胡宝宏
- 作品数：4 被引量：23H指数：2
- 供职机构：香港科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 多晶3C-SiC薄层的淀积生长及结构性能分析被引量：2
- 1998年
- 采用ＨＦＣＶＤ生长法，以较低生长温度，在Ｓｉ（１１１）衬底上淀积３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）薄层。用ＸＲＤ、ＶＡＳＥ、ＸＰＳ等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能。ＸＲＤ显示薄层具有明显的择优取向特征。ＶＡＳＥ测量出薄层的折射率为２．６８６，光学常数随深度的变化曲线反映出薄层的多层结构。ＸＰＳ深度剖面曲线表明薄层中Ｓｉ／Ｃ原子比符合ＳｉＣ的理想化学计量比，其能谱证明Ｃ１ｓ与Ｓｉ２ｐ成键形成具有闪锌矿结构的３Ｃ－ＳｉＣ。
- 雷天民胡宝宏王建农王建农陈治明马剑平
- 关键词：碳化硅薄层淀积HFCVD
- Si衬底上外延3C-SiC薄层结构及光学常数分析被引量：1
- 1999年
- 采用热丝化学气相淀积生长法，在Ｓｉ衬底上外延生长３Ｃ－ＳｉＣ薄层获得成功．生成源为ＣＨ４＋ＳｉＨ４＋Ｈ２混合气体，热丝温度约为１８００～２０００℃，碳化和生长时衬底温度低于１０００℃．用Ｘ射线衍射，变角椭偏法等分析手段研究了外延层的晶体结构和光学常数．Ｘ射线衍射结果显示出３Ｃ－ＳｉＣ薄层的外延生长特征，变角椭偏法测量出外延层的折射率为２．６８６。
- 雷天民陈治明陈治明余明斌马剑平王建农
- 关键词：碳化硅薄层光学常数
- 3C-SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光被引量：2
- 2001年
- 采用 HFCVD技术 ,通过两步 CVD生长法 ,以 CH4 +Si H4 +H2 混合气体为生长源气 ,在 Si衬底上生长 3 C-Si C晶体薄膜。对所制备的样品薄膜在氮气气氛中分别采取了快速退火和慢速退火处理 ,并对退火前后的样品进行了光荧光 ( PL)分析。结果显示 ,未经退火处理的样品其 PL谱为一覆盖整个可见光区域的展宽发光谱线 ,主峰位置在 52 0 nm附近 ;经快速退火处理后样品的 PL谱在 450 nm位置附近出现了又一较强峰 ,再经慢速退火处理后此峰基本消失 ,但室温 PL峰发生红移。比较结果说明快速退火处理极易给 3 C-Si C晶体薄膜造成应力损伤。
- 雷天民陈治明马剑平王建农胡宝宏
- 关键词：退火光荧光半导体薄膜
- Si衬底上外延3C-SiC薄层的XPS分析被引量：18
- 2000年
- 采用 HFCVD技术 ,通过两步 CVD生长法 ,以较低生长温度 ,在 Si( 1 1 1 )和 Si( 1 0 0 )衬底上同时外延生长 3C- Si C获得成功 .生长源气为 CH4 + Si H4 + H2 混合气体 ,热丝温度约为2 0 0 0℃ ,碳化和生长时基座温度分别为 950℃和 92 0℃ ,用 X射线衍射 ( XRD)和 X射线光电子能谱 ( XPS)等分析手段研究了外延层的晶体结构、组分及化学键能随深度的变化 .XRD结果显示出 3C- Si C薄层的外延生长特征 ,XPS深度剖面图谱表明薄层中的组分主要为 Si和 C,且 Si/C原子比符合 Si C的理想化学计量比 ,其三维能谱曲线进一步证明了外延层中 Si2 p和与 Cls成键形成具有闪锌矿结构的 3C- Si
- 雷天民陈治明余明斌马剑平胡宝宏王建农
- 关键词：XPS分析碳化硅硅衬底
