林挺
- 作品数：13 被引量：6H指数：2
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- 相关领域：化学工程理学更多>>
- Pechini溶胶-凝胶法制备LuAG:Tb薄膜的显微结构及发光性能
- 2011年
- 采用Pechini溶胶-凝胶法结合旋涂工艺制备了Tb^(3+)掺杂Lu_3Al_5O_(12)(简称LuAG:Tb)发光薄膜。前驱体薄膜在850℃左右锻烧得到单一石榴石相的LuAG:Tb薄膜。LuAG薄膜的发射光谱(268nm紫外光激发)对应于Tb^(3+)的~5D_4→~7E_J(J=6～0)和~5D_3→~7F_J特征跃迁,光谱强度随Tb^(3+)掺杂浓度的升高先增强后减弱,在x(Tb^(3+))=2.0%时光谱强度最强,其发光衰减时间为5.14ms。扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察显示LuAG薄膜的颗粒度大小和表面粗糙度随煅烧温度的升高而增大。
- 王剑沈思情谢建军施鹰王宇林挺袁晖艾飞
- 关键词：显微结构
- 一种Ce<Sup>3+</Sup>掺杂硅酸镥(Lu<Sub>2</Sub>SiO<Sub>5</Sub>)多晶闪烁光学陶瓷的制备方法
- 本发明涉及采用一种放电等离子烧结技术(Sparkplasmasintering)实现Ce<Sup>3+</Sup>掺杂硅酸镥(Lu<Sub>2</Sub>SiO<Sub>5</Sub>)多晶闪烁光学陶瓷快速制备的方法，属...
- 施鹰林挺邓莲芸任玉英谢建军
- Ce：Lu2SiO5闪烁陶瓷的放电等离子烧结与发光性能被引量：3
- 2011年
- 以亚微米级单相铈离子掺杂硅酸镥(Ce:Lu2SiO5,LSO)发光粉体为原料,采用放电等离子烧结(Spark Plasma Sintering)技术対多晶LSO闪烁陶瓷的制备方法进行了探索,同时对其发光性能进行了研究.在(1350℃/5min)的条件下实现了LSO粉体的快速致密化烧结,研制出了具有良好发光性能的半透明多晶LSO闪烁陶瓷,其相对密度达到理论密度的99.5%.在360nm紫外激发条件下,呈现位于380～600nm的宽峰发射行为.其相对发光强度达到LSO闪烁单晶的75%,发光衰减时间仅为9.67ns.该材料有望成为一种新型的高光输出、快衰减多晶闪烁材料.
- 林挺许志斌邓莲芸任玉英施鹰谢建军
- 关键词：闪烁陶瓷放电等离子烧结发光性能
- 铈掺杂硅酸镥闪烁陶瓷的放电等离子烧结与发光性能
- 以溶胶-凝胶法合成的单相铈掺杂硅酸镥(Ce：Lu2SiO5)发光粉体为原料，采用放电等离子烧结(Spark Plasma Sintering)技术对多晶Ce：Lu2SiO5闪烁陶瓷的制备进行了研究.通过优化烧结条件，在温...
- 林挺范灵聪施鹰邓莲芸任玉英谢建军
- Ce:Lu<Sub>2</Sub>SiO<Sub>5</Sub>多晶闪烁光学陶瓷的无压烧结制备方法
- 本发明涉及一种采用无压烧结工艺制备Ce:Lu<Sub>2</Sub>SiO<Sub>5</Sub>多晶闪烁光学陶瓷的方法，属稀土掺杂多晶闪烁光学陶瓷制备工艺技术领域。本发明采用溶胶-凝胶法低温合成单相亚微米级Ce:Lu<...
- 施鹰林挺邓莲芸任玉英谢建军
- 文献传递
- Ce:Lu2SiO5发光粉体的溶胶-凝胶法制备及光谱性能
- 采用了溶胶一凝胶法合成制备了亚微米级多晶Ce：Lu2SiO5发光粉体。采用X射线衍射、透射电镜、紫外激发发射光谱对不同温度下合成粉体的物相、显微形貌及发光行为进行了表征。结果表明：在前躯体晶化过程中,在900℃条件下出现...
- 林挺许志斌施鹰邓莲芸任玉英谢建军
- 稀土掺杂倍半氧化物基透明陶瓷制备与光谱性能研究
- 杨秋红施鹰谢建军顾峰张浩佳陆神洲范灵聪张斌林挺任玉英王剑邓莲芸许志斌史治法黄栋栋王永刚李韫含许健
- 方向一：稀土掺杂倍半氧化物基透明陶瓷制备与光谱性能研究(1)制备出了高透明度Nd<'3+>和Yb<'3+>离子掺杂的Y1.8La0.2O3透明陶瓷(样品直径10~35mm，厚度为3.0~10.0mm)，在激光输出波段直线...
- 关键词：
- 关键词：透明陶瓷激光装置
- 一种Ce<Sup>3+</Sup>掺杂硅酸镥(Lu<Sub>2</Sub>SiO<Sub>5</Sub>)多晶闪烁光学陶瓷的制备方法
- 本发明涉及采用一种放电等离子烧结技术(Sparkplasmasintering)实现Ce<Sup>3+</Sup>掺杂硅酸镥(Lu<Sub>2</Sub>SiO<Sub>5</Sub>)多晶闪烁光学陶瓷快速制备的方法，属...
- 施鹰林挺邓莲芸任玉英谢建军
- 文献传递
- 溶胶-凝胶法制备纳米级硅酸镥粉体的发光性能被引量：4
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶法制备了Lu2SiO5:Ce粉体。基于X射线衍射、透射电镜、紫外-可见激发发射、X射线激发发射和荧光衰减时间的测试,研究了溶胶-凝胶法制备的纳米Lu2SiO5:Ce粉体的物相结构和发光性能。结果表明:在1000℃煅烧2h得到粒径约为40nm的纯Lu2SiO5:Ce粉体;其激发谱中的最强激发峰在360nm处,发射谱中在398～407nm范围有以407nm为中心的宽发射峰,归因为Ce3+的4f-5d间的电子跃迁。在X射线激发下Lu2SiO5:Ce粉体的发光表现出二级发光衰减行为,衰减时间分别为τ1=10.98ns和τ2=39.32ns,相应的发光强度比例分别为73.38%和21.29%。
- 谢建军林挺施鹰宋国新吴卫平
- 关键词：纳米粉体
- 掺铈铽γ-AlON基发光粉体的制备方法
- 本发明涉及一种共沉淀法制备γ-AlON基陶瓷发光粉末的方法，属于荧光粉材料合成与制备领域。本发明方法的特点是以硝酸铝、硝酸铈、硝酸铽、尿素、纳米炭黑为原料，以PEG为分散剂，以碳酸氢铵和氨水为沉淀剂，经沉淀反应得到前驱物...
- 施鹰邓莲芸林挺任玉英谢建军
- 文献传递
