段静芳
- 作品数：10 被引量：28H指数：3
- 供职机构：山西师范大学更多>>
- 发文基金：教育部高等学校骨干教师资助计划山西省自然科学基金湖北省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- Cr底层中添加Ti对SmCo薄膜磁学性能的影响被引量：1
- 2005年
- 采用直流磁控溅射法制备了SmCo/Cr,SmCo/CrTi 和SmCo/CrTi/Cr 系列薄膜。SmCo 薄膜的XRD 结果表明:在Cr 底层中添加Ti,得到的CrTi,CrTi/Cr 底层也是以(110)面择优取向的,但是和Cr 底层相比,衍射峰的位置由44.39°偏移到44.19°。薄膜的磁学性能由振动样品磁强计(VSM)测定,分析VSM 的测量结果可知,用CrTi 和CrTi/Cr做底层,SmCo 薄膜的矫顽力Hc、矩形比S、矫顽力矩形比S*的值都比Cr 底层的大,并且磁反转体积V*的值比Cr 底层的小。SmCo 薄膜的δM(H)曲线说明,Cr 做底层时,薄膜晶粒间的相互作用为极化作用,CrTi,CrTi/Cr 做底层时,薄膜晶粒间的相互作用为交换耦合相互作用。
- 许小红段静芳武海顺
- 关键词：矫顽力
- TbCo薄膜结构和磁性能的退火研究
- 许小红段静芳王芳李小丽武海顺
- 溅射参数对SmCo/Cr薄膜铬底层晶面取向及磁学性能的影响被引量：6
- 2003年
- 采用直流磁控溅射法制备SmCo Cr薄膜磁记录材料 ,通过改变Cr底层制备过程中的功率、靶基距、溅射压强和溅射时间 ,得到了磁性能不同的SmCo Cr薄膜。利用X射线衍射法对Cr底层晶面取向和磁控溅射参数之间的关系进行了研究 ,结果表明 :如果改变溅射参数 ,使沉积Cr原子获得较大的能量 ,则有利于Cr底层最终以 ( 110 )晶面择优取向。本实验中Cr底层以 ( 110 )晶面择优取向的最佳实验条件为 :溅射功率在 5 0～ 70W左右 ,靶基距为 6cm ,压强为 0 .5Pa ,溅射时间为 15min。利用振动样品磁强计 (VSM )测定SmCo Cr薄膜的磁学性能 ,结果表明 ,如果Cr底层能以 ( 110 )晶面择优取向 ,所得到的SmCo Cr薄膜的磁学性能较好。
- 段静芳许小红武海顺李佐宜
- 关键词：溅射参数矫顽力
- AlN压电薄膜材料研究进展被引量：9
- 2002年
- AlN压电薄膜材料具有许多优异的物理化学性质,本文对该薄膜材料的发展,结构特征,制备方法进行了综述,并对其应用前景进行了展望。
- 许小红武海顺张富强段静芳李佐宜
- 氮化铝薄膜织构的极图法研究被引量：3
- 2003年
- 在X射线衍射结果的基础上,采用极图法研究了AIN薄膜以(DO2)和(100)面的取向分布,发现在一定条件下制备的AIN(002)有很强的织构,并通过极图法来确定X射线衍射所无法确定的AIN(100)面择优取向薄膜中各晶粒c轴间的关系.
- 许小红武海顺马文瑾段静芳李佐宜
- 关键词：氮化铝薄膜极图织构
- Co1_(-x)Pt_x薄膜的结构与磁学性能被引量：3
- 2005年
- 采用直流磁控溅射法制备了Co1_(-x)Pt_x合金薄膜,并详细研究了其结构和磁学性能随x变化的规律。通过XRD结构分析可知:溅射态的薄膜当x≤28%时,为hcp结构;x=35%和40%时,为hcp和fcc的混合结构;x≥46%以后,为fcc结构。VSM测试结果表明:随x的增大,溅射态薄膜的矫顽力先增大后减小,当x=23%时,矫顽力达到最大值2147×79.6A/m,在x=46%处矫顽力急剧下降至100×79.6A/m左右,x>46%以后,矫顽力随x的增大不再明显变化。退火后,hcp结构的薄膜矫顽力基本不变,而接近等原子比的fcc结构的CoPt薄膜,由于部分转变为fct结构,矫顽力有很大提高;fcc结构的CoPt3薄膜矫顽力有所增大,但是增大不多。
- 许小红段静芳杨治广武海顺
- 关键词：COPT矫顽力磁学性能
- SmCo/Cr薄膜中Cr底层最佳溅射条件的正交设计研究被引量：1
- 2004年
- 在SmCo/Cr薄膜中,Cr底层的取向结构对薄膜的磁学性能有很大的影响。设计了4因素3水平的正交实验L9(34),并通过数理统计的方法分析了Cr底层的溅射参数对SmCo/Cr薄膜矫顽力的影响。用较少的实验得到Cr底层的最佳实验条件:靶基距为4cm,功率为50W,溅射气压为0.5Pa,溅射时间为9min。并发现了靶基距、功率和溅射气压对薄膜矫顽力的影响较大,其中靶基距是薄膜矫顽力最主要的控制因素。而溅射时间在所取的水平上对薄膜矫顽力的影响最小。本实验设计可达到95%的置信度。
- 许小红段静芳王芳武海顺李震李佐宜
- 关键词：矫顽力溅射参数
- Cr底层晶面取向及其对SmCo/Cr薄膜磁学性能的影响
- SmCo/Cr薄膜是一种很具开发潜力的高密度磁记录介质,其中Cr底层对SmCo薄膜磁学性能有很大影响.本文研究了磁控溅射参数对Cr底层晶面取向的影响,得到了Cr底层以(110)晶面择优取向的最佳实验条件,发现若沉积原子可...
- 段静芳许小红华中科技大学武海顺李佐宜
- 关键词：溅射参数矫顽力
- 文献传递
- TbCo薄膜结构和磁性能的退火研究
- 稀土过滤金属TbCo非晶薄膜为垂直膜,是第一代磁光记录材料。因而很少有人关注TbCo薄膜的结晶状态及其潜在的应用前景。本文研究了真空退火对TbCo薄膜结构和磁性能的影响。结果表明:薄膜从溅射态的非晶薄膜转化为退火态的微晶...
- 许小红段静芳王芳李小丽武海顺
- 关键词：退火磁性能
- 退火对TbCo薄膜结构和磁性能的影响(英文)被引量：5
- 2003年
- 研究了真空退火对TbCo薄膜结构和磁性能的影响。结果表明:薄膜从溅射态的非晶薄膜转化为退火态的微晶薄膜,并以(100)面择优取向,其c轴平行于基片。在真空退火不改变TbCo薄膜的成分的条件下,发现TbCo薄膜从溅射态的垂直磁化膜转化为退火态的面内膜。
- 许小红李佐宜段静芳晋芳黄致新林更其
- 关键词：退火磁性能
