徐仲英
- 作品数：60 被引量：51H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家攀登计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- GaNAs和GaAsSb半导体的光学性质研究(英文)
- 2005年
- 首次利用材料在超短脉冲激发下的瞬间高载流子密度特性研究了GaNxAs1-x/GaAs量子阱的光学特性.研究首次发现在高于量子阱的Mott迁移边(局域发光的高能端)存在一个非局域特性的新的发光峰.该峰具有与局域发光完全不同的光学性质.通过研究材料的不同温度和激发强度下的发光行为证实该新的发光峰是量子阱的本征能级发光.这一结果为目前人们在Ga(In)NAs材料体系中是否存在Ga(In)NAs合金态或者N是以杂质带的形式存在的争论提供了重要证据.在Ga(In)NAs以及InGaN等材料体系中都观察到PL发光峰随温度升高先红移,然后蓝移,再红移的所谓的“S”形变化.它的来源一直令人们疑惑不解.我们直接证明GaNxAs1-x材料中发光峰的“S”形变化是由于材料中的低能端的局域态随温度的淬灭以及相邻的局域态与非局域态之间在温度的作用下相互竞争的结果.这一结果为能量随温度的“S”形变化提供了最直接的实验证据.通过光荧光谱,时间分辨光谱研究了低N含量的GaNxAs1-x光学性质.首次发现在低N含量的GaNxAs1-x材料(N%<1%)中,在N的杂质态的高能端(低于GaAs带边)存在一个新的,其光学性质与N的杂质态完全不同的发光峰.实验证明该峰是GaNxAs1-x材料的合金态.这一结果说明在GaNxAs1-x中即便在N含量<0.1%时就已经形成了GaNxAs1-x的合金态.这个结果的重要意义在于它直接证明N在GaAs中能够形成GaNxAs1-x合金,而不是仅仅以N的杂质态存在.这为目前人们所争论的N在GaAs所起的作用,GaNxAs1-x光跃迁的来源,以及Ga(In)NAs的基本能带结构提供了直接的实验证据.最后利用选择激发在GaAs1-xSbx/GaAs量子阱中实验上第一次同时观察到空间直接(Type-I)跃迁和间接跃迁(Type-II).时间分辨荧光寿命谱进一步直接论证了GaAs1-xSbx/GaAs能带排列的Type-II特性.
- 罗向东徐仲英
- 关键词：GAASSB光学性质
- 半导体和半导体纳米结构中的超快光学过程研究
- 徐仲英
- 摘要：半导体中的超快光学过程研究涉及半导体中载流子激发、弛豫、输运和复合等许多基本物理过程，这项研究不仅对凝聚态物理基础研究学科发展有重要意义，而且将推动固态电子、光电子和量子器件的发展和应用。该项目采用超快激光光谱实验...
- 关键词：
- 关键词：半导体纳米结构凝聚态物理量子动力学
- 快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响被引量：1
- 2002年
- 研究分子束外延 (MBE)生长的应变In0 .2 Ga0 .8As GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理 (RTA)效应 .结果表明 ,RTA移除了InGaAs GaAs界面非辐射中心 ,提高 77K光致发光效率和有源层电子发射 .同时Al和Ga原子互扩散 ,也增加了AlGaAs波导层DX中心浓度 .RTA处理后样品电流冲击老化实验证明DX中心浓度呈现出相应的增加 .这表明DX中心可能是激光二极管性能退化的原因之一 .
- 卢励吾张砚华徐遵图徐仲英王占国J.WangWeikunGe
- 关键词：电子发射DX中心激光二极管RTAINGAAS/GAAS砷化镓
- 立方相InGaN的时间分辨光谱研究
- Ga是制备NGaN基蓝绿光发光、激光器件的重要材料。研究人员用时间分辨光谱和稳态光荧光研究了其发光特性和复合发光寿命。
- 徐仲英刘宝利李建斌杨辉郑宝真葛惟昆
- 关键词：INGAN时间分辨光谱
- 自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究被引量：3
- 1997年
- 报道了自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ岛状结构生长停顿的研究结果．在完成ＩｎＡｓ岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积ＧａＡｓ盖层，将导致ＩｎＡｓ岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱．透射电子显微镜分析表明在这种结构中出现了失配位错，在其附近应变得到部分弛豫，成为ＩｎＡｓ材料的俘获陷阱．随着停顿时间加长，ＩｎＡｓ岛密度降低，尺寸变小，光致发光谱发生相应变化．
- 王志明吕振东封松林杨小平陈宗圭徐仲英郑厚植王凤莲韩培德段晓峰
- 关键词：量子点自组织
- 低N含量GaNAs新型光电子材料中E+能级的奇特光学性质研究
- 近十多年来,由于可与高度发展的 GaAs 基微电子器件进行良好的单片集成以及其独特的光电特性和在光纤通讯以及太阳能电池等领域的巨大应用前景,掺氮的Ⅲ-Ⅴ族 Ga(In)NAs 材料受到了全世界的重视。由于 N 的掺入,G...
- 谭平恒徐仲英罗向东葛惟昆Y.ZhangA.MascarenhasH.P.XinC.W.Tu
- 文献传递
- 双量子阱结构中电子共振隧穿的相干模型
- 1994年
- 提出了一种新的计算双量子阱结构中电子共振隧穿时间的相干模型,理论计算与报道的实验结果基本一致.进一步的讨论表明,在有电子散射的情况下,随着势垒厚度的增加,对比度存在极大值,而与类Fabry-Perot模型的单调增加趋势明显不同.
- 金世荣罗晋生徐仲英
- 关键词：共振隧穿双量子阱PL
- 低维铟镓砷锑结构调控及其光子器件
- 牛智川潘钟游建强徐仲英赵建华
- 铟镓砷锑半导体是信息光子器件研究领域的核心体系。随着高速大容量、量子信息技术的迅速发展，开发利用更宽频谱的信息功能、探索实用化量子信息光子器件成为重大方向。该项目基于低维铟镓砷锑结构的载流子量子束缚机理，围绕衬底与外延结...
- 关键词：
- GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究被引量：8
- 2003年
- 用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb GaAs单量子阱的光学性质 ,第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类 )和间接 (Ⅱ类 )跃迁 .它们表现出不同的特性 :Ⅰ类跃迁具有局域化特性 ,其发光能量不随激发光能量而变 ;Ⅱ类发光的能量位置随激发功率的增大而蓝移 ,也随激发光能量的增加而蓝移 ,复合发光发生在位于异质结GaAs一侧的电子和GaAsSb中的空穴之间 ,实验结果可以很好地用电荷分离造成的能带弯曲模型来解释 ,这也是空间间接跃迁的典型特性 .还用光荧光的激发强度关系和时间分辨光谱进一步论证了GaAsSb GaAs能带排列的Ⅱ类特性 ,并通过简单计算得到了应变和非应变状态下GaAsSb GaAs异质结的带阶系数 .
- 罗向东边历峰徐仲英罗海林王玉琦王建农葛惟琨
- 关键词：单量子阱砷化镓分子束外延生长
- InGaAs/GaAs量子链的光学特性研究被引量：1
- 2008年
- 研究了InGaAs/GaAs量子链的稳态和瞬态光谱特性,特别是载流子的动力学过程.实验发现荧光寿命有很强的探测能量依赖关系,荧光寿命随发光能量的增加而减小;实验还发现,当激发功率较小时,荧光寿命随激发功率增大而增大,当激发功率足够大时,荧光寿命趋于饱和.这些结果清楚地表明,在量子链结构中,参与发光的载流子之间存在明显的耦合和输运现象,进一步分析表明,这种输运主要是由于载流子沿量子链方向的耦合造成的.发光的偏振特性研究进一步证实了载流子沿量子链方向输运过程.
- 王宝瑞孙征徐仲英孙宝权姬扬Z. M. WangG.J. Salamo
- 关键词：INGAAS/GAAS量子点量子链光学特性载流子
