赵新为
- 作品数：31 被引量：69H指数：4
- 供职机构：东京理科大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省教育厅青年基金教育部“春晖计划”更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>
- 补偿掺杂i层对n-ZnO/i-ZnO/p-Si薄膜太阳能电池性能影响的模拟研究被引量：1
- 2011年
- 提出一种新型n-ZnO/i-ZnO/p-Si太阳能电池结构,使用AMPS软件对该结构太阳能电池进行了模拟研究,探索H,N杂质补偿掺杂形成本征i层对该结构太阳能电池的影响。研究发现在掺杂浓度为H=1.7×1017,N=2.8×1017时太阳能电池的转换效率可达15%,并对其转换机理进行了研究。
- 林家辉彭启才赵新为
- 关键词：太阳能电池ZNO
- PBT/石墨烯纳米复合材料的制备及性能研究进展被引量：2
- 2016年
- 概述了石墨烯的功能化修饰研究,对聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)/石墨烯纳米复合材料的制备方法 (熔融共混法、原位聚合法)和性能(力学性能、热学性能、电性能、流变性能)研究进展进行了综述,并对其研究趋势进行了展望。
- 肖文强周醒蔺海兰王正君卞军赵新为
- 关键词：聚对苯二甲酸丁二醇酯石墨烯功能化修饰纳米复合材料
- Mn掺杂ZnO薄膜的Raman散射特性
- 2013年
- 利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列ZnO和ZnO:Mn薄膜。结合Raman光谱和X射线衍射谱分析了不同Ar流量条件下的ZnO和ZnO:Mn薄膜的结构特性。结果显示,未掺杂的ZnO薄膜呈现出显著的(002)定向生长特征,出现在437 cm?1的Raman散射峰进一步证实了这一点。将Mn掺杂进入ZnO薄膜后,在522 cm?1位置上显现出很强的Raman散射峰,这可能是与Mn掺杂后的晶格缺陷有关。随着Ar流量的增大,522 cm?1和A1(LO)模Raman散射峰均出现的红移趋势,可能是ZnO薄膜在引入Mn时导致的更多晶格缺陷所致。
- 李彤介琼张宇王雅欣倪晓昌赵新为
- 关键词：ZNOMN拉曼稀磁半导体
- 衬底温度对NiO：Cu/ZnO异质pn结的光电性能影响被引量：2
- 2016年
- 利用磁控溅射方法改变衬底温度,制备了一系列NiO:Cu/ZnO异质pn结。实验结果表明,当衬底温度从室温升高到300℃时,NiO:Cu/ZnO异质pn结的整流特性明显得到改善;与此同时,NiO:Cu/ZnO异质pn结的光学透过率也从40%增大到80%。这可能是由于NiO:Cu薄膜结晶质量改善,薄膜内缺陷减少所致。继续增加衬底温度至400℃,异质结的整流特性有所削弱,这可能是由于生长在异质结下层的NiO:Cu薄膜影响了其上ZnO薄膜的生长,进而影响到异质结的整流特性。这一结论,得到X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和紫外(UV)谱测试结果的支持。
- 李彤王铁钢陈佳楣倪晓昌Evarist Mariam赵新为
- 关键词：NIOCU掺杂磁控溅射整流特性
- 面向21世纪的纳米电子学被引量：1
- 2006年
- 评论了纳米电子学的沿革路程,介绍了纳米电子学的研究内容,并预测了它的发展趋势。进而指出,纳米电子学的崛起与发展将会对21世纪的量子计算机、量子通信以及量子信息处理等产生革命性的影响。
- 彭英才赵新为傅广生
- 关键词：纳米电子学量子化效应纳米加工技术
- 一种SOI基平面侧栅单电子晶体管的制作方法
- 单电子晶体管(SET)是一种基于库仑阻塞效应和量子隧穿效应的新型纳米电子器件,只需对一个或少数几个电子进行操作就可以工作。本文采用电子束光刻、感应耦合等离子体刻蚀等硅工艺技术在SIMOX衬底上制作了一种平面侧栅硅基单电子...
- 龙世兵李志刚王丛舜谢长青张立辉易里成荣陈宝钦赵新为刘明
- 关键词：单电子晶体管电子束光刻
- 文献传递
- 纳米SiO_2功能化改性石墨烯/热塑性聚氨酯复合材料的制备与性能被引量：13
- 2017年
- 采用Hummers法制备了氧化石墨烯(Graphene Oxide,GO),再与经硅烷偶联剂(APTES)偶联改性纳米SiO_2所得的产物(nano SiO_2—NH_2)混合,制备了石墨烯片(Graphene Sheets,GS)接枝纳米SiO_2杂化材料(nano SiO_2-g-GS)。以nano SiO_2-g-GS为填料,热塑性聚氨酯(TPU)为基体,通过熔融共混法制备共混型nano SiO_2-g-GS/TPU复合材料,并对填料和复合材料进行测试和表征。拉伸测试显示nano SiO_2-g-GS的加入对基体TPU有一定的补强作用,使复合材料定伸应力(300%、500%和1 000%)增大。DSC测试显示,与纯TPU相比,nano SiO_2-g-GS/TPU复合材料的结晶温度有大幅升高,填料含量为1wt%时,TPU的结晶温度升高了44℃。形状记忆测试结果显示,随nano SiO_2-g-GS含量增加,nano SiO_2-g-GS/TPU复合材料的形状回复率(Rr)逐渐降低,但形状固定率(Rf)逐渐升高。当nano SiO_2-g-GS质量分数为1wt%时,nano SiO_2-g-GS/TPU复合材料性能最佳。
- 周醒夏元梦蔺海兰王正君肖文强卞军赵新为
- 关键词：热塑性聚氨酯复合材料熔融共混
- Na或Cu掺杂对Si/NiO异质结的光电性能影响
- 2018年
- 利用磁控溅射方法制备了引入Na或Cu元素前后Si/NiO异质结。实验结果表明,Na元素引入后的Si/NiO∶Na异质结的整流特性最佳。此时,Si/NiO∶Na异质结光学透过率可以达到70%,这可能是由于Si/NiO∶Na异质结的结晶质量较优、薄膜内缺陷少所致。Si/NiO∶Na异质结I-V曲线的拟合结果显示界面态状态也会影响其整流特性。而Si/NiO和Si/NiO∶Cu异质结都没能获得较好的整流特性,可能是薄膜内缺陷增多所致。这一结论得到了XRD、SEM、AFM和UV结果的支持。
- 李彤王铁钢范其香刘真真王雅欣赵新为
- 关键词：NIOCU掺杂异质结整流特性
- 纳米晶体硅量子点场发射冷阴极的研究
- 本文在n-Si(4～5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极.介绍了nc-Si量子点冷阴极的制备,场致发射特性的测试,解释了nc-Si量子点冷阴极的工作模型及电...
- 吴成昌肖夏张生才赵新为
- 关键词：场致发射冷阴极
- 文献传递网络资源链接
- 纳米晶体硅量子点薄膜的制备及表征被引量：2
- 2007年
- 利用激光烧蚀沉积法在n-Si(100)衬底上制备非晶硅(-αSi)薄膜,再经过高温退火技术处理使-αSi晶化成纳米硅晶体(nc-Si)量子点.利用拉曼(Raman)光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)以及原子力显微镜(AFM)等测试仪器对nc-Si薄膜进行表征,发现制备的nc-Si量子点排列紧密、尺寸均匀,具有很好的单晶结构,制备的nc-Si薄膜晶化比例很高,并且优先选择在[111]方向晶化.
- 张生才吴成昌肖夏王云峰姚素英赵新为
- 关键词：激光烧蚀拉曼光谱X射线衍射仪透射电子显微镜原子力显微镜
