曹艳荣
- 作品数：68 被引量：30H指数：4
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- 相关领域：电子电信理学文化科学电气工程更多>>
- 一种硅基倒置微带线结构及其制作方法
- 本发明公开了一种硅基倒置微带线结构及其制作方法，主要解决标准微带线和传统倒置微带线在传输毫米波亚毫米波是损耗大以及加工精度低的问题。该硅基倒置微带线结构包括微带线，悬置层，硅基片，腔体，金属接地层，其中硅基片层包括上硅基...
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- 薄势垒增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法
- 本发明公开了一种薄势垒增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件及其制作方法，主要解决现有同类器件击穿性能差和输出电流小的问题。其技术方案是：在器件的SiN钝化层生长工艺中引入自对准技术、利用薄厚SiN钝化层对沟道的...
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- HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法
- 本发明公开了一种HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法，主要解决现有技术不能对HEMT器件的栅泄漏电流中台面泄漏电流分离的问题。其实现方案是：制作与被测HEMT器件结构相同，栅电极和源漏电极宽度均为被测HEMT器...
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- 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
- 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括：(a)选取衬底基片并进行预处理；其中，所述衬底基片设有阴极电极；(b)在所述衬底基片上生长电子传输层；(c)在所述电子传输层上制备钙钛矿吸光层；(d)在所述钙钛矿吸光层...
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- 一种测试MOS器件沟道不均匀损伤的方法
- 本发明公开了一种测试MOS器件沟道不均匀损伤的方法，主要解决现有技术难以定量分析沟道不均匀损伤效应的问题。其实现步骤是：1.设定器件的标准漏电流与标准低漏压；2.在标准低漏压下扫描栅压，得到漏电流达到标准值时的栅压V<S...
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- 基于异质结器件热电子效应测试结构及表征方法
- 本发明提供一种基于异质结器件热电子效应测试结构及表征方法，主要解决器件源漏沟道区不同位置处热电子效应难以定量表征的问题。其实现方案是在待测异质结器件上制备辅助测试结构形成测试图形。即位于源极和漏极之间势垒层中的一系列规格...
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- 新型槽栅MOSFETs的特性
- 2006年
- 采用SIVALCO软件对槽栅与平面器件进行了仿真对比分析,结果表明槽栅器件能够有效地抑制短沟道及热载流子效应,而拐角效应是槽栅器件优于平面器件特性更加稳定的原因.对自对准工艺下成功投片所得沟道长度为140nm的槽栅器件进行测量,结果有力地证明了槽栅器件较平面器件的优越性.
- 曹艳荣马晓华郝跃于磊
- 关键词：自对准短沟道效应热载流子效应
- 全透明AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法
- 本发明公开了一种采用透明低电阻率ZnO作栅和源、漏电极的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法，它涉及到微电子技术领域，主要解决现有AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管不能应用于全透明领域，及现有全透明晶体管特...
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- 基于漏场板的电流孔径异质结晶体管及其制作方法
- 本发明公开了一种基于漏场板的电流孔径异质结晶体管及其制作方法，其包括：衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、电流阻挡层(4)、沟道层(6)和势垒层(7)，势垒层上两侧淀积有源极(11)，源极之间势垒层上外延有帽层(8)...
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- 电压应力下超薄栅氧化层n-MOSFET的击穿特性被引量：4
- 2006年
- 研究了90nm工艺下栅氧化层厚度为1.4nm的n-MOSFET的击穿特性,包括V-ramp(斜坡电压)应力下器件栅电流模型和CVS(恒定电压应力)下的TDDB(经时击穿)特性,分析了电压应力下器件的失效和退化机理.发现器件的栅电流不是由单一的隧穿引起,同时还有电子的翻越和渗透.在电压应力下,SiO2中形成的缺陷不仅降低了SiO2的势垒高度,而且等效减小了SiO2的厚度(势垒宽度).另外,每一个缺陷都会形成一个导电通道,这些导电通道的形成增大了栅电流,导致器件性能的退化,同时栅击穿时间变长.
- 马晓华郝跃陈海峰曹艳荣周鹏举
- 关键词：超薄栅氧化层经时击穿
