黄惠东
- 作品数：9 被引量：10H指数：2
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学文化科学机械工程更多>>
- (Pb,La)TiO_3薄膜电畴生长的压电响应力显微镜研究被引量：3
- 2007年
- 压电响应力显微镜为铁电薄膜电畴的研究提供了一种有效的检测方法。本实验用压电响应力显微镜(PFM)对不同退火温度的(Pb,La)TiO3铁电薄膜进行表征,得到了各个样品相应的形貌像、面外电畴像和面内电畴像。结果表明,随退火温度升高,(Pb,La)TiO3铁电薄膜的表面形貌表现出从粘连到结晶较好,到出现抱团的变化过程;此外,随退火温度升高,铁电薄膜的自发极化强度先增强后减弱。通过对这一系列铁电薄膜电畴进一步研究得到:在625℃退火1 h后,(Pb,La)TiO3铁电薄膜以非铁电相为主;而在650℃和675℃退火1 h后,(Pb,La)TiO3铁电薄膜以铁电相为主。
- 张海力王志红黄惠东黄嘉白凡郭晓华
- 关键词：电畴自发极化
- 铁电薄膜电容分布的扫描探针显微镜研究
- 本论文的主要目的是利用不同功能的扫描探针显微镜(SPM)可在不同的环境下工作、制样简便、可视化、分辨率高、非破坏性、易实现不同功能扫描探针显微镜的同步测量与互补的诸多优点，对铁电薄膜局域的电性能进行检测与分析，研究铁电薄...
- 黄惠东
- 关键词：扫描探针显微镜铁电薄膜
- 文献传递
- (Pb,La)TiO_3铁电薄膜的铁电畴的研究
- 2005年
- 压电力显微镜(PFM)和非线性介电扫描显微镜(SNDM)是近年来发展起来的一项专门测量压电系数的技术.本实验中,分别通过LPFM,VPFM,SNDM观察了(Pb,La)Ti O3薄膜的面内畴、面间畴和非线性介电常数的分布.分析结果表明,薄膜内部存在面内极化电畴、向上、向下的电畴以及介电常数分布具有非线性特性.PFM可以描绘薄膜电畴的三维立体图形,SNDM和PFM都可以较好地表征铁电薄膜的表面极化状态.
- 吴家刚朱基亮张青磊谭浚哲蒲朝辉黄惠东朱建国肖定全
- 关键词：磁控溅射PFM
- (111)取向(Pb,La)TiO_3铁电薄膜中90°纳米带状畴与热释电性能的研究被引量：4
- 2006年
- 采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜.用X射线衍射技术(XRD)研究了PLT薄膜结晶性能,结果表明PLT薄膜为(111)择优取向钙钛矿相织构.使用原子力显微镜(AFM)和压电响应力显微镜(PFM)分别观察了PLT薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构.PFM观察显示PLT薄膜中存在90°纳米带状畴,电畴的极化为首尾相接的低能量的排列方式,带状畴的宽度为20—60nm.研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与性能之间的关系.发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数εr为365、介电损耗tgδ为0.02,热释电系数γ为2.18×10-8C.(cm2.K)-1,可以满足制备非制冷红外探测器的需要.
- 刘洪蒲朝辉龚小刚王志红黄惠东李言荣肖定全朱建国
- 关键词：电畴PFM
- 非导电探针检测铁电材料微区极性分布的方法
- 非导电探针检测铁电材料微区极化特性分布的方法，属于材料分析与表征技术领域。包括：准备；聚焦；调光；进针；形貌预扫描，根据形貌预扫描确定是否更换探针；确定检测电场的电压和频率；精确扫描；退针，数据处理和像输出等步骤。其实质...
- 黄惠东王志红李言荣杨传仁沈博侃
- 文献传递
- 金属-氧化物-半导体结构电容-电压特性的扫描非线性介电显微镜表征(英文)
- 2006年
- 扫描非线性介电显微镜(SNDM)利用非线性介电效应检测电容的变化情况,分辨率达到亚纳米量级,精度达到10-22F,主要应用于材料微区的电性能研究,目前以这项技术进行的研究主要集中在铁电材料和半导体材料方面,相关的报道也较少。本研究用扫描非线性介电显微镜对集成电路中具有n型与p型掺杂的60μm×60μm区域进行二维表征,得到定点非线性电容与电压的关系曲线,并由积分得到对应的电容电压特性曲线,认为界面陷阱的作用是金属-氧化物-半导体非线性电容-电压特性曲线突变的影响因素。
- 黄惠东王志红左长明曾慧中
- 关键词：MOS
- 中国师德教育古今谈被引量：2
- 2006年
- 伟大的教育家徐特立先生说过:"教师是有两种人格的,一种是‘经师’,一种是‘人师’。经师是教学问的,人师是教行为的。我们的教学是要采取人师和经师二者合一的。每个教科学知识的人,他就是一个模范人物,同时也是一个有学问的人。"但就我国教育界的现状,在推行素质教育的今天,在教育教学中暴露出来的许多问题来看,要求教师要真正做到"经师"
- 王志红曾慧中黄惠东沈健
- 关键词：师德教育经师人格问题英才教育高校师德建设社会主义荣辱
- Phase transformation behavior in PZT films studied by scanning probe microscopy
- PZT thin films on Pt/SiO2/Si substrate were prepared by RF magnetron sputtering. Atomic force microscopy (AFM)...
- 王志红黄惠东沈健曾慧中
- 退火温度对PLT铁电薄膜微结构和电畴的影响
- 2006年
- 常温下采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上淀积(Pb0.9La0.1)TiO3薄膜,分别在550℃、570℃、600℃、630℃退火1h。采用X射线衍射、原子力显微镜和压电响应力显微镜检测不同退火温度的薄膜,讨论退火温度对薄膜结构、表面形貌和电畴结构的影响。结果表明:随着退火温度的升高,薄膜中钙钛矿相的含量增多,表面粗糙度和颗粒尺寸不断增大,薄膜从无畴状态变为以90°畴为主的多畴,而在退火升降温过程中,由于应力的影响,面外畴更多为取向向下的负畴。
- 黄惠东王志红路胜博吴家刚朱基亮肖定全
- 关键词：PLT铁电薄膜XRDPFM
