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张凤娟

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：上海大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇金刚石薄膜
  • 5篇晶体管
  • 5篇场效应
  • 5篇场效应晶体管
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体场效应...
  • 2篇氧气
  • 2篇直流磁控
  • 2篇射电
  • 2篇热导率
  • 2篇无机非金属
  • 2篇无机非金属材...
  • 2篇溅射
  • 2篇溅射靶材
  • 2篇工作温度
  • 2篇功率
  • 2篇非金属材料
  • 2篇高热导率
  • 2篇靶材
  • 2篇CDTE薄膜

机构

  • 7篇上海大学

作者

  • 7篇张凤娟
  • 6篇唐可
  • 6篇曾庆锴
  • 6篇王林军
  • 6篇黄健
  • 4篇张继军
  • 4篇夏义本
  • 4篇闵嘉华
  • 2篇夏辅元

年份

  • 3篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
基于定向金刚石薄膜的场效应晶体管材料和器件的研究
张凤娟
一种CdTe薄膜太阳能电池背电极的制备方法
本发明涉及的是一种CdTe薄膜太阳能电池欧姆接触背电极的制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该背电极为Cu<Sub>x</Sub>O/Cu复合电极，电极结构如图所示；电极制备方法是：采用磁控溅射仪在CdTe薄膜...
王林军黄健曾庆锴唐可张凤娟夏义本
一种高温、高功率场效应晶体管的制备方法
本发明涉及一种基于p型掺杂单晶金刚石薄膜的高温、高功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明的主要特点是：在p型硼掺杂单晶金刚石薄膜上，制作源电极、漏电...
王林军张凤娟黄健唐可曾庆锴夏辅元张继军闵嘉华
文献传递
一种ZnO薄膜场效应晶体管的制备方法
本发明涉及一种基于ZnO薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于无机非金属材料器件制备工艺技术领域。本发明的主要特点是：采用高热导率自支撑金刚石薄膜作为衬底材料。并采用添加缓冲层方法，在其上制备n型ZnO薄膜，同时在ZnO...
王林军曾庆锴黄健唐可张凤娟张继军闵嘉华夏义本
文献传递
一种CdTe薄膜太阳能电池背电极的制备方法
本发明涉及的是一种CdTe薄膜太阳能电池欧姆接触背电极的制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该背电极为Cu<Sub>x</Sub>O/Cu复合电极，电极结构如图所示；电极制备方法是：采用磁控溅射仪在CdTe薄膜...
王林军黄健曾庆锴唐可张凤娟夏义本
文献传递
一种ZnO薄膜场效应晶体管的制备方法
本发明涉及一种基于ZnO薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于无机非金属材料器件制备工艺技术领域。本发明的主要特点是：采用高热导率自支撑金刚石薄膜作为衬底材料。并采用添加缓冲层方法，在其上制备n型ZnO薄膜，同时在ZnO...
王林军曾庆锴黄健唐可张凤娟张继军闵嘉华夏义本
一种高温、高功率场效应晶体管的制备方法
本发明涉及一种基于p型掺杂单晶金刚石薄膜的高温、高功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明的主要特点是：在p型硼掺杂单晶金刚石薄膜上，制作源电极、漏电...
王林军张凤娟黄健唐可曾庆锴夏辅元张继军闵嘉华
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