姚香檀
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西安工业大学数理系更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信更多>>
- 偏振干涉成像光谱仪中CCD的成像分析被引量：1
- 2010年
- 光谱仪采集目标像的干涉图最终需要通过CCD系统来成像,为了能得到更高的图像分辨率和成像质量,需要不断优化CCD成像系统,偏振干涉成像光谱仪CCD成像系统一般包含两个部分:一是通常所说的光学成像系统,另一部分是CCD图像传感器采样记录系统。本文通过分析和描述CCD的采样过程,来讨论光谱在CCD成像过程中的频谱传输特性,并论述由于离散采样过程带来的频谱混迭对CCD成像系统中成像质量的影响。
- 白鹏李洁姚香檀
- 关键词：偏振干涉成像光谱仪CCD成像
- 高能光子在硅中能量沉积的蒙特卡罗模拟
- 2010年
- 本文分析了高能光子与物质的相互作用机制,给出了高能光子蒙特卡罗模拟的具体抽样方法,应用MATLAB软件编写了模拟程序,计算了高能光子在Si中能量沉积及其分布。通过对计算结果的分析,表明方法是可行的。
- 姚香檀白鹏李洁
- 关键词：Γ辐射硅蒙特卡罗
- 高能光子在锗中能量沉积的蒙特卡罗模拟被引量：1
- 2010年
- 电离能量沉积影响半导体器件的瞬时响应特性,研究高能光子在锗中电离能量沉积及其分布对锗器件的抗电离辐射加固研究具有重要的指导意义.利用高能光子反应截面数据库及蒙特卡罗模拟方法,计算了高能光子在锗中的电离能量沉积及其分布,给出了模拟过程的具体抽样方法.计算结果表明,在微电子器件的尺寸范围内,能量沉积与锗厚度成线性关系,每2 MeV光子的能量沉积约为1.98 eV/μm.通过对结果的分析,证明该方法是可行的.
- 陈世彬姚香檀
- 关键词：Γ辐射锗蒙特卡罗
- 外部参量对自抽运相位共轭特性的影响
- 2010年
- 对入射位置和入射光斑尺寸对KNSBN晶体自抽运相位共轭特性的影响,进行了实验研究,得到了自抽运相位反射率依赖入射光斑和入射位置的关系。
- 李洁姚香檀白鹏
- 高能光子在半导体中输运的蒙特卡罗模拟研究
- 在人为和空间辐射环境中，高能粒子和光子引起的辐射损伤是电子系统性能退化甚至失效的主要原因之一。半导体材料的辐射损伤研究是电子系统辐射损伤及其加固研究的基础。现今随着抗辐射器件在商用和民用价值的扩大，抗辐射问题将成为我们新...
- 姚香檀
- 关键词：蒙特卡罗半导体材料
- 文献传递
