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[CoFeB/Pt]N垂直磁化膜的反常霍尔效应标度关系研究: 霍尔效应的物理机制及其标度关系一直是铁磁性材料的研究热点 [1].本文通过磁控溅射制备了[CoFeB/Pt]N 垂直磁化膜,当CoFeB 的厚度在0.35nm～0.65nm 之间时,可以在[CoFeB/Pt]n 多层膜中...; 吴少兵朱涛; 关键词：HALL PERPENDICULAR MAGNETIC MAGNETIC MULTILAYERS

0.15μm Y型栅高In沟道GaAs PHEMT低噪声器件设计: 2015年; 设计了一种GaAs PHEMT低噪声器件。通过电子束直写手段实现了0.15μm Y型栅,对栅型优化以减小器件栅电阻和栅寄生电容。采用高In含量的沟道设计以改善沟道电子输运特性,采用InGaAs/GaAs复合帽层以改善欧姆接触特性,并通过低噪声工艺流程制作了4×50μm GaAs PHEMT器件。测试结果表明,器件fT达到80GHz,在10GHz处最小噪声系数小于0.4dB,相关增益大于10dB。对于0.15μm栅长GaAs PHEMT器件来说,这是很好的结果。; 韩克锋黄念宁吴少兵秦桂霞; 关键词：噪声系数

TMR与GMR传感器1/f噪声的研究进展被引量：11: 2012年; 隧道结磁阻(TMR)传感器及巨磁阻(GMR)传感器的1/f噪声在低频段噪声功率密度较大,是影响其低频下分辨率和灵敏度的主要噪声形式.本文详细介绍了近年来TMR传感器及GMR传感器1/f噪声的特点、来源、理论模型、检测方法及降噪措施等方面的研究进展,并就隧道结磁阻传感器1/f噪声的物理模型进行了详细解释.通过纳米模拟软件Virtual NanoLab对不同MgO厚度的Fe/MgO/Fe型磁性隧道结(MTJ)进行了隧穿概率和TMR变化率的模拟计算,得到保守估计与乐观估计的TMR变化率,分别为98.1%与10324.55%,同时通过MTJ的噪声模型分析了MgO厚度对TMR传感器噪声的影响.制备了磁屏蔽系数大于10000的磁屏蔽筒并搭建了磁阻传感器1/f噪声的测试平台,通过测试验证了磁屏蔽系统对环境磁场具有较好的屏蔽效果,为噪声检测提供了稳定的磁场空间.最后分析了TMR与GMR中各种因素对传感器噪声的影响,提出了影响MTJ传感器1/f噪声的因素及一些降噪措施.; 吴少兵陈实李海杨晓非; 关键词：隧道结

基于101.6 mm晶圆35 nm InP HEMT工艺的340 GHz低噪声放大器芯片研制: 2024年; 实现了在101.6 mm InP晶圆上制备35 nm的增强型InP高电子迁移率晶体管。通过InAs复合沟道外延结构设计,使得室温二维电子气迁移率面密度乘积达到4.2×10^(16)/(V·s)。采用了铂钛铂金埋栅工艺技术,典型器件最大跨导达到2900 mS/mm,电流增益截止频率达到460 GHz,最高振荡频率为720 GHz。同时研制出340 GHz低噪声放大器芯片,在310~350 GHz内小信号增益22~27 dB,噪声系数在8 dB以下。建立了340 GHz InP低噪声放大器芯片技术平台,为太赫兹低噪声单片微波集成电路的发展奠定基础。; 孙远陈忠飞陆海燕吴少兵任春江王维波章军云; 关键词：电子束直写低噪声放大器

基于50 nm AlN/GaN异质结的G波段放大器被引量：5: 2019年; 报道了基于50nm栅工艺的AlN/GaN异质结的G波段器件结果。在AlN/GaNHEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长50nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大漏电流为2.1A/mm,最大跨导为700mS/mm;小信号测试外推其电流增益截止频率和最大振荡频率分别为180GHz及350GHz。采用该工艺制备的共面波导(CPW)结构的放大器工作电压6V,在162GHz小信号增益大于10dB。166GHz连续波峰值输出功率11.36dBm,功率密度达到684mW/mm,功率密度水平达到GaN器件在G频段的高水平。; 张政焦芳吴少兵张凯李忠辉陆海燕陈堂胜; 关键词：GAN高电子迁移率晶体管电子束直写功率放大器

截止频率1.2 THz的GaN肖特基二极管及其三倍频单片集成电路: 2024年; 通过设计不同掺杂浓度和厚度的GaN低掺杂外延层,制造了两款SiC基GaN肖特基势垒二极管(Schott⁃ky barrier diode,SBD)。结果显示在低掺杂层厚度为80 nm,掺杂浓度为8×10^(17)cm^(−3)条件下制备的GaN SBD截止频率高达1.2 THz。基于该SBD管芯制备了平衡式三倍频单片集成电路,室温下三倍频电路在305~330 GHz频段内连续波饱和输出功率大于10 mW,带内最大输出功率达25 mW,最高倍频效率达到3.3%。; 代鲲鹏纪东峰李俊锋李传皓张凯吴少兵章军云; 关键词：三倍频单片集成电路梁式引线

基于70nm GaAs MHEMT工艺的W波段低噪声放大器被引量：1: 2017年; 报道了一种采用电子束直写70nm"Y"型栅工艺制备的GaAs MHEMT器件及W波段低噪声放大器。器件的最大跨导可达到1 050mS/mm,最大电流密度可达650mA/mm。通过小信号S参数测试,可外推其电流增益截至频率fT及最大振荡频率fmax分别达350GHz及470GHz。采用该工艺制备的W波段低噪声放大器,在86~96GHz频段可实现噪声系数小于3dB,增益大于20dB。; 吴少兵王维波郭方金高建峰黄念宁; 关键词：电子束直写 W波段低噪声放大器

截止频率0.8 THz的GaN肖特基二极管及其设计被引量：3: 2022年; 通过设计圆形阳极以及相同面积不同周长的指形阳极,研究了不同阳极周长面积比对太赫兹频段内GaN肖特基二极管串联电阻的影响。在阳极面积分别为7.1、12.6、19.6μm^(2)时,采用圆形阳极的二极管串联电阻分别为14、11、6Ω。相同面积下采用指形阳极的二极管串联电阻分别为6.0、4.4、3.3Ω,截止频率达804、753、791GHz,截止频率分别提升了27%、35%、25%。结果表明,适当提升肖特基二极管阳极的周长面积比能降低串联电阻,提高二极管的截止频率。; 代鲲鹏张凯李传皓范道雨步绍姜吴少兵林罡林罡; 关键词：GAN 肖特基二极管太赫兹

基于GaN HEMT的80GHz~140GHz超宽带功率放大器: 2024年; 为满足毫米波通信等应用领域对超宽带功率放大器的需求,文章采用南京电子器件研究所50 nm GaN HEMT工艺研制了一款覆盖W、F波段的超宽带功率放大器。首先,使用模型对实验数据进行拟合外推,得到宽带范围内管芯的功率阻抗;其次,采用LC结构加高低阻抗微带线方式进行宽带电路匹配,并设计了末级、级间和输入级的匹配电路拓扑结构;最后,对级间匹配电路进行综合优化调整,并采用兰格桥进行功率合成。最终,放大器在80GHz~140GHz范围内,典型线性增益达18dB,饱和输出功率达100mW,同时,在全频段范围内,芯片具有±1dB的功率平坦度和良好的回波损耗,在太赫兹领域具有广阔的应用前景。; 刘仁福王维波陶洪琪郭方金骆晨杰商德春张亦斌吴少兵; 关键词：氮化镓超宽带功率放大器

基于AlN/GaN异质结的Ka波段GaN低噪声放大器研制: 2021年; 报道了基于AlN/GaN异质结的Ka波段低噪声放大器的研制结果。在SiC衬底上生长AlN/GaN异质结材料结构,采用电子束直写工艺制备了栅长70 nm的"T"型栅结构。器件最大电流密度为1.50 A/mm,最大跨导为650 mS/mm,通过S参数测试外推特征频率和最大频率分别为105 GHz和235 GHz。基于70 nm工艺制备的自偏压三级低噪声放大器,在33~40 GHz小信号增益大于27 dB,典型噪声系数为1.5 dB。; 张亦斌吴少兵李建平李建平李忠辉陈堂胜; 关键词：GAN高电子迁移率晶体管 KA波段电子束直写低噪声放大器

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吴少兵