张向锋
- 作品数：20 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 高Al组分AlGaN肖特基二极管研制
- 2007年
- 制备了高Al组分AlxGa1-xN肖特基二极管(x≥0.4),并且研究了该二极管在退火前后I-V特性的变化。计算了退火前后该器件的理想因子、势垒高度。退火后势垒高度由0.995 eV提高到1.1689eV,理想因子由1.699增大为1.934,器件的接触特性得到改善,在-5V时,暗电流密度减小为1.025×10-6 A/cm2。
- 赵鸿燕司俊杰丁嘉欣成彩晶张亮张向锋陈慧娟
- 关键词：势垒高度
- 背入射AlxGa1-xN64×1线列焦平面太阳光盲探测器被引量：1
- 2009年
- 在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.5Ga0.5NP-I-N型64元线列焦平面太阳光盲紫外探测器。测试了器件的光谱响应,其截止波长为285nm,在275nm峰值波长处的零偏电流响应率为20mA/W。测试了线列器件各元在5V反偏压下的暗电流,结果表明暗电流大约在10-8A数量级,暗电流分布均匀。线列器件各元的紫外光响应均匀性较好。
- 丁嘉欣成彩晶张向锋张晓兵鲁正雄司俊杰孙维国桑立雯张国义
- 关键词：ALGAN探测器
- 一种锑化铟红外焦平面阵列探测器芯片及其制造方法
- 一种锑化铟红外焦平面阵列探测器芯片，其包括减反膜[6]、低温胶[7]、锑化铟光敏阵列[8]、硅读出电路[9]、铟柱[10]、锑化铟衬底[11]。其中，所述锑化铟光敏阵列[8]背面设置有减反膜[6]，其正面设置有铟柱[10...
- 成彩晶吴伟付月秋曹光明张向锋李明华
- 背入射Al_(0.42)Ga_(0.58)N/Al_(0.40)Ga_(0.60)N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器被引量：1
- 2008年
- 在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻RS分别为3和93Ω.器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98×1011cm.Hz1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一.
- 成彩晶丁嘉欣张向锋赵鸿燕鲁正雄司俊杰孙维国桑立雯张国义
- 关键词：外量子效率探测率
- InAs/GaSb超晶格探测器台面工艺研究（英文）被引量：3
- 2015年
- InAs/GaSb SLs探测器台面刻蚀常用的工艺有干法刻蚀和湿法刻蚀。研究了三种等离子刻蚀气体(Cl2基,Ar基和CH4基)对超晶格的刻蚀效果,SEM结果表明,CH4基组分能够得到更加平整的表面形貌和更少的腐蚀坑;之后采用湿法腐蚀工艺,用于消除干法刻蚀带来的刻蚀损伤,分别研究了酒石酸系和磷酸系两种腐蚀溶液的去损伤效果,结果表明,磷酸系腐蚀液的去损伤效果更好,且腐蚀速率更加稳定。采用优化的台面工艺制备了InAs/GaSb SLs探测器,其I-V特性曲线表明二极管具有较低的暗电流,其77 K时动态阻抗R0A=1.98×104Ωcm2。
- 姚官生张利学张向锋张亮张磊
- 关键词：INAS/GASB超晶格干法刻蚀湿法腐蚀
- 一种多台阶微透镜制作方法以及光学元件台阶制作方法
- 本发明涉及一种多台阶微透镜制作方法以及光学元件台阶制作方法，该方法通过仅有的一次掩膜光刻形成微透镜最内层环带，然后通过负性光刻胶背面曝光显影用作掩膜层，再经腐蚀、背面曝光显影，刻蚀形成基底的图形，然后进行循环得到按次序从...
- 侯治锦司俊杰韩德宽陈洪许吕衍秋丁嘉欣张向锋姚官生王理文杨雪峰耿东锋
- 文献传递
- 叠层器件的低应力底部填充方法
- 本发明公开了一种叠层器件的低应力底部填充方法，包括以下步骤：(1)环氧胶的选取；(2)消除环氧胶混合时产生的气泡；(3)对叠层器件进行施胶；(4)环氧胶的固化，分两阶段：a)环氧胶的硬化成型阶段；b)环氧胶的强化固化阶段...
- 曹光明耿东峰蒲季春苏宏毅王海珍徐淑丽张向锋
- 文献传递
- 一种GaN基PIN型紫外探测器表面钝化方法
- 本发明涉及一种GaN基PIN型紫外探测器表面钝化的方法，其过程如下：先清洗GaN基样片并生长好干法刻蚀阻挡层，然后涂光刻胶，光刻并腐蚀阻挡层至露出需要干法刻蚀的区域，并去除光刻胶；再对样片用干法刻蚀进行刻蚀，要求刻蚀深度...
- 张向锋吕衍秋成彩晶张亮丁嘉欣鲁正雄孙维国
- 一种InAlSb芯片的制备方法及InAlSb芯片
- 本发明涉及一种InAlSb芯片的制备方法及InAlSb芯片，属于半导体光电探测器制造技术领域。本发明的InAlSb芯片的制备方法包括以下步骤：1)在InAlSb基底上制备掩膜层，在掩膜层上光刻掩膜图形，得图形基底；2)采...
- 陶飞何英杰张向锋李墨彭震宇丁嘉欣姚官生张亮曹先存吕衍秋朱旭波张利学
- 文献传递
- 电感耦合等离子体刻蚀InSb芯片工艺的研究被引量：5
- 2009年
- 随着InSb红外焦平面阵列探测器的发展,焦平面阵列规模不断增大,像元面积越来越小。湿法刻蚀因为其各向同性刻蚀的特点,导致像元的钻蚀严重,已经难以满足大规格InSb焦平面器件的要求。采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀大规格InSb阵列芯片,研究不同腔体压力对刻蚀速率、表面形貌的影响及InSb表面残留聚合物的去除方法。
- 朱炳金张国栋张向锋
- 关键词：各向同性表面形貌
