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鞠研玲

作品数：8 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇调谐
  • 3篇子线
  • 3篇量子
  • 3篇量子线
  • 3篇空气隙
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 3篇衬底
  • 2篇悬臂
  • 2篇悬臂结构
  • 2篇砷化镓
  • 2篇图形衬底
  • 2篇微光机电系统
  • 2篇可调
  • 2篇可调谐
  • 2篇刻蚀
  • 2篇光机
  • 2篇光机电
  • 2篇干法刻蚀
  • 2篇波长

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇鞠研玲
  • 7篇韩勤
  • 7篇杨晓红
  • 5篇朱彬
  • 3篇秦龙
  • 3篇杜云
  • 3篇李文兵
  • 2篇牛智川
  • 2篇倪海桥
  • 2篇贺继方
  • 1篇王秀平
  • 1篇黄社松
  • 1篇王杰
  • 1篇王鹏飞
  • 1篇王国伟
  • 1篇倪海乔
  • 1篇秦龙

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 4篇2009
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
GaAs基MOEMS波长可调谐滤波器的设计和理论模拟
2009年
采用传输矩阵理论和结合悬臂梁的电学-机械模型对GaAs基1.55μm微光电机械系统(MOEMS)波长可调谐滤波器的光学和电学特性进行了深入的对比分析和研究。结果表明,采用800 nm厚的空气腔可以实现滤波器波长的调谐范围为100 nm,所需最大反向偏压为4 V,波长的调谐速率可以达到1.83 MHz。
秦龙韩勤杨晓红朱彬鞠研玲
关键词：密集波分复用调谐范围滤波器
采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法
本发明提供一种采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：配置氢氧化铵腐蚀液；步骤2：在衬底上制作一层光刻胶；步骤3：光刻，使光刻胶形成条形光刻胶图案；步骤4：将光刻好的衬底放入配...
鞠研玲杨晓红韩勤
文献传递
一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法
本发明公开了一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法，该方法包括：用分子束外延方法生长用于制作滤波器的外延片；对该外延片进行清洗，并对该外延片进行第一次光刻，光刻出单悬臂图形；采用电感耦合等离子体刻蚀方法对该具有...
秦龙韩勤杨晓红朱彬鞠研玲李文兵
一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法
一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝牺牲层制作空气隙结构的方法，包括如下步骤：a>用分子束外延技术在(001)砷化镓衬底上生长带有砷化铝牺牲层的结构，砷化铝牺牲层上是由砷化镓和砷化铝镓构成的分布布拉格反射镜；b>在晶...
李文兵韩勤秦龙杨晓红倪海乔杜云朱彬鞠研玲
文献传递
GaAs/AlGaAs量子线的研究及在场效应弱光探测器中的应用
弱光探测在天文观测、医学成像、量子通讯等领域具有广泛而重要的应用。本论文所主要研究的是GaAs/AlGaAs图形衬底一维量子线的工艺制备和外延表征，用于制备以量子线作为导电沟道的高增益场效应弱光探测器。一维量子线具有比量...
鞠研玲
一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法
本发明公开了一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法，该方法包括：用分子束外延方法生长用于制作滤波器的外延片；对该外延片进行清洗，并对该外延片进行第一次光刻，光刻出单悬臂图形；采用电感耦合等离子体刻蚀方法对该具有...
秦龙韩勤杨晓红朱彬鞠研玲李文兵
文献传递
图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究
2011年
报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构,量子线尺寸约为底边60nm高14nm的近三角形.低温87K下光致发光谱测试在793.7和799.5nm处出现峰值,验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示,相比等宽度量子阱有8meV的蓝移正是由于横向量子限制引起的.
王秀平杨晓红韩勤鞠研玲杜云朱彬王杰倪海桥贺继方王国伟牛智川
关键词：量子线GAAS
可用于弱光探测器的量子线研究进展被引量：1
2009年
以量子线作为导电沟道的场效应弱光探测器可在低工作电压下达到很高灵敏度。文章主要对可用于此种弱光探测器的V型和脊形量子线的生长机理和制备方法进行综述,给出了量子线的PL测试结果。采用MBE外延生长法在V型槽图形衬底上生长了GaAs/AlGaAs量子线FET外延结构,扫描电子显微镜下初步判定在V型槽底部形成了截面近三角形的量子线结构。
鞠研玲杨晓红韩勤杜云倪海桥黄社松王鹏飞贺继方牛智川
关键词：光电探测器量子线
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