许继宗
- 作品数：19 被引量：11H指数：1
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- 合金无序和界面不平整对InGaAs/GaAs应变量子阱光谱展宽的影响
- 1990年
- 用光荧光和光吸收的实验方法研究了InGaAs/GaAs应变量子阱低温下的光谱展宽机理。实验观察到激子谱线半宽随着InGaAs层厚度和In的组分增加而增大。采用有效晶体近似的方法分析了实验数据,发现样品中合金组合无序引起的激子谱线展宽是主要的光谱展宽机理。实验中还发现与轻空穴有关的吸收光谱结构在升温过程中由吸收峰变为台阶状的谱结构。该现象可用与轻空穴有关的吸收为空间间接跃过来解释。
- 徐强徐仲英郑宝真许继宗
- 关键词：INGAAS/GAAS光谱特性
- GaAs/AlGaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构中的光增益谱分析
- 1990年
- 对不同阱宽的梯度折射率分别限制单量子阱激光器进行了TE、TM模的光增益谱测量对于阱宽大于120A的激光器,发射光谱和光增益谱都出现双峰,分别是由n=1和n=2的子带跃迁所造成,激光振荡出现在n=2的子带跃迁。随着阱宽减小,n=1子带跃迁的饱和增益增加,使激光振荡能在n=1子带发生,而n=2子带的受激就需要比原来更大的注入才有可能。材料增益随阱宽减小呈超线性地增加,从而降低了n=1子带受激的最小腔长。因此,用较窄的量子阱(≤100A),高的端面反射率和尽可能短的腔长,就能得到很低的阈电流。TE和TM模增益谱的不同,使激光器在一定阱宽和腔损耗下具有不同的TE和TM激射波长。
- 郑宝真许继宗王丽明徐仲英朱龙德
- 关键词：GAAS/ALGAAS梯度折射率
- MBE高掺Be p-GaAs中E_g+△_0等高于带边的发光
- 1989年
- 我们在MBE高掺Be的GaAs中观察到了E_g+△_0和X_1~c-Γ_(15)~v之间之间跃迁的发光,讨论了高掺杂p-GaAs的E_g+△_0与本征GaAs的差别,在10-200K温度范围研究了E_g+△_0的温度依赖关系,并对X_1~c-Γ_(15)~v这一间接跃迁过程进行了讨论.
- 胡天斗许继宗梁基本庄蔚华
- 关键词：光致发光掺杂GAAS
- GaAs／AlAs波纹超晶格中的激子局域化研究
- 1995年
- 本文首次报道（３１１）面上生长的ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ波纹超晶格中的激子局域化效应．在这种结构中，波纹异质结界面的缺陷，包括周期微扰和表面不平整将引入较深的激子束缚能级，因此低温下其发光能量相对于（１００）样品发生明显的红移．在Ⅱ类超晶格中，局域化能级成为Ｘ能谷电子向能谷输运的通道，从而加强了Ｘ－电子态混合，使实验观察到的Ｘ跃迁表现出跃迁的某些性质．
- 袁之良徐仲英许继宗郑宝真江德生张鹏华杨小平
- 关键词：砷化镓砷化铝超晶格
- 注入Ga离子的GaAs／AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究
- 1996年
- 用注入Ｇａ离子ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱在快速热退火中大大加快了异质结界面的互扩散，表现在ＰＬ光谱中量子阱峰值能量有３０～９０ｍｅＶ的兰移．发现兰移大小同注入损伤程度、退火的温度及时间有关。
- 郑宝真赛纳许继宗张鹏华杨小平徐仲英
- 关键词：光荧光砷化镓
- InGaAs／GaAs应变量子阱中的激子发光动力学被引量：1
- 1995年
- 本文详细测量并分析了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱中的激子发光衰退特性，研究了激子发光寿命与Ｉｎ组分和阱宽的关系．发现Ｉｎ组分增大时，激子寿命变短，而发光寿命与阶宽的关系不大．文章分析了影响发光寿命的诸多因素，指出在ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱中，由合金无序造成的散射对激子发光寿命有重要的影响．
- 徐仲英罗昌平金世荣许继宗郑宝真
- 关键词：砷化镓动力学
- MBECdTe／GaAs光致发光研究
- 1995年
- 在１０Ｋ低温下对分子束外延（ＭＢＥ）生长的ＣｄＴｅ（１１１）Ｂ／ＧａＡｓ（１００）／ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ／ＧａＡｓ（２１１）Ｂ外延膜进行了光致发光（ＰＬ）测量，得到了ＰＬ谱和带边激子辐射的精细结构．计算得到束缚激子的半峰宽（ＦＷＨＭ）分别为０．２～０．ｓｍｅＶ和１～２ｍｅＶ．实验结果表明外廷膜的质量和生长工艺均良好．
- 陈世达林立何先忠许继宗罗昌平徐仲英
- 关键词：分子束外延光致发光碲化镉
- 多量子阱结构中热载流子弛豫过程中的非平衡声子效应被引量：1
- 1989年
- 在多量子阱结构中的热载流子弛豫过程中考虑非平衡声子的存在,在求解载流子能量损失率方程中同时计入声子的发射和吸收,并联立解出非平衡声子的波耳兹曼方程,从而证明,在稳态和准平衡态条件下,由载流子能量损失率方程解出的弛豫时间τ_(avg),实际上是电子-声子散射时间常数与非平衡声子寿命之和,而不是以往所认为的仅为电子-声子散射时间常数。
- 李玉璋徐仲英葛惟锟许继宗郑宝贞庄蔚华
- 关键词：量子阱结构热载流子
- GaAs／AlGaAs和InGaAs／GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系
- 1996年
- 研究了具有不同阱宽的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系，发现在低温范围内，声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加。
- 金世荣褚君浩汤定元罗晋生徐仲英罗昌平袁之良许继宗郑宝真
- 关键词：半导体
- InAs/GaAs低维结构中载流子的快速俘获和弛豫
- 用飞秒时间分辨激发--探测技术研究了InAs/GaAs异质结构中的非平衡载流子的快速俘获和弛豫过程。
- 李晴许继宗徐仲英葛惟尼
- 关键词：载流子弛豫
