赵岚
- 作品数：18 被引量：14H指数：2
- 供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信兵器科学与技术更多>>
- p-GaN/Au欧姆接触的研究被引量：1
- 2006年
- 本文对p-GaN/Au的接触电阻率进行了研究．用沸腾的王水处理p-GaN表面后,p-GaN/Au可直接形成电阻率为0．045Ω·cm^2的欧姆接触．接触电阻率测试和I-V特性曲线测试表明,在N_2气氛围中退火可影响p-GaN/Au接触电阻率的大小．在700℃温度下退火5min后,接触电阻率最小,其值为0．034Ω·cm^2,而在900℃温度下退火5min后,I-V特性曲线是非线性的。分析表明,在700℃温度下退火后,p-GaN/Au的界面间的反应使接触面增大,而在900℃温度下退火后,p-GaN表面的N会扩散到Au层里在p-GaN表面层产生N空位,这是p-GaN/Au接触电阻率变化的主要原因．
- 成彩晶司俊杰鲁正雄赵鸿燕赵岚丁嘉欣孙维国陈志忠张国义
- 关键词：表面处理接触电阻率I-V特性
- 临近空间反导动能拦截器关键技术
- 本文探讨了从临近空间无人机平台发射反导动能拦截器进行中段拦截弹道导弹的可行性。临近空间无人机平台主要考虑可以到达20-40km高度的新型无人机,反导拦截器在现有动能拦截技术基础上进行综合创新,在机载（ASM-135）和天...
- 赵岚王明明穆学桢
- 关键词：无人机
- 文献传递
- Pt/Hg_3In_2Te_6接触的温度特性研究被引量：2
- 2009年
- 运用直流平面磁控溅射技术在Hg3In2Te6单晶表面制备Pt金属电极，形成Pt／Hg3In2Te6接触，采用I-V测试仪在120260K温度范围内对其I-V特性进行测量。根据热电子发射模型，计算得到了Pt／Hg3In2Te6的肖特基势垒高度。结果表明：Pt／Hg3In2Te6形成具有整流特性的肖特基接触，肖特基势垒高度为0，46eV。在120—260K温度范围内，理想因子随温度增大逐渐从2．93减小至1．42。将Hg3In2Te6单晶制成红外探测器，发现了响应光谱在波长1．55μm处峰值达到最大，在室温下峰值探测率D＋达到了10^11cm·Hz^1/2·W-1。
- 张小雷孙维国鲁正雄张亮赵岚丁嘉欣
- 关键词：肖特基接触响应光谱
- X射线衍射技术对InSb材料的无损检测被引量：1
- 2008年
- 采用2θ-ω对称扫描,对(111)、(333)、(044)不同衍射面进行了ω扫描,得到了InSb不同衍射面之间强度和半峰宽度的规律;对晶片上不同位置进行了同一衍射面的ω扫描,得到半峰宽度的mapping,此外,还对材料进行了倒易空间(RSM)扫描。测试结果表明InSb材料结晶质量完好,均匀性好,符合制造良好光电器件的标准。
- 王武杰赵岚陈慧娟何英杰傅月秋鲁正雄
- 关键词：INSBX射线衍射
- Al_(0.3)Ga_(0.7)NMSM紫外探测器研究被引量：2
- 2006年
- 用MOCVD生长的未掺杂的n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器。器件在5.3V偏压时暗电流为1nA,在315nm波长处有陡峭的截止边,在1V偏压下305nm峰值波长处探测器的电流响应率为0.023A/W,要进一步提高器件的响应率,方法之一是优化器件的结构参数,尽量减小叉指电极的宽度。为了检验Au/n-Al0.3Ga0.7N肖特基接触特性,电击穿MSM右边结,由正向I-V特性曲线计算出理想因子n～1.05,零偏势垒高度φB0～1.16eV,表明形成的Au/n-Al0.3Ga0.7N肖特基结较为理想。
- 成彩晶司俊杰鲁正雄郭云芝赵鸿燕赵岚丁嘉欣孙维国陈志忠张国义
- 关键词：MSM暗电流光谱响应势垒高度
- 长波光伏碲镉汞材料上的欧姆接触
- 2005年
- 碲镉汞器件性能与材料及诸多工艺因素相关,而材料与电极间的接触性能是必须要解决的基础问题之一。利用金属In/Au在光伏长波碲镉汞材料上做了接触性能研究,通过实验获得了较理想的欧姆接触,测试后计算出In与n型和p型HgCdTe材料间的接触电阻率分别为3.25×10-4?·cm2、8.95×10-4?·cm2。
- 赵鸿燕鲁正雄赵岚成彩晶
- 关键词：碲镉汞材料欧姆接触光伏长波HGCDTE材料接触电阻率
- 碲铟汞光电探测器
- 本发明属于光电子技术领域，涉及一种碲铟汞光电探测器，包括碲铟汞晶片，在碲铟汞晶片的正面生长有钝化保护层，在钝化保护层上设有一对形状对应的刻槽，刻槽贯透钝化保护层，在两刻槽内碲铟汞晶体的表面生长有一层阳极氧化层，在刻槽内阳...
- 孙维国鲁正雄张亮赵岚成彩晶赵鸿燕
- 文献传递
- 碲铟汞光电探测器
- 本发明属于光电子技术领域，涉及一种碲铟汞光电探测器，包括碲铟汞晶片，在碲铟汞晶片的正面生长有钝化保护层，在钝化保护层上设有一对形状对应的刻槽，刻槽贯透钝化保护层，在两刻槽内碲铟汞晶体的表面生长有一层阳极氧化层，在刻槽内阳...
- 孙维国鲁正雄张亮赵岚成彩晶赵鸿燕
- 文献传递
- X射线衍射技术对InSb材料的无损检测
- 运用X射线衍射技术,对InSb材料的结晶质量进行检测,是判定InSb材料质量的重要方法之一。采用2θ-ω对称扫描,对(111)、(333)、(044)不同衍射面进行了ω扫描,得到了InSb不同衍射面之间强度和半峰宽度的规...
- 王武杰赵岚陈慧娟何英杰傅月秋鲁正雄
- 关键词：X射线衍射技术无损探伤半导体材料
- 文献传递
- 碲铟汞光电探测器及其肖特基结构中介质膜的制备方法
- 本发明涉及一种碲铟汞光电探测器及其肖特基结构中介质膜的制备方法。制作步骤是：1)首先除去碲铟汞晶片表面的损伤层、残留杂质以及自然氧化层，然后冲洗干净；2)将处理好的、欲进行硫化的碲铟汞晶片浸没在配制好的阳极化溶液中，将晶...
- 孙维国张亮赵岚鲁正雄
- 文献传递
