介琼
- 作品数：8 被引量：9H指数：3
- 供职机构：天津职业技术师范大学电子工程学院更多>>
- 发文基金：天津市科技攻关项目国家自然科学基金天津市教委科研基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- Mn掺杂对ZnO∶Mn薄膜结构特性的影响被引量：1
- 2013年
- 利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列不同Mn掺杂的ZnO∶Mn薄膜。结合Raman光谱,XRD谱和SEM分析了ZnO∶Mn薄膜的结构特性。Raman拟合结果显示,在Mn摩尔分数从0增加到5.6%的过程中,ZnO∶Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构;随着Mn掺杂浓度的增大,437 cm-1和527 cm-1位置上的Raman散射峰出现红移现象,说明Mn掺杂量的增加导致晶格更加无序,缺陷增多;当Mn摩尔分数达到15.8%时,647 cm-1处的Raman散射峰出现,暗示了MnO的产生,同时薄膜结晶质量变差。这一结论也得到了XRD和SEM结果的支持。
- 李彤介琼张宇倪晓昌赵新为
- 关键词：ZNOMN拉曼稀磁半导体
- Co掺杂ZnO基稀磁半导体材料磁性研究进展
- 2013年
- ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,其中关于Co掺杂ZnO的磁性研究有很多报道。本文对不同方法及条件制备的Co掺杂ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了归纳总结,分析发现铁磁性可能源于载流子调制、晶格中的氧空位、杂质相、交换作用等。
- 李彤介琼张宇王雅欣倪晓昌
- 关键词：稀磁半导体ZNOCO
- Mn掺杂ZnO基稀磁半导体材料磁性研究进展被引量：3
- 2012年
- ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,其中关于Mn掺杂ZnO的磁性研究有很多报道。文章对不同方法及条件制备的Mn掺杂以及Mn与其它元素共掺杂ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了整理和归纳,总结发现,铁磁性可能源于样品的内禀性、晶格中Zn替代、缺陷、载流子调制等。
- 张宇李彤王雅欣赵新为介琼
- 关键词：稀磁半导体ZNOMN
- 温度对Mn掺杂ZnO薄膜结构的影响
- 2013年
- 采用射频磁控溅射法在不同衬底温度下沉积了一系列ZnO和ZnO:Mn薄膜。结合X射线衍射谱和扫描电子显微镜,分析了不同温度条件下的ZnO和ZnO:Mn薄膜的结构特性。结果显示:ZnO和ZnO:Mn薄膜均呈现出显著的(002)定向生长特征,与ZnO的(002)衍射峰相比,相应条件下生长的ZnO:Mn(002)衍射峰均向小角度偏移,这主要是由于大离子半径的Mn2+替代了Zn2+的结果。同时随着衬底温度的升高,薄膜形貌得到明显改善,晶粒尺寸呈现减小趋势。
- 介琼李彤张宇
- 关键词：ZNOMNX射线衍射谱稀磁半导体
- Si/NiO异质pn结的光电性能研究被引量：3
- 2014年
- 利用磁控溅射方法成功制备了Si/NiO异质pn结。实验表明,退火温度升到400℃时,Si/NiO异质结呈现一定的整流特性;600℃退火的Si/NiO异质结呈现很好的整流特性,正向开启电压达到3.5V,-7V时出现漏电流。这可能是因为600℃退火后,样品结晶转好,应力释放,缺陷减少,从而改善了样品的整流特性。这一结果得到了X射线衍射(XRD)、原子显微镜(AFM)和紫外(UV)结果的充分支持。
- 李彤介琼王雅欣倪晓昌赵新为
- 关键词：NIOPN结磁控溅射整流特性
- NiO/ZnO薄膜太阳能电池的研究进展被引量：2
- 2013年
- 综述了近年来国内外NiO/ZnO薄膜太阳能电池的研究进展,重点介绍了有无掺杂的NiO/ZnO薄膜太阳能电池的制备方法及电性能指标,并简要分析了该异质结薄膜太阳能电池存在的问题和未来发展动向,认为未来NiO/ZnO薄膜太阳能电池的研究应集中在通过选择掺杂元素以及引入中间层来提高电学特性。
- 李彤介琼张宇王雅欣倪晓昌赵新为
- 关键词：NIO
- 工作气压对ZnO:Mn薄膜结构特性的影响被引量：3
- 2013年
- 利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上沉积了一系列ZnO:Mn薄膜,结合Raman光谱、XRD衍射谱和SEM分析了工作气压对ZnO:Mn薄膜结构特性的影响。Raman拟合光谱显示,在工作气压从1 Pa增加至4 Pa的过程中,ZnO:Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构。但是,随着气压的降低,对应于E2(High)振动模式的Raman散射峰以及与Mn掺杂相关的特征峰左移,说明在低工作气压时,ZnO:Mn薄膜内晶格缺陷更多,晶格更加无序。这一结论也得到了XRD和SEM结果的证实。
- 李彤介琼张宇倪晓昌赵新为
- 关键词：ZNOMN拉曼稀磁半导体
- Mn掺杂ZnO薄膜的Raman散射特性
- 2013年
- 利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列ZnO和ZnO:Mn薄膜。结合Raman光谱和X射线衍射谱分析了不同Ar流量条件下的ZnO和ZnO:Mn薄膜的结构特性。结果显示,未掺杂的ZnO薄膜呈现出显著的(002)定向生长特征,出现在437 cm?1的Raman散射峰进一步证实了这一点。将Mn掺杂进入ZnO薄膜后,在522 cm?1位置上显现出很强的Raman散射峰,这可能是与Mn掺杂后的晶格缺陷有关。随着Ar流量的增大,522 cm?1和A1(LO)模Raman散射峰均出现的红移趋势,可能是ZnO薄膜在引入Mn时导致的更多晶格缺陷所致。
- 李彤介琼张宇王雅欣倪晓昌赵新为
- 关键词：ZNOMN拉曼稀磁半导体
