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半导体材料AAl^2C4(A=Zn，Cd，Hg；C=S，Se)的电子结构和光学性质被引量：3: 2012年; 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法，对具有缺陷型黄铜矿结构的半导体材料A^ⅡA12C^Ⅵ（A=Zn，Cd，Hg；C=S，Se）的构型和电子结构进行研究，并系统考察了各晶体的光学性质．对于线性光学性质，五种晶体在红外区和部分可见光区具有良好的透光性能，其中HgAl2S4和HgAl2Se4晶体具有适中的双折射率．在非线性光学性质方面，该类晶体倍频效应较强，理论预测得到的二阶静态倍频系数均较大（〉20pm／V）．体系的倍频效应主要来源于价带顶附近以S／Se价P轨道为主要成分的能带向含有较多A1／Hg价P成分的空带之间的跃迁．通过与已商业化的AgGaCz晶体光学性质的对比，结果表明HgAl2S4和HgAl2Se4是一类性能优良的红外非线性光学晶体材料．; 陈懂肖河阳加伟陈虹周和根李奕丁开宁章永凡; 关键词：密度泛函理论光学性质

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加伟