林琦
- 作品数：12 被引量：32H指数：4
- 供职机构：上海工程技术大学更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术机械工程更多>>
- 基于ENC-03RC单轴陀螺仪传感器的防困倦器(Anti-sleeping)的设计和制作
- 2015年
- 防困倦器(Anti-sleeping)的设计与制作是为了提醒即将进入睡眠状态的人快速恢复到学习、工作等事务中去。该装置主要基于ENC-03RC单轴陀螺仪传感器与STC15F104W单片机,并通过外围的数字电路以实现对使用者头部运动的监控与适时提醒。
- 徐旸张家豪林琦
- 坡莫合金磁阻传感器在弹性模量实验中的应用被引量：1
- 2008年
- 介绍坡莫合金磁阻传感器的结构与工作原理,研究了该传感器的结构和特性以及沿磁钢轴线上的磁场强度分布规律,并用坡莫合金磁阻传感器测量出弹性模量实验中的微小位移量.
- 陈余行林琦周有余
- 关键词：磁电阻效应坡莫合金磁钢弹性模量
- 水立方薄膜(ETFE膜)热传导特性的研究
- 2011年
- 大学生创新实验项目是我国高等教育培养当代大学生创新能力的一项重要举措,它旨在培养大学生的创新意识和动手能力。本文对申请到的大学生创新实验"水立方薄膜(ETFE膜)热传导特性的研究"做了深入探讨,利用稳态法测得了ETFE膜的导热系数,发现其值小于,可以作为理想的绝热材料应用在建筑等领域,有效地节省电能,符合当前的绿色经济。
- 林琦曹立翔周威
- 关键词：ETFE膜稳态法导热系数
- 脉冲核磁共振观测方法的改进
- 2022年
- 由于脉冲核磁共振实验对系统的环境温度极为敏感,磁体温漂和环境温度变化都会引起共振点的漂移.为了更准确地进行数据采集,改用存储示波器替代脉冲核磁共振系统配套软件进行实时跟踪观测,选择通用软件进行数据处理.此外,加入噪声因子对数据进行去噪处理,可以获得更准确的实验结果.
- 王慧琴王明霞林琦范绪亮赖盛英
- 关键词：弛豫时间噪声因子
- N掺杂对zigzag型石墨烯纳米带的能带结构和输运性质的影响被引量：14
- 2011年
- 用第一性原理研究了N掺杂zigzag型石墨烯纳米带(z-GNRs)的能带结构、透射谱和电流电压特性,研究结果表明N掺杂将使得z-GNRs的能带结构中出现能隙,材料从金属转变为半导体;随着杂质浓度的增大,相同偏压下电流明显减小,同时体系费米面附近的透射率逐渐减小;z-GNRs的长度、宽度以及N原子的替代掺杂位置均会对输运性质产生影响,在宽度较小的情况下,掺杂浓度和掺杂位置两种因素共同影响体系的输运性质.
- 林琦陈余行吴建宝孔宗敏
- 关键词：石墨烯纳米带N掺杂输运性质
- C/O替代掺杂对ZnO纳米带能带及结构稳定性的影响
- 2015年
- 用第一性原理研究了C掺杂Zn O纳米带(Zn O-NRs)的能带结构和结构稳定性.研究结果表明:C原子对O原子替代掺杂将使Zn O纳米带在费米面附近引入局域的杂质能级;在固定手性角下,C原子的不同掺杂位置对Zn O纳米带的结构稳定性影响很小;手性角为6.6°、11.9°时,C掺杂Zn O纳米带具有较高的结合能,即这两种手性角下C掺杂Zn O纳米带更具稳定性.
- 林琦陈余行吴建宝
- 关键词：ZNO纳米带
- 对FD-GLB-Ⅱ型新型焦利氏秤的改进被引量：1
- 2011年
- 对FD-GLB-Ⅱ型新型焦利氏秤做了改进,改进后的振子质量可变,很好的满足了实验教学中对弹簧阵子简谐振动关系式的验证要求。
- 林琦曹立翔周威
- 关键词：简谐振动仪器改进
- O/N替代掺杂对zigzag型硼氮窄纳米带能带及输运特性的影响
- 2012年
- 用第一性原理非平衡格林函数方法研究了O原子掺杂zigzag型硼氮窄纳米带(z-BNNNRs)的能带结构和电子输运特性.研究结果表明:O原子对N原子的替代掺杂使z-BNNNRs的能带结构出现明显变化,体系由半导体转变为金属;O掺杂明显地改变了z-BNNNRs体系的导电性能,在一定的偏压范围内产生明显的负微分电阻(NDR)现象,边缘掺杂比中间掺杂产生更大的负微分电导,进一步的输运性质计算给出的透射谱也印证了这一点.随着掺杂浓度的增加,负微分电导的极值也随之增大.
- 陈余行张朝民吴建宝林琦
- 关键词：负微分电阻
- 拓扑缺陷对Armchair型小管径多壁碳纳米管输运性质的影响被引量：4
- 2015年
- 采用密度泛函理论和非平衡格林函数方法研究了纯净的及带有不同数目的 Stone-Wale拓扑缺陷下的扶手椅型单壁,双壁和三壁小管径碳纳米管的能带结构和电子输运性质,通过计算并分析不同偏压下的微分电导和非弹性电子隧穿谱(IETS),计算结果表明单壁,双壁和三壁碳纳米管的特征偏压区间分别为[-1.0 V,1.0 V],[-0.5 V,0.5 V]和[-0.25 V,0.25 V],特征偏压区间内SW拓扑缺陷所产生的电导波动平缓,而特征偏压区间外因缺陷的数目变化所带来的电导波动显著,通过IETS谱线的分析得到单壁,双壁和三壁碳纳米管的特征峰偏压分别为±1.25 V,±0.625 V和±0.125 V.碳纳米管的特征偏压区间和IETS特征峰偏压可为较小管径碳纳米管单壁,双壁和多壁类型的区分提供一种新的途径,同时也为小管径多壁碳纳米管的输运性质在出现拓扑缺陷时的响应提供参考依据.
- 赵世奇吴建宝林琦何智强卢良志
- 关键词：拓扑缺陷多壁碳纳米管微分电导
- 水立方薄膜(ETFE膜)导热系数的测定被引量：7
- 2011年
- 大学生创新实验项目是我国高等教育培养当代大学生创新能力的一项重要举措,它旨在培养大学生的创新意识和动手能力。上海工程技术大学对申请到的大学生创新实验项目"水立方薄膜(ETFE膜)热传导特性的研究"做了深入探讨,利用稳态法测得了ETFE膜的导热系数,发现其值小于0.23W/m.℃,可以作为理想的绝热材料应用在建筑等领域,有效地节省电能,符合当前的绿色经济的要求。
- 林琦曹立翔周威
- 关键词：ETFE膜稳态法导热系数
