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王维波

作品数：28 被引量：36H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 27篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 12篇放大器
  • 10篇单片
  • 10篇W波段
  • 10篇MMIC
  • 8篇功率放大
  • 8篇功率放大器
  • 7篇GAN
  • 6篇电路
  • 6篇太赫兹
  • 6篇赫兹
  • 5篇单片集成
  • 5篇集成电路
  • 5篇功率合成
  • 4篇宽带
  • 4篇GAAS
  • 3篇单片集成电路
  • 3篇低噪
  • 3篇低噪声
  • 3篇低噪声放大器
  • 3篇增益

机构

  • 28篇南京电子器件...
  • 2篇东南大学
  • 2篇电子科技大学
  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 28篇王维波
  • 11篇陶洪琪
  • 5篇成海峰
  • 4篇张斌
  • 4篇徐波
  • 4篇吴少兵
  • 3篇汪珍胜
  • 3篇高建峰
  • 2篇郑惟彬
  • 2篇张健
  • 2篇程伟
  • 2篇陆海燕
  • 2篇徐锐敏
  • 2篇周明
  • 2篇钱峰
  • 2篇徐建华
  • 1篇杨乃彬
  • 1篇潘晓枫
  • 1篇朱翔
  • 1篇牛斌

传媒

  • 19篇固体电子学研...
  • 2篇微波学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 4篇2022
  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Load Pull系统高频测试误差分析及新型测试方案被引量：1
2016年
负载牵引(Load pull)测试系统是一个复杂的微波测试系统,在不同的频段有不同的实现方案以及测试误差。本文从Load pull系统及待测器件的固有特性出发,分析了系统高频测试误差产生的原因,并且提出了一种提高系统高频测试精度的新型测试方案。
汪珍胜郑惟彬王维波陶洪琪钱峰徐波
一种改进的高频GaN HEMT器件模型
2021年
提出了一种改进的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)的小信号和大信号模型。该小信号模型通过改进拓扑结构来提升对高频下分布式效应的拟合,对比栅宽为4×30μm的100 nm栅长GaN HEMT器件,在110 GHz内的平均拟合误差为3.48%。在非线性电流模型中,改进的电流方程提升了对低栅压下直流I-V特性的拟合精度,通过结合非线性电容模型,构建了GaN HEMT大信号模型。对比35 GHz负载牵引系统的测试数据,大信号模型仿真结果表明,改进的非线性模型对GaN HEMT大信号特性有良好的预测能力。
余国栋汪珍胜王储君王维波陶洪琪
关键词：小信号模型大信号模型
E波段3.5 W GaN宽带高功率放大器MMIC
2022年
基于自主开发的100 nm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作频段覆盖E波段(60~90 GHz)的宽带高功率放大器芯片。放大器采用密集通孔结构的共源极晶体管,降低寄生效应,提高器件的高频增益。同时采用三级级联拓扑结构,结合紧凑的微带线宽带匹配电路,在60~92 GHz频率范围内,典型线性增益达到10.4 dB,增益平坦度为±1 dB,输入输出回波损耗小于等于-11 dB。通过行波式功率合成网络,在连续波状态下,芯片全频带内饱和输出功率不低于1.7 W。在64 GHz,最高输出功率达到3.5 W,相应功率增益为8.4 dB,功率附加效率为12.6%。
戈勤陶洪琪王维波王维波刘仁福袁思昊
关键词：宽带高功率MMIC
基于GaN HEMT的155~172 GHz功率放大器设计被引量：1
2020年
设计了一款G波段GaN HEMT功率放大器。放大器采用级联结构,在每级设计中均引入了并联反馈。放大器工作频段内的小信号增益大于25 dB,3 dB带宽为17 GHz。大信号测试结果显示,在155~172 GHz饱和输出功率为14~17 dBm;在165 GHz饱和输出功率密度为17 dBm,对应的功率密度为1.25 W/mm。该功率放大器直流损耗功率为1 060 mW,峰值功率附加效率为4.7%。
马二晨王维波陶洪琪郭方金
关键词：固态功率放大器高功率密度
W波段100W GaN固态功率放大器被引量：2
2020年
南京电子器件研究所研制出了W波段100 W固态功率放大器(SSPA)。该固态功率放大器以自主研制的W波段2W GaN功率MMIC为基础,结合低损耗W波段芯片封装技术和高效合成技术,实现了64路高效功率合成,总合成效率达到75%以上。
成海峰朱翔徐建华张君直周明王维波
关键词：固态功率放大器功率合成W波段GANMMIC低损耗
90GHz输出功率为1.1W的W波段GaN单片研制
2016年
南京电子器件研究所成功制备了一种W波段的GaN三级放大电路。采用电子束直写工艺制备了栅长为100 nm的AlGaN/GaN T型栅,其结构见图1。直流测试最大电流密度为1.3 A/mm,最大跨导为430 mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分别为90 GHz及210 GHz（如图2所示）。采用该工艺制备的三级放大电路在75-110 GHz进行测试,其最大小信号增益为21 dB（如图3所示）。该单片在90GHz处的最大输出功率可达1.117 W（如图4所示）,功率附加效率为13%,功率增益为11dB。
吴少兵王维波高建峰
关键词：功率附加效率ALGAN输出功率小信号增益跨导
f_T=11THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管
2019年
南京电子器件研究所突破了T型阳极肖特基接触工艺、低势垒器件钝化保护、大长宽比阳极空气桥制备等关键技术,实现了截止频率fT达11 THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管研制,如图1所示。表1列出了不同工艺的太赫兹检波二极管核心参数对比,本文报道的阳极直径1μm的InGaAs SBD势垒高度仅为0.15 V。由零偏结电容及总电容推算的器件截止频率达11.0 THz/7.7 THz。
牛斌范道雨代鲲鹏林罡王维波陈堂胜
关键词：检波二极管结电容太赫兹空气桥势垒高度INGAAS
94GHz InP DHBT MMIC功率放大器的设计被引量：3
2014年
本文设计了一款W波段功率放大器,采用发射极宽度为1μm In P DHBT工艺。该PA采用了5级共射放大电路结构,其中前两级采用的器件发射极宽度为2×1μm,后三级采用的器件发射极宽度为4×1μm,电路原理图和版图联合仿真结果表明该PA在90-98GHz频带内,增益大于12d B,94GHz时饱和输出功率达到17.9d Bm,芯片面积为1.61mm×0.98mm。目前电路正在流片制作当中。
谷国华王磊王维波程伟王元陆海燕李欧鹏张健张勇徐锐敏
关键词：W波段功率放大器INPDHBT
负载牵引测试系统的误差源分析被引量：1
2015年
负载牵引测试系统是一个复杂的微波测试系统,必然存在测试误差。本文从系统的组成、系统的校准、测量仪器自身测试误差和测试环境等角度分析了误差的来源,及其对测试系统的影响。
汪珍胜郑惟彬王维波陶洪琪钱峰徐波
关键词：误差源
5．2～5．8GHz有源巴仑MMIC被引量：2
2006年
采用0．5μm GaAs pHEMT工艺研制的5．2～5．8GHz有源单片式巴仑芯片，最终测试表明：工作带宽之内，芯片输入输出驻波均小于1．5，两输出端幅度之差最大为0．8dB（@5．8GHz），最小为0．08dB（@5．6GHz）,相位之差为174．3°（@5．2GHz）到180．6°（@5．8GHz），与理想差分比较，带内误差小于6°，双端输出时具有明显的功率增益，约在1．7～4．95dB之间，P1dH输出功率为10．5dBm左右，二次谐波失真比HDz典型值为-30dBc。
王维波张斌
关键词：微波单片集成电路
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