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张亮

作品数:34 被引量:15H指数:3
供职机构:中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
发文基金:国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 25篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 20篇探测器
  • 11篇光电
  • 10篇天线
  • 10篇红外
  • 7篇欧姆接触
  • 7篇肖特基
  • 7篇光电探测
  • 7篇光电探测器
  • 7篇红外探测
  • 6篇微带
  • 6篇微带天线
  • 6篇半导体
  • 6篇波段
  • 5篇势垒
  • 5篇肖特基接触
  • 5篇毫米波
  • 4篇石墨
  • 4篇石墨烯
  • 4篇肖特基势垒
  • 4篇绝缘

机构

  • 34篇中国航空工业...
  • 2篇西北工业大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 34篇张亮
  • 24篇孙维国
  • 19篇鲁正雄
  • 14篇朱旭波
  • 11篇丁嘉欣
  • 10篇吕衍秋
  • 10篇张向锋
  • 10篇李墨
  • 9篇赵岚
  • 9篇陈洪许
  • 8篇姚官生
  • 7篇成彩晶
  • 7篇张小雷
  • 6篇曹先存
  • 6篇杨晖
  • 6篇赵鸿燕
  • 6篇韩德宽
  • 5篇王铮
  • 4篇张文涛
  • 4篇何英杰

传媒

  • 4篇红外与激光工...
  • 1篇红外技术
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇激光与红外
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2020
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 6篇2009
  • 1篇2008
  • 4篇2007
34 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
InAs/GaSb超晶格探测器台面工艺研究(英文)被引量:3
2015年
InAs/GaSb SLs探测器台面刻蚀常用的工艺有干法刻蚀和湿法刻蚀。研究了三种等离子刻蚀气体(Cl2基,Ar基和CH4基)对超晶格的刻蚀效果,SEM结果表明,CH4基组分能够得到更加平整的表面形貌和更少的腐蚀坑;之后采用湿法腐蚀工艺,用于消除干法刻蚀带来的刻蚀损伤,分别研究了酒石酸系和磷酸系两种腐蚀溶液的去损伤效果,结果表明,磷酸系腐蚀液的去损伤效果更好,且腐蚀速率更加稳定。采用优化的台面工艺制备了InAs/GaSb SLs探测器,其I-V特性曲线表明二极管具有较低的暗电流,其77 K时动态阻抗R0A=1.98×104Ωcm2。
姚官生张利学张向锋张亮张磊
关键词:INAS/GASB超晶格干法刻蚀湿法腐蚀
碲铟汞光电探测器
本发明属于光电子技术领域,涉及一种碲铟汞光电探测器,包括碲铟汞晶片,在碲铟汞晶片的正面生长有钝化保护层,在钝化保护层上设有一对形状对应的刻槽,刻槽贯透钝化保护层,在两刻槽内碲铟汞晶体的表面生长有一层阳极氧化层,在刻槽内阳...
孙维国鲁正雄张亮赵岚成彩晶赵鸿燕
文献传递
一种毫米波/红外双模复合探测用共形天线
本发明公开了一种毫米波/红外双模复合探测用共形天线,它是由透红外辐射的窗口基体、化合物半导体薄膜贴片、绝缘介质基片、化合物半导体薄膜接地片及与化合物半导体薄膜贴片良好欧姆接触的馈线组成,所述化合物半导体薄膜贴片间隔设置在...
孙维国陈洪许王铮鲁正雄杨晖张文涛张亮梁晓靖朱旭波
文献传递
一种红外探测器
本发明涉及一种红外探测器。红外探测器包括基体以及短波红外光敏芯片、中波红外光敏芯片、芯片支架,中波红外光敏芯片设置于基体上,短波红外光敏芯片通过芯片支架设置于中波红外光敏芯片的上方,且短波红外光敏芯片的感光区域与中波红外...
陶飞吕衍秋张向峰何英杰丁佳欣姚官生曹先存李墨张亮朱旭波
文献传递
高Al组分AlGaN肖特基二极管研制
2007年
制备了高Al组分AlxGa1-xN肖特基二极管(x≥0.4),并且研究了该二极管在退火前后I-V特性的变化。计算了退火前后该器件的理想因子、势垒高度。退火后势垒高度由0.995 eV提高到1.1689eV,理想因子由1.699增大为1.934,器件的接触特性得到改善,在-5V时,暗电流密度减小为1.025×10-6 A/cm2。
赵鸿燕司俊杰丁嘉欣成彩晶张亮张向锋陈慧娟
关键词:势垒高度
一种基于石墨烯的三模复合探测器
本发明涉及一种基于石墨烯的三模复合探测器,所述的三模探测器包括最底层的基座,基座上面由下到上依次间隔设置第一探测器元件、第二探测器元件和微带天线;第一探测器元件固定在基座上,第二探测器元件和微带天线的两端通过支架固定在基...
李墨韩德宽孙珞珂段磊孙维国陈洪许张亮朱旭波
文献传递
一种石墨烯微带天线及其制备方法
本发明属于多模复合探测或通讯技术中的天线技术,所发明的一种透光(含紫外、可见光与红外)的石墨烯微带天线,由绝缘介质基片1、石墨烯薄膜贴片2、石墨烯薄膜接地片3和与石墨烯薄膜贴片良好欧姆接触的馈线4组成。本发明利用透光的石...
孙维国王铮张亮朱旭波鲁正雄杨晖陈洪许张闻涛赵亮李墨韩德宽
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碲铟汞光电探测器及其肖特基结构中介质膜的制备方法
本发明涉及一种碲铟汞光电探测器及其肖特基结构中介质膜的制备方法。制作步骤是:1)首先除去碲铟汞晶片表面的损伤层、残留杂质以及自然氧化层,然后冲洗干净;2)将处理好的、欲进行硫化的碲铟汞晶片浸没在配制好的阳极化溶液中,将晶...
孙维国张亮赵岚鲁正雄
文献传递
两种钝化结构InGaAs红外探测器低频噪声的研究
2009年
低频噪声的测量和分析已成为红外探测器性能和可靠性评估的一种重要手段。制备了聚酰亚胺单层钝化和硫化后ZnS/聚酰亚胺双层钝化两种结构InGaAs探测器,测试了不同偏压或不同温度下器件的低频噪声谱,讨论了偏压和温度对InGaAs探测器低频噪声的影响。随着偏压的增加,噪声增大,拐点向低频方向移动,并且低频噪声随温度降低而减小。认为硫化后ZnS/聚酰亚胺双层钝化器件相对聚酰亚胺单层钝化器件相同偏压或温度下噪声较小,拐点低。因为硫化处理和ZnS层增强了钝化效果,器件的表面漏电流明显减小,因而大大降低了器件的低频噪声。
吕衍秋孟庆端张向锋张亮孟超龚海梅孙维国
关键词:红外探测器INGAAS低频噪声钝化
一种毫米波/红外双模复合探测用共形天线
本发明公开了一种毫米波/红外双模复合探测用共形天线,它是由透红外辐射的窗口基体、化合物半导体薄膜贴片、绝缘介质基片、化合物半导体薄膜接地片及与化合物半导体薄膜贴片良好欧姆接触的馈线组成,所述化合物半导体薄膜贴片间隔设置在...
孙维国陈洪许王铮鲁正雄杨晖张文涛张亮梁晓靖朱旭波
文献传递
共4页<1234>
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