李晨
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学技术物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金西安应用材料创新基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 散粒噪声用于纳米电子器件与结构的量子效应表征
- 2009年
- 论述了纳米电子器件与结构中散粒噪声的产生机理和影响因素,表明散粒噪声与输运过程密切相关,按照噪声功率谱的幅值大小将散粒噪声分为泊松散粒噪声、亚泊松散粒噪声和超泊松散粒噪声四类。将散粒噪声的这些规律应用于纳米电子器件和结构,可表征不同器件与结构中的量子效应。利用散粒噪声已经成功检测到无序导线中的开放通道与量子点混沌腔中的波动性,测量出超导体与分数量子霍尔效应中的准粒子电荷。将散粒噪声用于检测纠缠态对量子计算具有重要的意义,自旋相干输运的检测是自旋电子学的重要研究课题。
- 陈华杜磊庄奕琪陈文豪唐冬和李晨
- 关键词：散粒噪声
- 基于转移矩阵法确定高k介质中泄漏电流共振隧穿机制的存在性被引量：1
- 2012年
- 栅隧穿电流已成为制约MOS器件继续缩小的因素之一.为了掌握和控制高k栅栈的栅电流,必须全面了解其中存在的各种隧穿机制.考虑高k介质和二氧化硅间的界面陷阱,建立了高栅栈MOSFET中沟道与栅极交换载流子的双势垒隧穿物理模型.采用量子力学的转移矩阵方法,计算沟道电子通过高栅栈结构的透射系数,模拟得到的透射系数曲线随电子能量变化呈现峰谷振荡的特征.将本文模拟结果与非平衡格林函数及WKB近似方法模拟结果对比,通过论证得出电子能量低于高导带底的透射系数峰为共振隧穿机制所产生,而能量高于高k介质导带底的电子透射系数峰为直接隧穿的结论.
- 曲成立杜磊刘宇安庄奕琪陈华李晨牛文娟
