梅琴
- 作品数：18 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 湿法化学腐蚀研究GaN薄膜中的位错
- 2008年
- 采用湿法化学腐蚀结合扫描电子显微镜、阴极荧光谱仪手段对GaN(0001)/Al2O3中的位错进行了研究。实验以熔融的浓度比为1∶1的KOH-NaOH溶液加入质量分数为10%的MgO,对样品进行腐蚀处理,得出优化腐蚀温度400℃、腐蚀时间2.5min。通过对GaN样品表面及剖面的扫描电子显微镜(SEM)图像和阴极荧光CL谱线图、影像图的分析,获得了GaN薄膜中存在的螺位错、刃位错和混合位错的分布特性及密度,并发现薄膜中的位错自衬底沿生长方向延伸,且随薄膜厚度的增加而密度减少。实验还研究了腐蚀前后GaN光学性质的改变,发现造成影像图中位错被明亮的六角坑包围的原因是应力自衬底沿生长方向逐步释放影像,致使逐层腐蚀后薄膜的CL谱带边发光峰红移,且发光强度增强。
- 赵红韩平梅琴刘斌陆海谢自力张荣郑有炓
- 关键词：氮化镓位错扫描电子显微镜
- AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延被引量：1
- 2009年
- 利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC薄膜的晶体取向单一;室温CL结果表明所得SiC薄膜为4H-SiC,且随着生长温度的升高,SiC薄膜的CL发光效率提高。生长温度、反应气源中C/Si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在AlN/Si(111)复合衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230～1270℃比通常4H-SiC同质外延所需的温度低200～300℃;较为合适的C/Si比值为1.3。
- 吴军王荣华韩平葛瑞萍梅琴俞斐赵红谢自力张荣郑有炓
- 关键词：化学气相淀积
- GaN/Al2O3（0001）上Ge薄膜的CVD外延生长
- ＜正＞由于 GaN 和 Ge 之间带隙宽度相差很大（～2.7eV）,Ge/GaN 异质结可用于宽波段太阳能电池、背照式双色探测器和异质结双极性晶体管（HBT）等器件的研制。在 HBT 器件中,异质结材料较大的带宽差异可以...
- 王荣华韩平曹亮王琦梅琴夏冬梅谢自力陆海陈鹏顾书林张荣郑有炓
- 关键词：GANINNCVD
- 文献传递
- 利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究
- 2009年
- 采用金属有机物化学气相沉积技术在r面蓝宝石衬底上制备了a面GaN薄膜,用熔融的KOH在400℃对样品分别腐蚀1.0,1.5和2.0min.用扫描电镜、原子力显微镜、X射线衍射谱和阴极射线荧光对腐蚀前后的表面形貌进行分析.研究表明,400℃下腐蚀1.5min后出现了长平行四边形的条纹状,这是由于无极化的a面GaN表面极性各向异性,c向与m向上N原子悬挂键密度不同,同时稳定性不同,对OH-离子的吸附能力不同造成的,其中沿c方向易于腐蚀.同时,a面GaN腐蚀后出现了六角突起.我们认为这与穿透位错有关,而其形貌则与GaN薄膜的位错局部极性有关.
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- 关键词：堆垛层错
- GaN的CL发光特性的缺陷特征
- GaN基材料优异的光电性能和稳定的化学特性使其在光电信息领域具有广泛的应用前景。尽管GaN基发光器件已经取得了很大的成功，但器件现有的发光效率还不尽如人意。其中一个重要的原因就是GaN薄膜中存在的高密度缺陷。
本文...
- 梅琴
- 关键词：发光特性
- AIN/Si(111)衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究
- 本工作利用CVD的方法在AIN/Si(111)衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射(Raman Scattering)对所得样品的结构特征...
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- 关键词：异质外延生长CVD法
- 文献传递
- 湿法化学腐蚀研究GaN薄膜中的位错
- 采用湿法化学腐蚀结合扫描电子显微镜、阴极荧光谱仪手段对GaN(0001)/Al_2O_3中的位错进行了研究。实验以熔融的浓度比为1:1的KOH-NaOH溶液加入质量分数为10%的MgO,对样品进行腐蚀处理,得出优化腐蚀温...
- 赵红韩平梅琴刘斌陆海谢自力张荣郑有炓
- 关键词：氮化镓位错扫描电子显微镜
- 文献传递
- Si1-xGex：C合金薄膜的EDS元素深度分析
- 俄歇电子能谱(AES)、x 光电子能谱(XPS)、x 射线能量色散谱(EDS)是目前应用最广泛的显微分析方法。与 AES 和 XPS 相比,EDS 有诸多优点,如测试方便、不损坏试样、分析速度快;但缺点是分辨率和定量分析...
- 梅琴韩平王荣华夏冬梅王琦赵红谢自力修向前顾书林施毅张荣郑有炓
- 文献传递
- 生长参数对Si_(1-x)Ge_x∶C合金薄膜中元素分布的影响
- 2008年
- 用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。本文通过能量色散谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合金薄膜的元素深度分布和表面形貌进行了表征,分析研究了外延层的生长温度、生长时间对Si1-xGex∶C合金薄膜性质的影响。结果表明,Si1-xGex∶C外延层生长温度和生长时间一定范围内的增加加强了岛与岛之间的合并,促进了衬底Si原子向表面扩散、表面Ge原子向衬底扩散,且生长温度比生长时间对Si、Ge原子互扩散的影响大。
- 梅琴韩平王荣华吴军夏冬梅葛瑞萍赵红谢自力修向前张荣郑有炓
- 关键词：扩散化学气相淀积
- AlN/Si(111)衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究
- 2008年
- 利用CVD的方法在Al N/Si(111)衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、喇曼散射(Raman scattering)对所得样品的结构特征、表面形貌等进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC薄膜具有单一的晶体取向;Raman散射谱线初步表明得到的SiC薄膜为4H型态。衬底温度过低,不利于Si、C原子选择合适的格点位置成键,外延薄膜晶体质量不高;衬底温度过高,H2的刻蚀作用和表面原子的解吸附作用增强,不利于SiC的成核生长。C/Si比过小,薄膜表面会形成Si的小液滴;C/Si比过大,薄膜中会产生Si空位形式的微缺陷。因此,研究表明在Al N/Si(111)衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230~1270℃,较为理想的C/Si比值为1.3。
- 吴军王荣华韩平梅琴刘斌谢自力修向前张荣郑有炓
