韩英军
- 作品数：16 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学轻工技术与工程机械工程更多>>
- 低温下生长高质量的GaAs/AlGaAs多量子阱
- 本文给出了一种新的低温生长方面制备具有窄量子阱的GaAs/AlGaAs多量子阱结构,使其具有高电阻率的尖锐的激子特征,实验证明该生长方法对制备高质量的光折变材料是有效的.
- 郭丽伟韩英军包昌林黄绮周均铭
- 关键词：GAAS/ALGAAS多量子阱材料
- 文献传递
- 制备氮化镓单晶薄膜的方法
- 2004年
- 该发明专利是一种在异质衬底上大失配外延生长GaN单晶薄膜的方法。
- 陈弘韩英军周均铭于洪波黄绮
- 关键词：氮化镓单晶薄膜衬底失配
- GaN基多量子阱结构及采用该结构的发光二极管
- 本发明公开一种GaN基多量子阱蓝光发光二极管，该二极管的多量子阱结构包括：p型掺杂的AlGaN层；n型掺杂的AlGaN层；及在AlGaN层之间的由p型掺杂的GaN层与不掺杂的InGaN层组成的N个量子阱；还包括在p型掺杂...
- 陈弘贾海强周均铭韩英军于洪波黄绮
- 文献传递
- 具有多量子阱结构的发光二极管
- 本实用新型公开一种GaN基多量子阱蓝光发光二极管，该二极管的多量子阱结构包括：p型掺杂的AlGaN层；n型掺杂的AlGaN层；及在AlGaN层之间的由不掺杂的GaN层与不掺杂的InGaN层组成的N个量子阱；还包括在p型掺...
- 陈弘于洪波周均铭贾海强韩英军黄绮
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- 一种GaN基多量子阱蓝光发光二极管
- 本实用新型公开一种GaN基多量子阱蓝光发光二极管，该二极管的多量子阱结构包括：p型掺杂的AlGaN层；n型掺杂的AlGaN层；及在AlGaN层之间的由p型掺杂的GaN层与不掺杂的InGaN层组成的N个量子阱；还包括在p型...
- 陈弘于洪波周均铭贾海强韩英军黄绮
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- 制备氮化镓单晶薄膜的方法
- 本发明涉及一种在异质衬底上大失配外延生长GaN单晶薄膜的方法。该方法用异质材料或蓝宝石材料做衬底，在化学气相沉积生长装置中首先将氢气通入反应室中，然后加热衬底至1200℃；10分钟后衬底降温，用氨气与由氢气携带的三甲基镓...
- 陈弘韩英军周均铭于洪波黄绮
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- 一种多量子阱结构及采用该结构的发光二极管
- 本发明公开一种GaN基多量子阱蓝光发光二极管，该二极管的多量子阱结构包括：p型掺杂的AlGaN层；n型掺杂的AlGaN层；及在AlGaN层之间的由不掺杂的GaN层与不掺杂的InGaN层组成的N个量子阱；还包括在p型掺杂的...
- 陈弘贾海强周均铭韩英军于洪波黄绮
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- 1.LT-GaAs/AlGaAs材料的物性分析及应用;2.GaN基材料在发光二极管中的应用
- 该论文所从事的研究工作主要集中在两个方面:一是LT-GaAs/Al<,0.3>Ga<,0.7>As材料的物性分析和其在光折变器件上的应用,一是GaN基材料在发光二极管中的应用.在第一部分研究工作中,作者用低温分子束外延技...
- 韩英军
- 关键词：光折变金属有机物化学气相沉积发光二极管
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- As压对LT-GaAs/AlGaAs多量子阱光学特性的影响
- 本文讨论了低温生长引入的缺陷对LT-AsGs/AlGaAs光学特性的影响,并通过控制缺陷的种类和密度来改善材料的光学特性.
- 韩英军郭丽伟黄绮
- 关键词：多量子阱材料GAAS/ALGAAS光学特性
- 文献传递
- 光折变半绝缘多量子阱光寻址空间光调制器的空间分辨率研究
- 在光学信息处理中,空间光调制器是一个基本的光学元件．它在实时光学相关、图像处理、动态光学互连、并行光学逻辑与数学运算、光存储与光神经网络等研究领域都有广泛的应用．目前,光寻址空间光调制器大多采用铁电液晶或液晶光阀,虽然这...
- 陈兢李春勇韩英军郭丽伟黄绮张治国段明浩汤俊雄
- 关键词：光折变空间光调制器多量子阱空间分辨率
- 文献传递
