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袁之良

作品数：8 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 6篇理学

主题

  • 4篇砷化镓
  • 3篇激子
  • 3篇INGAAS...
  • 2篇子线
  • 2篇量子
  • 2篇量子线
  • 2篇晶格
  • 2篇光谱
  • 2篇半导体
  • 2篇GAAS/A...
  • 2篇超晶格
  • 1篇导体
  • 1篇低维结构
  • 1篇荧光谱
  • 1篇砷化铝
  • 1篇砷化铟
  • 1篇子带
  • 1篇自组织生长
  • 1篇铟镓砷
  • 1篇温度

机构

  • 8篇中国科学院
  • 1篇国家光电子工...

作者

  • 8篇袁之良
  • 7篇徐仲英
  • 5篇许继宗
  • 5篇郑宝真
  • 2篇牛智川
  • 2篇金世荣
  • 2篇杨小平
  • 2篇周增圻
  • 2篇罗昌平
  • 2篇吕振东
  • 2篇褚君浩
  • 1篇胡雄伟
  • 1篇周均铭
  • 1篇陈弘
  • 1篇汤定元
  • 1篇王守武
  • 1篇罗晋生
  • 1篇江德生
  • 1篇林耀望
  • 1篇张益

传媒

  • 3篇Journa...
  • 3篇红外与毫米波...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 2篇1996
  • 3篇1995
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究被引量：1
1997年
提出了新型ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变脊形量子线结构．这种应变脊形量子线结合了非平面应变外延层中沿不同晶向能带带隙的变化、非平面生长应变层Ｉｎ组分的变化，以及非平面外延层厚度的变化等三方面共同形成的横向量子限制效应的综合作用．在非平面ＧａＡｓ衬底上用分子束外延生长了侧面取向为（１１３）的脊形ＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＡｓ应变量子线．用１０Ｋ光致荧光谱测试了其发光性质．用ＫｒｏｎｉｇＰｅｎｎｅｙ模型近似计算了这种应变脊形结构所具有的横向量子限制效应，发现其光致荧光谱峰位的测试结果，与计算结果相比，有１０ｍｅＶ的“蓝移”．认为这一跃迁能量的“蓝移”
牛智川周增圻林耀望李新峰张益胡雄伟吕振东袁之良徐仲英
关键词：量子线分子束外延INGAAS砷化镓
GaAs／AlAs波纹超晶格中的激子局域化研究
1995年
本文首次报道（３１１）面上生长的ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ波纹超晶格中的激子局域化效应．在这种结构中，波纹异质结界面的缺陷，包括周期微扰和表面不平整将引入较深的激子束缚能级，因此低温下其发光能量相对于（１００）样品发生明显的红移．在Ⅱ类超晶格中，局域化能级成为Ｘ能谷电子向能谷输运的通道，从而加强了Ｘ－电子态混合，使实验观察到的Ｘ跃迁表现出跃迁的某些性质．
袁之良徐仲英许继宗郑宝真江德生张鹏华杨小平
关键词：砷化镓砷化铝超晶格
GaAs／AlGaAs窄量子阱中激子二维特性的退化
1995年
用光荧光（ＰＬ）和时间分辨光谱（ＴＲＰＬ）技术研究了ＧａＡＳ／ＡＩＧａＡＳ量子阱结构中荧光上升时间τｆ和激子谱线半宽（ＦＷＨＭ）随阱宽的变化关系，发现在窄阱中，τｆ，随阱宽的变化关系与宽阱时的情况恰恰相反，在窄阱中τｆ随着阱宽的减小而增加，归结为激子二维特性的退化导致声学声子对激子的散射作用减弱造成的．同时观测到窄阱中谱线半宽随着阱宽减小而增加，这也是因为激子特性由维二维向三维转化造成的．
袁之良许继宗郑宝真徐仲英
关键词：荧光谱砷化镓激子
InGaAs／GaAs和InGaAs／AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程
1995年
利用时间分辨光谱技术，在１１～９０Ｋ温度范围研究了不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓ应变层量子阱子带弛豫过程，讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用．
金世荣罗晋生褚君浩徐仲英袁之良罗昌平许继宗郑宝真
关键词：铟镓砷激子
半导体低维结构中激子局域化的光学研究
激子局域化是半导体超晶格量子阱中的一个普遍现象.一方面是晶体生长方向上,由于引入大的势场调制,使得激子在阱层材料中发生强局域化效应;另一方面,由于外延生长技术的不完善,异质结界面存在着起伏,这在低温下可以成为激子的局域化...
袁之良
关键词：半导体超晶格
自组织生长InAs量子点发光的温度特性被引量：1
1996年
本文报道ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ自组织生长量子点结构中发光的温度特性．在１２～１５０Ｋ温度范围内，实验测得的ＩｎＡｓ激子发光能量随温度增加明显红移，其红移速率远大于ＩｎＡｓ带隙的温度关系，而光谱宽度则明显减小．这些结果表明ＩｎＡｓ量子点结构是一种强耦合系统，局域在ＩｎＡｓ量子点中的载流子波函数会相互交途、相互贯穿，从而增强了载流子的弛豫过程．
吕振东杨小平袁之良徐仲英郑宝真许继宗陈弘黄绮周均铭王建农王玉琦葛惟昆
关键词：自组织生长砷化铟温度特性
GaAs脊形量子线发光性质的光致发光谱研究
1998年
本文报道了用ＭＢＥ非平面生长方法制备的ＧａＡｓ脊形量子线发光性特实验研究．低温、微区、变温和极化光致发光谱等的测试分析表明：这种由｛１１３｝面构成的脊形量子线具有发光各向异性、激子束缚能明显大于侧面量子阱等特点．
牛智川袁之良周增圻徐仲英王守武
关键词：砷化镓光致发光谱量子线发光特性
GaAs／AlGaAs和InGaAs／GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系
1996年
研究了具有不同阱宽的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系，发现在低温范围内，声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加。
金世荣褚君浩汤定元罗晋生徐仲英罗昌平袁之良许继宗郑宝真
关键词：半导体
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