刘宝利
- 作品数：13 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 半导体自旋电子学的研究与应用进展被引量：1
- 2007年
- 自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科.自旋电子器件与普通半导体电子器件相比具有不挥发、低功耗和高集成度等优点.本文介绍了半导体自旋电子学的研究对象和内容,主要包括磁性半导体、自旋注入、自旋探测以及自旋输运等.本文综述了半导体自旋电子学目前的研究进展及其在自旋电子器件和量子信息处理中的应用.
- 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳陈弘周均铭
- 关键词：半导体自旋电子学磁性半导体
- GaAs/AlGaAs多量子阱中载流子动力学的实验研究
- 2011年
- 利用瞬态光栅激光光谱技术测量了(110)方向生长的本征GaAs/AlGaAs多量子阱的双极扩散系数.室温下,光激发的载流子浓度nex=3.4×1010/cm2时,测得双极扩散系数Da=13.0cm2/s,载流子的寿命τR=1.9ns.改变光激发的载流子浓度(nex≤1.2×1011/cm2)测量,发现双极扩散系数不随着载流子浓度的增加而变化.
- 胡长城叶慧琪王刚刘宝利
- 界面生长中断对GaAs(111)衬底上AlGaAs/GaAs量子阱电子自旋寿命的影响被引量：3
- 2009年
- 用固源分子束外延技术(SSMBE)在GaAs(111)衬底上,采用不同的界面中断时间生长了多组AlGaAs/GaAs多量子阱样品(MQWs),通过室温发光光谱和时间分辨克尔旋转谱(TRKR)研究了界面生长中断对发光光谱半峰全宽(FWHM)和量子阱中电子自旋弛豫时间(自旋寿命)的影响,发现了自旋寿命随着界面生长中断时间的增加呈现先减小后增加的趋势,此变化趋势与荧光光谱半峰全宽表征的材料质量随中断时间的变化一致,适当的界面生长中断时间能有效的增加GaAs(111)衬底上AlGaAs/GaAs多量子阱中电子自旋寿命。
- 杨成良叶慧琪王文新高汉超胡长城刘宝利陈弘
- 关键词：多量子阱分子束外延光致发光
- 共聚焦光路系统、共聚焦偏振测量方法及其应用
- 本发明提供了一种共聚焦光路系统，所述共聚焦光路系统包括：激光器、平面反射镜、偏振片、二分之一波片、产生圆偏振光的光学元件和分束镜；其中，所述入射到分束镜的光的入射角的大小由分束镜的折射率、分束镜厚度和入射光波段共同决定；...
- 刘宝利王静顾长志辛铭蓝文泽
- 文献传递
- 一种用于二维层状纳米材料的方向可控单轴应变施加装置
- 本发明公开一种用于二维层状纳米材料的方向可控单轴应变施加装置，包括：旋转台、测微丝杆、可移动刀刃、可移动刀刃底座、圆形样品托盘、圆形衬底和外侧刀刃，所述旋转台包括转盘和外部区域；所述测微丝杆的顶针伸出的高度通过旋转旋钮控...
- 王刚祝传瑞刘宝利
- 文献传递
- 实现增强LED样品光提取效率的三维类球形结构及制备方法
- 本发明是一种三维类球形结构的制备方法，其步骤包括：在样品上旋涂光刻胶，利用热板或烘箱对样品上的光刻胶进行前烘；根据所要制备的图形尺寸及形状并考虑邻近效应制备相应的掩膜版；利用紫外光刻机，采用欠曝光对样品进行曝光并显影处理...
- 杨海方尹红星顾长志祝传瑞刘哲夏晓翔刘宝利
- 文献传递
- 共聚焦光路系统、共聚焦偏振测量方法及其应用
- 本发明提供了一种共聚焦光路系统，所述共聚焦光路系统包括：激光器、平面反射镜、偏振片、二分之一波片、产生圆偏振光的光学元件和分束镜；其中，所述入射到分束镜的光的入射角的大小由分束镜的折射率、分束镜厚度和入射光波段共同决定；...
- 刘宝利王静顾长志辛铭蓝文泽
- 文献传递
- GaAs(110)量子阱的电子自旋弛豫
- 2007年
- 采用固态源分子束外延的方法在GaAs(110)取向衬底上生长了GaAs/Al GaAs多量子阱结构.对样品进行了低温光致发光谱和时间分辨光致发光谱的测量,结果表明激发功率和激发波长对室温下量子阱内电子的自旋弛豫时间有强烈的影响.对于常见的GaAs(100)量子阱起支配作用的D'yakonov-Perel'(DP)自旋弛豫机制,在GaAs(110)量子阱材料里被充分地抑制了.对于缺失了DP相互作用的GaAs(110)多量子阱,电子-空穴相互作用对自旋弛豫时间随激发功率变化有重要的影响.
- 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利高汉超蒋中伟王佳黄庆安陈弘周均铭
- 关键词：多量子阱分子束外延
- GaAs(110)量子阱材料生长和光学特性被引量：2
- 2007年
- GaAs(110)衬底上生长GaAs外延层时,不同生长条件下存在单层和双层两种生长模式,对应反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡呈现出单双周期的变化。通过透射电子显微镜(TEM)、室温和低温光荧光谱(PL谱)对两种生长模式下的样品进行了测量。结果表明,量子阱样品在双层生长模式下光学性能较差,单层生长模式下光学性能比较好,但是量子阱界面会变得粗糙。利用这一特点,采用RHEED强度振荡技术,能够实现在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱。
- 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳黄庆安陈弘周均铭
- 关键词：光荧光谱砷化镓分子束外延
- 用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料被引量：1
- 2007年
- 采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件.
- 刘林生王文新刘肃赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳黄庆安陈弘周均铭
- 关键词：分子束外延砷化镓衬底
