文亚南
- 作品数：8 被引量：9H指数：2
- 供职机构：合肥工业大学电子科学与应用物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学动力工程及工程热物理电气工程更多>>
- CZTS薄膜制备的研究进展被引量：3
- 2011年
- Cu2ZnSnS4(CZTS)具有与太阳光谱非常匹配的禁带宽度以及高的吸收系数,这使得CZTS薄膜成为一种最具潜力的新型太阳能电池薄膜吸收层材料。因此研究和完善CZTS薄膜的制备技术并提高薄膜质量及性能成为重要的研究课题。本文主要介绍四种CZTS薄膜的制备方法:磁控溅射、共蒸发、混合溅射、电子束蒸发硫化法。
- 文亚南董燕王金生梁齐
- 关键词：太阳能电池
- Cu_2ZnSnS_4/Si异质结器件的制备及特性研究被引量：1
- 2012年
- 利用脉冲激光沉积法在不同电阻率的n型Si(100)基片上沉积Cu2ZnSnS4薄膜,制备p-Cu2ZnSnS4/n-Si异质结。利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDS)和原子力显微镜(AFM)对Cu2ZnSnS4薄膜的结构、组分和形貌进行表征,并对器件进行Ⅰ-Ⅴ测试,讨论不同电阻率的Si对异质结器件光电特性的影响。结果表明,器件有良好的整流特性,Si电阻率大的器件光电响应比较好,而Si电阻率小的器件光伏效应比较明显。
- 李琳文亚南董燕汪壮兵梁齐
- 关键词：脉冲激光沉积Ⅰ-Ⅴ特性
- 能量密度和重复频率对PLD法制备ZnS薄膜性质的影响被引量：2
- 2016年
- 利用脉冲激光沉积法在玻璃基片上、以不同的能量密度和重复频率制备了一系列ZnS薄膜。利用X射线衍射、X射线能量色散谱、紫外-可见-近红外分光光度计,对ZnS薄膜的晶体结构、化学组分、光学特性等进行表征。结果表明:所制备ZnS薄膜为富硫贫锌,结晶质量良好,为(002)晶面择优取向生长。能量密度为7.5 J/cm^2、重复频率为2 Hz是生长高质量ZnS薄膜的条件,其所制备的ZnS薄膜为纤锌矿结构,结晶程度最高,择优取向度最高(189.2),Zn/S摩尔比值接近化学计量比,堆积密度最大(0.967),可见光透过率高,禁带宽度为3.55 eV。
- 李学留刘丹丹李琳马明杰文亚南梁齐
- 关键词：ZNS薄膜脉冲激光沉积能量密度重复频率
- 磁性多层膜巨磁电阻效应理论
- 2011年
- 简要概述了磁性多层膜结构巨磁电阻效应的现有主要理论。对唯像理论、Boltzmann输运方程理论和量子理论的相关工作进行了总结评述。
- 董燕文亚南梁齐
- 脉冲激光沉积制备NiO薄膜的研究进展
- 2011年
- NiO作为一种优良的半导体材料,在传感器、催化剂、电致变色器件等领域都有着广泛的应用,纳米NiO又是很有前途的锂离子电池电极材料。脉冲激光沉积作为一种制备高质量NiO薄膜的可行方法。本文综述了脉冲激光沉积制备NiO薄膜的研究进展,包括多晶NiO薄膜和外延NiO薄膜。
- 王金生王维松文亚南梁齐
- 关键词：NIO脉冲激光沉积
- 射频磁控溅射法制备Cu2ZnSnS4薄膜被引量：3
- 2012年
- 利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火。通过X射线衍射、X射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌和禁带宽度的影响。结果表明,所制备样品为Cu2ZnSnS4多晶薄膜,具有较强的沿(112)晶面择优取向生长的特点,薄膜组分均为富S贫Cu,样品表面形貌比较均匀。退火温度为350,400,450和500℃的薄膜样品的禁带宽度分别是1.49,1.53,1.51和1.46 eV。
- 文亚南李琳陈士荣史成武梁齐
- 关键词：射频磁控溅射快速退火多晶薄膜
- Cu/_2ZnSnS/_4薄膜及其器件研究
- 21世纪，人类面临着能源危机及生态环境的恶化，改变能源结构、发展绿色能源已成为备受关注的课题。太阳能是最具应用前景的可再生清洁能源之一，利用太阳能电池可以无任何材料损耗的将太阳能转换为人类可利用的电能。在太阳能电池领域，...
- 文亚南
- 关键词：脉冲激光沉积磁控溅射异质结太阳能电池
- 文献传递
- NiO薄膜的脉冲激光沉积及其结构和光学特性研究
- 2013年
- 利用脉冲激光沉积法在ITO玻璃衬底上制备了NiO薄膜,利用XRD、AFM对样品的晶体结构和表面形貌进行了表征,并对其透射光谱进行了测试,研究了衬底温度及脉冲激光能量对所制NiO薄膜的结构、形貌和光学特性的影响。结果表明：在脉冲激光能量为180 mJ、衬底温度为600~700℃条件下所制备的样品为沿（111）晶面择优取向生长的多晶NiO薄膜,薄膜结晶质量良好,表面颗粒排列均匀,可见光透射率较高,禁带宽度为3.40~3.47 eV。
- 李琳董燕余亮文亚南梁齐
- 关键词：NIO多晶薄膜宽禁带半导体脉冲激光沉积透射率
