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曾庆锴

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：上海大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇金刚石薄膜
  • 8篇晶体管
  • 8篇场效应
  • 8篇场效应晶体管
  • 6篇半导体
  • 6篇半导体场效应...
  • 4篇探测器
  • 4篇无机非金属
  • 4篇无机非金属材...
  • 4篇溅射
  • 4篇光电
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 4篇光电探测器件
  • 4篇非金属材料
  • 4篇磁控
  • 2篇等离子体刻蚀
  • 2篇氧气
  • 2篇直流磁控
  • 2篇射电

机构

  • 12篇上海大学

作者

  • 12篇曾庆锴
  • 12篇王林军
  • 12篇黄健
  • 10篇夏义本
  • 10篇唐可
  • 6篇张继军
  • 6篇张凤娟
  • 4篇潘潇雨
  • 4篇庄晓凤
  • 4篇闵嘉华
  • 2篇夏辅元
  • 2篇张弋
  • 2篇方谦
  • 2篇刘晟
  • 2篇张旭

年份

  • 2篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种CdTe薄膜太阳能电池背电极的制备方法
本发明涉及的是一种CdTe薄膜太阳能电池欧姆接触背电极的制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该背电极为Cu<Sub>x</Sub>O/Cu复合电极，电极结构如图所示；电极制备方法是：采用磁控溅射仪在CdTe薄膜...
王林军黄健曾庆锴唐可张凤娟夏义本
一种高温、高功率场效应晶体管的制备方法
本发明涉及一种基于p型掺杂单晶金刚石薄膜的高温、高功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明的主要特点是：在p型硼掺杂单晶金刚石薄膜上，制作源电极、漏电...
王林军张凤娟黄健唐可曾庆锴夏辅元张继军闵嘉华
文献传递
一种基于金刚石薄膜场效应晶体管欧姆接触电极的制备方法
本发明涉及一种基于金刚石薄膜场效应晶体管欧姆接触电极的制备方法。属于金刚石膜场效应晶体管器件制造工艺技术领域。本发明的要点是利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备Ti-Pt-Au三层金属体系，并在氮气气氛下退火...
王林军庄晓凤曾庆锴潘潇雨黄健唐可张继军夏义本
文献传递
金刚石薄膜的光敏晶体管的制备方法
本发明涉及一种基于自支撑金刚石薄膜的金属Pb-氰化物SiO<Sub>2</Sub>-P型金刚石薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于光电探测器件制造工艺技术领域。本发明的特点是：(1)利用具有p型导电类型金刚石薄膜作为表...
王林军张弋黄健方谦曾庆锴张旭夏义本
一种ZnO薄膜场效应晶体管的制备方法
本发明涉及一种基于ZnO薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于无机非金属材料器件制备工艺技术领域。本发明的主要特点是：采用高热导率自支撑金刚石薄膜作为衬底材料。并采用添加缓冲层方法，在其上制备n型ZnO薄膜，同时在ZnO...
王林军曾庆锴黄健唐可张凤娟张继军闵嘉华夏义本
文献传递
ZnO/纳米晶金刚石薄膜异质结光电探测器的制备方法
本发明涉及一种基于ZnO/纳米金晶刚石薄膜异质结光电探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。本发明主要特点在于采用高导电率的氢终端纳米金刚石薄膜作为p型层，并在此层上制备高质量的n型ZnO薄膜，从而得到Zn...
王林军潘潇雨曾庆锴庄晓凤刘晟黄健唐可夏义本
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一种高温、高功率场效应晶体管的制备方法
本发明涉及一种基于p型掺杂单晶金刚石薄膜的高温、高功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明的主要特点是：在p型硼掺杂单晶金刚石薄膜上，制作源电极、漏电...
王林军张凤娟黄健唐可曾庆锴夏辅元张继军闵嘉华
金刚石薄膜的光敏晶体管的制备方法
本发明涉及一种基于自支撑金刚石薄膜的金属Pb-氰化物SiO<Sub>2</Sub>-P型金刚石薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于光电探测器件制造工艺技术领域。本发明的特点是：(1)利用具有p型导电类型金刚石薄膜作为表...
王林军张弋黄健方谦曾庆锴张旭夏义本
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一种ZnO薄膜场效应晶体管的制备方法
本发明涉及一种基于ZnO薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于无机非金属材料器件制备工艺技术领域。本发明的主要特点是：采用高热导率自支撑金刚石薄膜作为衬底材料。并采用添加缓冲层方法，在其上制备n型ZnO薄膜，同时在ZnO...
王林军曾庆锴黄健唐可张凤娟张继军闵嘉华夏义本
一种基于金刚石薄膜场效应晶体管欧姆接触电极的制备方法
本发明涉及一种基于金刚石薄膜场效应晶体管欧姆接触电极的制备方法。属于金刚石膜场效应晶体管器件制造工艺技术领域。本发明的要点是利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备Ti-Pt-Au三层金属体系，并在氮气气氛下退火...
王林军庄晓凤曾庆锴潘潇雨黄健唐可张继军夏义本
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