葛维琨
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：香港科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 纳米碳管光荧光的实验与理论研究
- 我们在多层纳米碳管样品光荧光实验中观察到很强的黄色荧光,发光强度表现出很强的的对激发强度的非线性依赖关系。发光的特征表明发光源于纳米碳管本征的电子性质。与这促使我们对纳米碳管的电子结构及光跃迁作进一步的研究并发现了正确的...
- 韩和相李国华葛维琨谢思深王炳燊苏肇冰
- 文献传递
- AlInGaN材料的生长及其光学性质的研究被引量：2
- 2003年
- 研究AlInGaN材料的生长特性及其光学性质 .通过对不同生长温度生长的三个AlInGaN样品的测量 ,发现In的掺入量随着生长温度的降低而增加 ,而Al的掺入几乎没什么变化 ;在较低温度下生长的材料具有较好的材料质量与光学特性 ,其原因直接与In组分的掺入有关 ,In组分的掺入可以减少材料的缺陷 ,改善材料的质量 .同时 ,用时间分辨光谱研究了AlInGaN材料的发光机理 ,发现其发光强度随时间变化 (荧光衰退寿命 )不是指数衰减 ,而是一种伸展的指数衰减 .通过对这种伸展的指数衰减特性的研究 ,发现AlInGaN发光来自于局域激子的复合 ,且这种局域化中心呈现量子点的特性 ,延伸指数衰减行为是由不同局域态之间的局域激子的跳跃 (hopping)造成的 .此外 ,进一步研究了荧光衰退寿命随发光能量的变化关系和发光的辐射复合和非辐射复合特性 。
- 黄劲松董逊刘祥林徐仲英葛维琨
- 关键词：ALINGAN势垒生长温度时间分辨光谱
- GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究被引量：1
- 2001年
- 用光荧光谱 (PL )研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱 (SQW)的光跃迁性质和带阶 .通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系 ,发现 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中的发光是本征带 -带跃迁 ,并且低温发光是局域激子发光 .通过自洽计算发现它的导带带阶 (ΔEc)与氮含量的关系不是纯粹的线性关系 ,其平均变化速率 (0 .110 e V / N% )比文献中报道的要慢得多 (0 .15 6～ 0 .175 e V / N% ) ,此外发现 Qc(=ΔEc/Δ Eg)随氮含量的变化很小 ,可以用 Qc≈ x0 .2 5 来表示 .还研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中氮含量的变化对能带弯曲参数 (b)
- 罗向东徐仲英潘钟李联合林耀望葛维琨
- 关键词：光荧光谱光跃迁单量子阱GAAS发光性质
