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陈丽丽

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：湖北大学物理学与电子技术学院更多>>
相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇ALN
  • 2篇ALN薄膜
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控反应...
  • 1篇溅射
  • 1篇反应溅射
  • 1篇表面形貌
  • 1篇衬底
  • 1篇衬底温度
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控反应溅射

机构

  • 2篇湖北大学

作者

  • 2篇徐丹丹
  • 2篇李位勇
  • 2篇陈丽丽
  • 2篇顾豪爽
  • 2篇张凯

传媒

  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 2篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
C轴择优取向AlN薄膜的制备研究被引量：1
2005年
采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜.研究了靶基距、衬底温度和电极材料对AlN薄膜择优取向的影响.用XRD、AFM表征了AlN薄膜的结构、表面形貌.结果表明衬底温度为300℃、靶基距为3cm,在Pt电极上可沉积高质量的C轴择优取向AlN薄膜.
李位勇张凯徐丹丹陈丽丽顾豪爽
关键词：ALN薄膜直流磁控反应溅射
C轴择优取向AlN薄膜的制备研究
采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜.研究了靶基距、衬底温度和电极材料对AlN薄膜择优取向的影响.用XRD、AFFM表征了AlN薄膜的结构、表面形貌.结果表明衬底温度为300℃、靶基距为3cm,在Pt电极上可沉积高质量的...
李位勇张凯徐丹丹陈丽丽顾豪爽
关键词：ALN薄膜衬底温度表面形貌
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