朱巧智
- 作品数：14 被引量：41H指数：3
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：辽宁省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- N型4H-SiC ECR氢等离子体处理研究被引量：2
- 2009年
- 采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体对n型4H-SiC(0001)表面进行处理,并利用原位高能电子衍射(RHEED)对处理过程进行实时监控。在200°C～700°C温度范围内获得的RHEED图像成条纹状且对比清晰,表明SiC表面原子排列规则,单晶取向性好,计算表明表面未发生重构。用X射线光电子能谱(XPS)技术对表面成分进行分析,结果显示,表面C/C-H污染物被去除、氧含量降低。
- 王德君高明超朱巧智秦福文宋世巍王晓霞
- 关键词：碳化硅氢等离子体X射线光电子能谱
- n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO_2/SiC界面研究被引量：3
- 2008年
- 在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV.cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1.cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求.
- 马继开王德君朱巧智赵亮王海波
- 关键词：4H-SICMOS电容
- 基于SoPC的自感知运动图像采集系统设计被引量：1
- 2009年
- 设计一种基于SoPC技术的自感知运动图像采集系统。该系统通过在FPGA芯片上配置采集控制电路和动态检测电路,可以实时捕捉外界场景运动变化,实现无人值守情况下有选择地采集并保存数据。由于主要控制电路集成在一个FPGA芯片上,该系统具有体积小,功耗低,设计灵活,可扩展性好等优点。
- 胡志海王德君朱巧智
- 关键词：FPGA图像采集SDRAM
- SiO_2/SiC界面的Wet-ROA改性机理研究被引量：1
- 2009年
- 高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2氧化膜,采用湿氧二次氧化(wet-ROA)工艺对样品进行处理,通过测量SiCMOS结构界面电学特性,发现wet-ROA工艺有助于降低界面态密度,改善SiO2/SiC界面电学特性。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对SiO2/SiC界面过渡区进行分析,通过过渡区厚度计算和过渡区成分含量比较,发现湿氧二次氧化工艺可减小过渡区氧化膜厚度,降低过渡区成分含量,进而揭示了降低SiO2/SiC界面态密度,改善界面电学特性的微观机理。
- 朱巧智王德君赵亮
- 关键词：金属氧化物半导体
- 一种自感知便携式图像无线监控设备及使用方法
- 一种自感知便携式图像无线监控设备及使用方法，属于嵌入式技术领域和集成电路技术领域，特别涉及一种现场智能图像监控设备及检测方法。其特征是设备包括图像采集模块(1)、运动检测模块(2)、移动车载模块(3)、图像压缩模块(4)...
- 王德君胡志海朱巧智
- 文献传递
- SiO_2/SiC界面过渡区结构研究被引量：1
- 2008年
- 采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2膜,使用质量分数为1%的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1～1.5nm)SiO2/SiC界面样品。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对样品进行分析,分析结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界面过渡区的成分分布情况,适合用一个分层模型来描述,进而建立了过渡区成分分布的原子级结构模型。
- 朱巧智王德君赵亮李秀圣
- 关键词：4H-SIC
- 氮钝化SiC MOS界面特性的Gray-Brown法研究被引量：2
- 2013年
- 降低SiO2/SiC界面态密度,尤其是SiC导带附近的界面态密度,是SiC MOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体钝化处理SiO2/SiC界面,制作成MOS电容后通过I-V和低温C-V测试进行氧化膜击穿特性及界面特性评价。氧化膜击穿电场为9.92MV/cm,SiO2与SiC之间的势垒高度为2.69eV。使用Gray-Brown法结合Hi-Lo法分析C-V曲线,获得了距导带底EC0.05～0.6eV范围内的界面态分布,其中距EC0.2eV处的界面态密度降低至1.33×1012cm-2eV-1。实验结果表明,氮等离子体处理能有效降低4H-SiC导带附近的界面态密度,改善界面特性。
- 刘沙沙秦福文朱巧智刘冰冰汤斌王德君
- 关键词：界面态密度
- SiO2/SiC界面过渡区及其等离子体钝化工艺研究
- SiC半导体具有禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高、载流子饱和漂移速度高等优异特性，在高温、高频、大功率器件领域具有极大应用潜力。同时，SiC是唯一一种可以热氧化形成SiO2膜的宽带隙化合物半导体，这一特点使SiC M...
- 朱巧智
- 关键词：碳化硅界面过渡区钝化工艺等离子体
- 文献传递
- 基于SOPC的便携式智能图像采集系统设计被引量：27
- 2010年
- 提出一种基于SOPC技术的便携式智能图像采集系统的解决方案。该采集系统通过在单片FPGA上配置的采集控制电路和新型运动检测电路,可以实时捕捉外界场景运动变化,实现无人值守情况下有选择的保存数据。该系统具有体积小、功耗低、设计灵活、可扩展性好等特点。
- 胡志海王德君赵巧云朱巧智
- 关键词：FPGA图像采集SDRAM
- SiO2/SiC界面的Wet-ROA研究
- 宽带隙半导体材料碳化硅(SiC)具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度、可通过热氧化法生长SiO2膜等优点，在电力、电动、通讯、航天和军事系统中具有广阔应用前景。但高的SiO2/SiC界面态密度使实际制作的S...
- 朱巧智王德君张立平
- 关键词：宽带隙半导体碳化硅光电子谱
- 文献传递
