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罗捷: 作品数：14 被引量：6H指数：1; 供职机构：中国科学院近代物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金更多>>; 相关领域：理学自动化与计算机技术核科学技术航空宇航科学技术更多>>

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一种用于材料辐照的快速换样系统: 本发明涉及一种用于材料辐照的快速换样系统，该系统包括系统架台、三级差分抽快速换样机构、插排盒驱动机构、真空腔室、送样机构和可编程逻辑控制器PLC控制箱。系统架台的下部固定有三级差分抽快速换样机构，中部设有插排盒驱动机构，...; 孙友梅刘杰段敬来姚会军莫丹罗捷刘建德翟鹏飞曹殿亮侯明东

一种用于线路板测试的主副室结构靶室系统及其使用方法: 本发明公开了一种用于线路板测试的主副室结构靶室系统及其使用方法，包括：系统架台；主靶室，固定在系统架台上，所述主靶室内具有满足线路板测试时所需的真空度，所述主靶室的下底板上设置四维定位台，所述四维定位台上设置有线路板接收...; 刘杰孙友梅段敬来姚会军莫丹罗捷翟鹏飞刘建德曹殿亮曾健; 文献传递

PPAC在单粒子效应地面模拟实验中对束流均匀度测量的应用被引量：1: 2014年; 单粒子效应(SEE)加速器地面模拟需要离子束具有较好的均匀度,针对回旋加速器单粒子效应模拟的束流特点,建立了一套以位置灵敏平行板雪崩探测器(Parallel Plate Avalanche Counter,PPAC)为基础的均匀度探测系统并完成了带束测试,对它的结构、工作原理、均匀度获得方法及带束测试结果进行描述。为验证PPAC测量结果准确性,在带束测试过程中,前方同时放置PET膜测量穿过PPAC探测器的粒子分布,与离子径迹测量结果对比,给出PPAC的均匀度的测量误差在5%之内。探测器具有50 mm×50 mm的灵敏面积和小于1 mm的位置分辨,符合单粒子效应实验对束流均匀度测量的要求。; 蒋冬舜孙友梅马朋段敬来刘杰耿超侯明东姚会军罗捷; 关键词：单粒子效应固体径迹探测器

一种用于材料辐照的快速换样系统及使用方法: 本发明涉及一种用于材料辐照的快速换样系统，该系统包括系统架台、三级差分抽快速换样机构、插排盒驱动机构、真空腔室、送样机构和可编程逻辑控制器PLC控制箱。系统架台的下部固定有三级差分抽快速换样机构，中部设有插排盒驱动机构，...; 孙友梅刘杰段敬来姚会军莫丹罗捷刘建德翟鹏飞曹殿亮侯明东; 文献传递

深亚微米SRAM质子单粒子翻转实验研究被引量：1: 2015年; 宇航半导体器件运行在一个复杂的空间辐射环境中,质子是空间辐射环境中粒子的重要组成部分,因而质子在半导体器件中导致的辐射效应一直受到国内外的关注。利用兰州重离子加速器(Heavy Ion Research Facility In Lanzhou)加速出的H2分子打靶产生能量为10 Me V的质子,研究了特征尺寸为0.5/0.35/0.15μm体硅和绝缘体上硅(SOI)工艺静态随机存储器(SRAM)的质子单粒子翻转敏感性,这也是首次在该装置上开展的质子单粒子翻转实验研究。实验结果表明特征尺寸为亚微米的SOI工艺SRAM器件对质子单粒子翻转不敏感,但随着器件特征尺寸的减小和工作电压的降低,SOI工艺SRAM器件对质子单粒子翻转越来越敏感;特征尺寸为深亚微米的体硅工艺SRAM器件单粒子翻转截面随入射质子能量变化明显,存在发生翻转的质子能量阈值,CR`EME-MC模拟结果表明质子在深亚微米的体硅工艺SRAM器件中通过质子核反应导致单粒子翻转。; 古松刘杰刘天奇张战刚姚会军段敬来苏弘侯明东罗捷耿超习凯叶兵王斌; 关键词：质子单粒子翻转核反应

25MeV/u Kr辐照下PET薄膜的损伤机制研究被引量：1: 2010年; 通过25MeV/u86Kr离子辐照叠层结晶聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET),在不同的电子能损(3.407.25keV/nm)和离子注量(5×10113×1012ions/cm2)辐照条件下,对Kr离子在PET中引起的辐照损伤效应进行了研究。借助傅里叶变换红外光谱分析,通过对样品的红外吸收峰进行扣除基底后的Lorentz拟合,分析了与主要官能团对应的吸收峰强度的变化趋势,研究了化学结构与组分在重离子辐照下的变化规律;利用X射线衍射光谱仪测量,研究了Kr离子在PET潜径迹中引起的非晶化过程,并通过对吸光度和非晶化强度随离子注量的指数衰减规律的分析,获得了不同电子能损离子辐照PET时主要官能团的损伤截面和非晶化截面及对应的潜径迹半径。; 彭书赋孙友梅罗捷常海龙刘杰侯明东段敬来姚会军莫丹张苓尹经敏陈艳峰翟鹏飞曹殿亮; 关键词：快重离子辐照辐照损伤

快重离子辐照金红石型TiO_2的肿胀效应及化学蚀刻行为研究被引量：1: 2011年; 二氧化钛(Titatium Dioxide,简称TiO2)晶体在中能重离子辐照时表面会出现肿胀效应,肿胀高度与入射离子的电子能损和辐照注量有关。辐照后的TiO2在一定条件下能够被氢氟酸溶液化学蚀刻,化学蚀刻的电子能损阈值为8.2 keV/nm,未辐照TiO2呈现几乎零蚀刻率。要达到饱和蚀刻深度,辐照离子的注量必须大于或等于1×1013ions/cm2。采用离子辐照的潜径迹理论分析研究了辐照损伤及对化学蚀刻的影响,快重离子辐照结合化学蚀刻是制备TiO2微结构的有效方法。; 罗捷孙友梅侯明东段敬来常海龙刘杰; 关键词：TIO2 辐照肿胀电子能损

重离子在14-nm FinFET SRAM器件引起的单粒子翻转: 2021年; 通过重离子实验研究了14-nm FinFET工艺静态随机存取存储器(SRAM)的单粒子翻转(SEU)特性。通过使用Weibull函数拟合SEU截面获得该器件的线性能量转移(LET)阈值:0.1 MeV/(mg/cm^(2))。对多位翻转(MBU)贡献的统计结果表明,当LET等于40.3 MeV/(mg/cm^(2))时,MBU的占比超过95%。此外,FinFET SRAM的SEU截面呈现出与Fin相关的入射角度的各向异性。该研究对基于FinFET工艺的抗辐射CMOS集成电路(IC)的设计具有一定的指导作用。; 莫莉华叶兵刘杰刘杰童腾孙友梅罗捷; 关键词：重离子单粒子翻转

总剂量和重离子协同作用下浮栅单元错误的退火特性研究被引量：1: 2019年; 针对25 nm商用Flash存储器,利用中国科学院新疆理化技术研究所的60Coγ射线源和兰州重离子加速器先后进行了总剂量效应和单粒子效应实验。实验中器件先辐照30 krad(Si)的γ射线,然后再辐照不同线性能量转移(Linear Energy Transfer,LET)的重离子,得到了不同条件下Flash存储器浮栅单元错误的退火特性。实验结果表明与只进行重离子辐照相比,总剂量和重离子协同作用下器件浮栅单元错误消失的比例会发生变化,且在不同LET离子的辐照下表现出相异的趋势。分析认为辐照总剂量会引起浮栅单元电荷丢失和电荷俘获,影响浮栅单元的错误退火特性。; 殷亚楠刘杰姬庆刚赵培雄刘天奇叶兵叶兵孙友梅罗捷; 关键词：FLASH存储器重离子 Γ射线退火

元器件单粒子效应的地面模拟研究: 随着器件特征尺寸的减小,单粒子效应的影响变得越来越严重,威胁航天器在轨安全。本工作介绍了兰州重离子加速器（HIRFL）上开展单粒子效应地面模拟的实验和理论研究。在HIRFL加速器上建立了专用的单粒子效应实验终端,为宇航器...; 刘杰张战刚耿超侯明东段敬来孙友梅姚会军莫丹罗捷翟鹏飞曾健刘建德古松习凯; 文献传递

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