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朱旭波

作品数:31 被引量:19H指数:2
供职机构:中国空空导弹研究院更多>>
发文基金:中国航空科学基金国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信兵器科学与技术经济管理更多>>

文献类型

  • 17篇专利
  • 11篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 3篇经济管理
  • 3篇兵器科学与技...

主题

  • 21篇探测器
  • 20篇红外
  • 16篇红外探测
  • 13篇红外探测器
  • 11篇天线
  • 6篇微带
  • 6篇微带天线
  • 6篇毫米波
  • 5篇短波
  • 5篇毫米波天线
  • 5篇超晶格
  • 4篇中波
  • 4篇石墨
  • 4篇石墨烯
  • 4篇欧姆接触
  • 4篇绝缘
  • 4篇绝缘介质
  • 4篇焦平面
  • 4篇共形
  • 4篇红外窗口

机构

  • 22篇中国航空工业...
  • 9篇中国空空导弹...
  • 1篇河南科技大学
  • 1篇西北工业大学

作者

  • 31篇朱旭波
  • 16篇李墨
  • 14篇张亮
  • 13篇吕衍秋
  • 12篇孙维国
  • 8篇姚官生
  • 8篇陈洪许
  • 6篇曹先存
  • 6篇鲁正雄
  • 6篇张利学
  • 6篇杨晖
  • 6篇韩德宽
  • 5篇司俊杰
  • 5篇王铮
  • 5篇何英杰
  • 5篇彭震宇
  • 5篇张亮
  • 4篇张文涛
  • 4篇梁晓靖
  • 4篇李墨

传媒

  • 5篇红外与激光工...
  • 2篇红外技术
  • 2篇航空兵器
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇激光与红外

年份

  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2016
  • 7篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
31 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
分子束外延InAlSb红外探测器光电性能的温度效应
2017年
采用分子束外延生长方法在In Sb(100)衬底上生长p^+-p^+-n-n^+势垒型结构的In_(1-x)Al_xSb外延层。运用X射线衍射对材料的晶体质量及Al组分进行测试和表征,In Al Sb外延层的半峰宽为0.05°,表明外延材料的单晶性能良好,并通过布拉格方程和维戈定律计算出Al组分为2.5%。然后将外延材料制备成多元红外探测并测得77~210 K下的光谱响应曲线,实验发现探测器的截止波长从77 K时的4.48μm增加至210 K时的4.95μm。通过数据拟合得出In_(0.975)Al_(0.025)Sb禁带宽度的Varshni关系式以及其参数E_g(0)、α和β的值分别为0.238 6 e V,2.87×10^(-4 )e V/K,166.9 K。经I-V测试发现,在110 K,-0.1 V偏压下,器件的暗电流密度低至1.09×10^(-5 )A/cm^(-2),阻抗为1.40×10~4Ωcm^2,相当于77 K下In Sb探测器的性能。同时分析了温度对器件不同类型的暗电流的影响程度,并得到器件的扩散电流与产生-复合电流的转变温度约为120 K。
陈刚李墨吕衍秋朱旭波朱旭波
关键词:分子束外延光电特性红外探测器
320×256 InAs/GaSb超晶格中/短波双色探测器组件研制被引量:2
2020年
InAs/GaSb超晶格材料制备的新型红外器件在最近十几年得到了迅速发展。文中开展了InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色焦平面探测器组件研制,设计了中/短波双色叠层背靠背二极管芯片结构,用分子束外延技术生长出结构完整、表面平整、低缺陷密度的PNP结构超晶格材料,制备出性能优良的320×256双色焦平面探测器组件,对探测器组件进行了测试分析。结果显示,在77 K下中波二极管RA值达到26.0 kΩ·cm^2,短波的RA值为562 kΩ·cm^2。光谱响应特性表明短波响应波段为1.7~3μm,中波为3~5μm,满足设计要求。双色峰值探测率达到中波3.12×10^11cm·Hz1/2W^-1,短波1.34×10^11cm·Hz1/2W^-1。响应非均匀性中波为9.9%,短波为9.7%。中波有效像元率为98.46%,短波为98.06%。
吕衍秋彭震宇彭震宇何英杰李墨何英杰朱旭波
关键词:INAS/GASB超晶格中短波焦平面阵列红外探测器
一种毫米波/红外双模复合探测用共形天线
本发明公开了一种毫米波/红外双模复合探测用共形天线,它是由透红外辐射的窗口基体、化合物半导体薄膜贴片、绝缘介质基片、化合物半导体薄膜接地片及与化合物半导体薄膜贴片良好欧姆接触的馈线组成,所述化合物半导体薄膜贴片间隔设置在...
孙维国陈洪许王铮鲁正雄杨晖张文涛张亮梁晓靖朱旭波
文献传递
InAlSb红外光电二极管性能研究被引量:1
2017年
在InSb衬底上利用分子束外延生长了p-i-n结构的InAlSb/InSb材料,通过在吸收层和接触层之间生长宽禁带的InAlSb势垒层,验证了势垒层对耗尽层中暗电流的抑制作用。分别基于外延生长的InAlSb材料和InSb体材料,借助标准工艺制备出二极管,并对其电性能进行测量分析,研究发现:77K温度时,在-0.1V的外偏电压下,p+-p+-n--n+结构和p+-n--n+结构InAlSb器件的反偏电流分别为3.4×10^(-6)A·cm^(-2)和7.8×10^(-6)A·cm^(-2)。基于p+-p+-n--n+结构研制的InAlSb二极管的暗电流保持在一个很低的水平,这为提高红外探测器的工作温度提供了重要基础。
朱旭波李墨陈刚张利学曹先存吕衍秋
关键词:INSB钝化红外探测器
一种InAlSb芯片的制备方法及InAlSb芯片
本发明涉及一种InAlSb芯片的制备方法及InAlSb芯片,属于半导体光电探测器制造技术领域。本发明的InAlSb芯片的制备方法包括以下步骤:1)在InAlSb基底上制备掩膜层,在掩膜层上光刻掩膜图形,得图形基底;2)采...
陶飞何英杰张向锋李墨彭震宇丁嘉欣姚官生张亮曹先存吕衍秋朱旭波张利学
文献传递
一种红外探测器
本发明涉及一种红外探测器。红外探测器包括基体以及短波红外光敏芯片、中波红外光敏芯片、芯片支架,中波红外光敏芯片设置于基体上,短波红外光敏芯片通过芯片支架设置于中波红外光敏芯片的上方,且短波红外光敏芯片的感光区域与中波红外...
陶飞吕衍秋张向峰何英杰丁佳欣姚官生曹先存李墨张亮朱旭波
文献传递
锑化物中/中波双色红外探测器研究进展
2022年
面对第三代红外探测器对多波段探测的需求,中/中波双色同时获取两个波段的目标信息,对复杂的背景进行抑制,可以有效排除干扰源的影响,提高了探测的准确性,增强了在人工及复杂背景干扰下的目标识别能力,因此中/中波双色探测器设计和制备最近快速发展起来。锑化铟红外探测器通过分光可实现两个中波波段的探测,锑化物Ⅱ类超晶格探测器通过能带结构设计实现多波段探测。本文阐述了锑化物中/中波双色红外探测器的主要技术路线和目前研究进展,与传统InSb双色探测器相比,中/中波双色超晶格红外器件用于红外成像探测具有鲜明的特点和优势,但需要在探测器结构设计、锑化物超晶格材料生长、阵列器件制备等方面进行进一步研究,以提高探测性能,满足工程化应用需求。
张宏飞朱旭波李墨李墨吕衍秋
关键词:红外探测器锑化物
红外探测器科研生产可视化管理柔性融合研究
在当今激烈竞争的国际态势下,军用市场对于高端武器需要的关注度越来越高,而作为红外型空空导弹的核心部件红外探测器的科研生产也愈发显得重要。本文在介绍红外探测器科研生产可视化管理柔性融合的背景和相关概念的基础上,依托中航工业...
侯治锦司俊杰朱旭波王三煜张亮
关键词:红外探测器
文献传递
一种制冷型太赫兹/红外叠层探测器
本发明涉及一种制冷型太赫兹/红外叠层探测器,由微带天线、探测器元件和读出电路构成,所述微带天线由处于绝缘介质基片上面的导电薄膜贴片和金属馈线,以及处于绝缘介质基片下面的导电薄膜接地板构成,微带天线的导电薄膜接地板通过粘合...
朱旭波张亮王雯李墨耿东锋孙维国赵方园范永玲
文献传递
红外探测器科研生产可视化管理柔性融合研究
在当今激烈竞争的国际态势下,军用市场对于高端武器需要的关注度越来越高,而作为红外型空空导弹的核心部件红外探测器的科研生产也愈发显得重要.本文在介绍红外探测器科研生产可视化管理柔性融合的背景和相关概念的基础上,依托中航工业...
侯治锦司俊杰朱旭波王三煜张亮
关键词:红外探测器
文献传递
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