王晓伟
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- ZnO纳米线PL光谱性质改善的研究
- 2012年
- 采用CVD方法在管式炉中生长了ZnO纳米线,并通过SEM、TEM和PL光谱仪表征了其形貌、结构及光谱性质。利用Au表面等离激元共振与材料的相互作用,在ZnO纳米线表面镀上Au膜,发现其对ZnO纳米线的PL光谱有明显的改善,纳米线本征发光增强20倍左右,缺陷发光有显著的减弱。通过高温退火,结果显示ZnO纳米线的本征发光和缺陷发光之间存在很强的竞争,在入射光功率一定的条件下,高温退火后ZnO纳米线的本征发光明显地减弱,缺陷发光显著地增强。对退火后的ZnO纳米线镀上Au膜,发现其本征发光增强了30倍左右。这些结果比现有的报道有显著提高。
- 王晓伟孙杨慧王伟朱瑞朱新利侯玉敏
- 关键词：ZNO纳米线退火
