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魏屹

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：电子工程学院更多>>
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合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇带隙
  • 1篇量子
  • 1篇量子限制效应
  • 1篇晶格
  • 1篇SI/SIO...
  • 1篇SIO2
  • 1篇超晶格
  • 1篇P

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇电子工程学院

作者

  • 1篇董成军
  • 1篇魏屹
  • 1篇徐明

传媒

  • 1篇中国科学（G...

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Si/SiO2和Si／SiNx／SiO2超晶格的能带结构被引量：3
2010年
利用Kronig-Penney模型从理论上计算了Si/SiO2和Si/SiNx/SiO2多层膜结构中量子阱的能带结构,进一步分析了各亚层薄膜厚度对能带结构和有效质量的影响.结果发现,适当减少亚层的厚度都能使得纳米Si薄膜的带隙发生明显宽化.在Si/SiO2超晶格中,Si量子阱层带隙能量随着Si层厚度的变化符合EPL(eV)=1.6+0.7/d2关系,与我们的计算结果十分吻合.在Si/SiNx/SiO2超晶格系统中,可以通过控制各亚层厚度,尤其是Si和SiNx层厚度,均能够有效地控制发光.
魏屹董成军徐明
关键词：超晶格量子限制效应
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