李洪波
- 作品数：25 被引量：79H指数：5
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程自动化与计算机技术电子电信理学更多>>
- 非晶硅锗单结电池的研究
- 1997年
- ｐ／ｉ和ｉ／ｎ界面对ａＳｉＧｅ单结电池的性能影响较大，提高电池性能的关键是减小界面复合。选择适当的工艺条件，获得了效率为２０１％的ａＳｉＧｅ单结电池。
- 王广才孙建耿新华孙云李洪波刘世国陆靖谷
- 关键词：电池
- a-Si太阳电池陷光结构的新模型及其优化被引量：5
- 2001年
- 我们在分析陷光结构的表面形貌后 ,对陷光结构提出一个新的模型 ,并用它计算和分析折射率、形貌和膜厚等参数对陷光效果的影响。通过计算 ,我们找出这些参数的最佳值 ,并依此对陷光结构进行优化 。
- 麦耀华李洪波薛俊明杨恢东任慧志张德坤王宗畔耿新华
- 关键词：非晶硅太阳电池陷光结构
- 111cm×73cm非晶硅薄膜材料的制备
- 研究反应气体流量、反应气体压力、尾气抽气速率、射频辉光功率对大面积非晶硅薄膜材料均匀性和性能的影响,作者制备出面积为111cm×73cm均匀非晶硅薄膜材料.
- 薛俊明王宗畔李洪波胡景康赵颖王庆章张德坤耿新华
- 关键词：硅太阳电池材料性能
- 多晶硅薄膜太阳电池的计算机模拟被引量：6
- 2002年
- 建立了一个多晶硅薄膜太阳电池计算机模型。利用该模型 ,分别模拟计算了单结多晶硅薄膜电池、a Si/poly Si双结电池、a Si/ poly Si/ poly Si三结电池 ,并对结果进行了讨论。结果表明实际可行的多晶硅电池应是具有陷光结构的a Si/ poly Si/ poly Si三结叠层电池 ,其子电池厚度为 0 2 3/ 0 95 / 3μm ,最高效率为 2 2 74 %。
- 葛惠春薛俊明耿新华李洪波王宗畔王庆章任慧志
- 关键词：多晶硅薄膜叠层电池计算机模型陷光结构
- 瞬态零电流法测a-Si太阳电池内电场分布
- 瞬态零电流法测量了不同ｐｉｎ型α－Ｓｉ太阳电池的内电场分布，发现该方法仅能测量ｐ／ｉ界面附近的电场分布，不论光是从ｐ边入射还是从ｎ边入射。该文对实验结果进行了讨论，并与Ｈａｃｋ等人的计算机模拟计算结果进行了比较。
- 耿新华王宗畔葛惠春李洪波
- 高质量非晶硅锗材料的研制被引量：3
- 1997年
- ａ－ＳｉＧｅ∶Ｈ材料的光电性能强烈地依赖于沉积条件，选择适当的氢稀释率、气体压强、掺锗率和辉光功率，获得了光带隙为１．４５ｅＶ，光暗电导比为１．
- 王广才耿新华孙云李洪波孙建刘世国陆靖谷
- 关键词：气体压强
- a-SiGe_x∶H薄膜准分子激光晶化的研究
- 1998年
- 用KrF准分子激光、XeCl准分子激光在不同条件下对Ge含量不同的四种a－SiGex∶H样品进行退火。只要激光退火能量密度合适，Ge含量不同的a－siGex∶H薄膜都可以被多晶化；随着Ge含量的增加，激光晶化阈值能量密度降低，耐退火能力也降低；在相同的激光晶化能量密度下，Ge含量越高的薄膜，激光晶化的效果越好，晶粒尺寸长得越大。
- 吴春亚张建军李洪波王庆章王庆章赵颖王宗畔孙钟林
- 关键词：激光退火准分子激光
- SnO_2／p接触特性对a－Si太阳电池填充因子的影响被引量：4
- 1995年
- 用ＰＥＣＶＤ方法制备出高电导率（～０．２ｓｃｍ－１）、宽带隙（～２．２ｅＶ）的Ｐ型微晶化硅碳合金（ｐ－μｃ－ＳｉＣ：Ｈ）薄膜材料。利用ｐ－μＣ－ＳｉＣ：Ｈ／ｐ－ａ－Ｓｉ：Ｈ复合结构做ａ－Ｓｉ太阳电池的窗口材料，明显改善了ＳｎＯ２／ｐ之间的接触特性，从而使１０ｃｍ×１０ｃｍ单结集成型电池的填充因子从０．７０以下提高到０．７２。
- 耿新华刘世国李洪波孙云孙钟林徐温元
- 关键词：接触特性填充因子硅太阳电池
- 塑料衬底非晶硅太阳电池的研究
- 该论文针对塑料衬底非晶硅太阳电池的特殊性,详细研究了塑料树脂的有关性能参数,总结了非晶硅太阳电池对塑料衬底的选择要求.通过对塑料衬底与金属电极的附着力问题的实验研究,提出了改善电极附着力的方法.通过对溅射法制备了ZnO背...
- 李洪波
- 关键词：非晶硅太阳电池
- 文献传递
- 大面积高效高稳定非晶体太阳电池的研究与应用
- 耿新华孙云李洪波王宗畔孙健陆靖谷胡景康李键王庆章
- 该项目用低温小rf功率制备出P型微晶硅碳材料、n型微晶硅材料，采用低温微晶化掺杂层减少了电池的串联电阻；采用P型微晶硅碳/非晶硅碳复合窗口层，改善了TCO/P接触特性和P/I界面输运特性，改善电池填充因子；P/I界面采用...
- 关键词：
- 关键词：光伏发电
