吴建宝
- 作品数：18 被引量：38H指数：4
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- 关于《数学物理方法》中方法论的几点思考
- 2002年
- 方法论在物理学的发展中占有重要的地位,对于物理学的学习也是很重要的。本文试述了对于 《数学物理方法》中方法论的几点认识。
- 吴建宝
- 关键词：方法论定解问题
- C/O替代掺杂对ZnO纳米带能带及结构稳定性的影响
- 2015年
- 用第一性原理研究了C掺杂Zn O纳米带(Zn O-NRs)的能带结构和结构稳定性.研究结果表明:C原子对O原子替代掺杂将使Zn O纳米带在费米面附近引入局域的杂质能级;在固定手性角下,C原子的不同掺杂位置对Zn O纳米带的结构稳定性影响很小;手性角为6.6°、11.9°时,C掺杂Zn O纳米带具有较高的结合能,即这两种手性角下C掺杂Zn O纳米带更具稳定性.
- 林琦陈余行吴建宝
- 关键词：ZNO纳米带
- N掺杂对zigzag型石墨烯纳米带的能带结构和输运性质的影响被引量：14
- 2011年
- 用第一性原理研究了N掺杂zigzag型石墨烯纳米带(z-GNRs)的能带结构、透射谱和电流电压特性,研究结果表明N掺杂将使得z-GNRs的能带结构中出现能隙,材料从金属转变为半导体;随着杂质浓度的增大,相同偏压下电流明显减小,同时体系费米面附近的透射率逐渐减小;z-GNRs的长度、宽度以及N原子的替代掺杂位置均会对输运性质产生影响,在宽度较小的情况下,掺杂浓度和掺杂位置两种因素共同影响体系的输运性质.
- 林琦陈余行吴建宝孔宗敏
- 关键词：石墨烯纳米带N掺杂输运性质
- 层状铜氧化物超导体的有限温Landau理论被引量：1
- 2006年
- 采用有限温的Landau理论来描述层状铜氧化物超导体中的竞争序和层间Josephson隧道效应.通过讨论单层和双层铜氧面结构的超导体中序参量的相图,并与实验相比较来确定理论中唯象参数的合理范围,同时也解释了在最佳掺杂区附近赝能隙的转变温度远高于与之对应的能量尺度这个颇具疑惑的实验事实.再将理论应用到多层的超导体系,计算了超导转变温度Tc随体系层数N的变化,在合理的参数空间里,最佳掺杂区附近的计算结果与现有的实验相一致,而在极度欠掺杂区和极度过掺杂区的单调性上升可作为理论预言.
- 吴建宝
- 关键词：赝能隙
- 新型水热改性方法抑制LiMn_2O_4正极材料Jahn-Teller效应被引量：3
- 2015年
- Jahn-Teller效应是LiMn2O4正极材料容量快速下降的重要原因之一,严重制约着其更广泛的商业应用。通过一种新的动态水热方法改性尖晶石LiMn2O4的表面,从而抑制其Jahn-Teller效应,提高电化学性能。通过对各种性能测试的分析,结果表明在LiMn2O4材料表面生成了LiNixMn-xO4固熔体,从而达到了抑制Jahn-Teller效应和提高循环性能的目的。
- 王月磊张静吴建宝刘微宓一鸣
- 关键词：LIMN2O4表面改性JAHN-TELLER效应
- 白光用红色荧光粉Gd_2SrAl_2O_7:Eu^(3+)的合成及发光性能研究被引量：5
- 2014年
- 用传统的固态反应法合成了新型红色Eu3+掺杂的Gd2SrAl2O7红色荧光粉。通过添加Li2CO3助熔剂,有效地降低了反应温度,获得了纯Gd2SrAl2O7相。用X射线衍射仪分析确认了产物为Gd2SrAl2O7晶相,并用光谱仪测试了光谱性能,发现当Eu3+掺杂浓度为30%时,荧光粉在623 nm处有最强发光,是Y2O3:Eu3+的两倍。(Gd0.7Eu0.3)2SrAl2O7(x=0.650,y=0.349)色度值与美国国家电视标准委员会标准值(x=0.670,y=0.330)接近。
- 孙晓慧张修丽朱鹏飞张朝民吴建宝杭寅
- 关键词：红色荧光粉固态反应发光性能
- 扶手椅型碳纳米管在不同片层下的电子输运性质的研究
- 2013年
- 本文采用密度泛函理论和非平衡格林函数方法研究了扶手椅型不同片层(单壁、双壁和三壁)碳纳米管的能带结构和电子输运性质,计算结果表明单壁碳纳米管的微分电导在[?1.0 V,1.0 V]偏压区间内是一定值,不随偏压的变化而变化。双壁碳纳米管CNT(3,3)@CNT(6,6)的带隙为0.55 eV,在偏压区间[?0.5 V,0.5 V]的微分电导为零,出现与二极管类似的截止状态,当偏压大于0.5 V时,微分电导也随之增大。三壁碳纳米管由于层间耦合作用以及体系增大所带来费米能级附近的电子态增多,三壁管的微分电导要比相同偏压下单壁和双壁管的微分电导大;同时由于相邻管间的快速振动,三壁碳纳米管的微分电导出现较大的震荡。单壁、双壁和三壁碳纳米管的电子输运特性的研究能够为不同片层的纳米管在纳电子器件方面的潜在应用提供可能。
- 赵世奇吴建宝何智强卢良志
- 关键词：碳纳米管电子输运微分电导
- 铜氧化物超导体中竞争序和层间隧道效应的研究
- 由于电子的强关联效应，多序竞争及共存是高温超导体的一个显著特点。同时由于其层状结构，层间Josephson隧道效应也是影响超导转变温度Tc的一个重要因素。本文提出一个有限温的Landau理论来描述多层铜氧面超导体中与超导...
- 吴建宝
- 关键词：赝能隙高温超导体铜氧化物
- 文献传递
- O/N替代掺杂对zigzag型硼氮窄纳米带能带及输运特性的影响
- 2012年
- 用第一性原理非平衡格林函数方法研究了O原子掺杂zigzag型硼氮窄纳米带(z-BNNNRs)的能带结构和电子输运特性.研究结果表明:O原子对N原子的替代掺杂使z-BNNNRs的能带结构出现明显变化,体系由半导体转变为金属;O掺杂明显地改变了z-BNNNRs体系的导电性能,在一定的偏压范围内产生明显的负微分电阻(NDR)现象,边缘掺杂比中间掺杂产生更大的负微分电导,进一步的输运性质计算给出的透射谱也印证了这一点.随着掺杂浓度的增加,负微分电导的极值也随之增大.
- 陈余行张朝民吴建宝林琦
- 关键词：负微分电阻
- 拓扑缺陷对Armchair型小管径多壁碳纳米管输运性质的影响被引量：4
- 2015年
- 采用密度泛函理论和非平衡格林函数方法研究了纯净的及带有不同数目的 Stone-Wale拓扑缺陷下的扶手椅型单壁,双壁和三壁小管径碳纳米管的能带结构和电子输运性质,通过计算并分析不同偏压下的微分电导和非弹性电子隧穿谱(IETS),计算结果表明单壁,双壁和三壁碳纳米管的特征偏压区间分别为[-1.0 V,1.0 V],[-0.5 V,0.5 V]和[-0.25 V,0.25 V],特征偏压区间内SW拓扑缺陷所产生的电导波动平缓,而特征偏压区间外因缺陷的数目变化所带来的电导波动显著,通过IETS谱线的分析得到单壁,双壁和三壁碳纳米管的特征峰偏压分别为±1.25 V,±0.625 V和±0.125 V.碳纳米管的特征偏压区间和IETS特征峰偏压可为较小管径碳纳米管单壁,双壁和多壁类型的区分提供一种新的途径,同时也为小管径多壁碳纳米管的输运性质在出现拓扑缺陷时的响应提供参考依据.
- 赵世奇吴建宝林琦何智强卢良志
- 关键词：拓扑缺陷多壁碳纳米管微分电导
