的1.25mm栅宽GaN HEMT和12mm栅宽GaN功率管,对小栅宽器件进行三温直流加速寿命试验,评估其直流工作可靠性,试验结果表明该器件在125℃沟道温度条件下工作的失效率为1.86×10-9/h;对大栅宽器件进行脉冲射频加速寿命试验,评估其射频工作可靠性,试验结果表明该器件在125℃沟道温度条件下工作的失效率小于1.02×10-7/h。
杨洋徐波贾东铭蒋浩姚实陈堂胜钱峰
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管微波功率管加速寿命试验
Load Pull系统高频测试误差分析及新型测试方案被引量：1
2016年
负载牵引(Load pull)测试系统是一个复杂的微波测试系统,在不同的频段有不同的实现方案以及测试误差。本文从Load pull系统及待测器件的固有特性出发,分析了系统高频测试误差产生的原因,并且提出了一种提高系统高频测试精度的新型测试方案。
汪珍胜郑惟彬王维波陶洪琪钱峰徐波
X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器
2017年
功率GaAsPIN限幅器已广泛地应用于微波系统中，以保护接收支路中的低噪声放大器。南京电子器件研究所研制出x波段100WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据大功率要求，优化了GaAsPIN二极管的I层厚度和表面结构，建立了大、小信号模型，通过优化设计，
彭龙新李真徐波凌志健李光超彭劲松
关键词：PIN限幅器大功率单片X波段PIN二极管GAAS
Ku波段GaN T/R一体多功能MMIC的研制被引量：3
2016年
<正>首次研制了国内第一块Ku波段GaN T/R一体多功能全单片芯片,该芯片集成了T/R的接收通道和发射通道。接收通道含功率输出开关、前级低噪声放大器、5位数字衰减器、后级低噪声放大器、小信号开关和5位数字移相器;发射通道含5位数字移相器、小信号开关、驱动放大器、功率放大器和功率开关,如图1所示。在16~17 GHz工作频率内测得接收通道增益≥20±0.5 dB,噪声系数≤3.5 dB;发射通道增益约44 dB,饱和功率41 dBm(脉冲宽度100μs,10%占空比),功率附加效率约30%。
彭龙新彭龙新任春江詹月詹月沈宏昌李建平彭建业
关键词：功率附加效率T/RMMIC噪声系数
负载牵引测试系统的误差源分析被引量：1
2015年
负载牵引测试系统是一个复杂的微波测试系统,必然存在测试误差。本文从系统的组成、系统的校准、测量仪器自身测试误差和测试环境等角度分析了误差的来源,及其对测试系统的影响。
汪珍胜郑惟彬王维波陶洪琪钱峰徐波
关键词：误差源
Ku波段20W GaN功率MMIC被引量：3
2017年
报道了一款采用三级放大结构的Ku波段高效率GaN功率放大器芯片。放大器设计中通过电路布局优化改善功放芯片内部相位一致性,提高末级晶胞的合成效率,最终实现整个放大器功率及效率的提升。经匹配优化后放大器在14.6~17.0GHz频带内脉冲输出功率大于20 W,功率附加效率大于36%,最高39%。功率放大器芯片采用0.25μm GaN HEMT 101.6mm(4英寸)圆片工艺制造,芯片尺寸为2.3mm×1.9mm。
徐波余旭明叶川陶洪琪
关键词：ALGAN/GANKU波段微波单片集成电路
X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器被引量：6
2017年
在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限幅器插入损耗约0.65dB,输入输出驻波≤1.5;当限幅器输入脉冲功率(9.5GHz,脉宽8ms、占空比40%)达50dBm(100 W)时,保持壳温120℃,输出漏功率最大18dBm,持续时间20min后,未见损坏。
彭龙新李真徐波凌志健李光超彭劲松
关键词：微波单片集成电路GAASPIN
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