陈世彬
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
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- MOS器件中的电离损伤机制
- 2011年
- 针对总剂量电离辐射效应对MOS器件的影响,研究了MOS器件中的电离损伤机制,MOS器件的SiO2氧化层中因为电离辐射而有沉积能量,使得氧化层电荷和界面态电荷在半导体(Si)表面感生出电荷,使SiO2/Si界面电势变化,从而导致MOS管的阈值电压漂移、跨导退化和漏极电流下降。
- 答元陈世彬
- 关键词：MOS电离辐射阈值电压
- 中子在硅中能量沉积的Monte Carlo模拟被引量：2
- 2007年
- 不同的半导体器件对高能中子在半导体材料中的电离能量沉积和非电离能量沉积的响应规律不同,研究半导体器件的辐射损伤需要首先研究其材料的损伤.在现有中子截面数据库和粒子与物质相互作用的理论基础上,利用中子输运的Monte Carlo模拟方法,提出了1MeV中子电离能量损失和非电离能量损失的模拟方法,编程计算了1 MeV中子在硅中电离能量损失和非电离能量损失的大小和分布,以及初始反冲原子的平均能量等.计算结果与文献基本符合,表明该方法是可行的.对进一步研究器件的辐射损伤效应奠定了基础.
- 陈世彬
- 关键词：计算机模拟蒙特卡罗
- 高能光子在锗中能量沉积的蒙特卡罗模拟被引量：1
- 2010年
- 电离能量沉积影响半导体器件的瞬时响应特性,研究高能光子在锗中电离能量沉积及其分布对锗器件的抗电离辐射加固研究具有重要的指导意义.利用高能光子反应截面数据库及蒙特卡罗模拟方法,计算了高能光子在锗中的电离能量沉积及其分布,给出了模拟过程的具体抽样方法.计算结果表明,在微电子器件的尺寸范围内,能量沉积与锗厚度成线性关系,每2 MeV光子的能量沉积约为1.98 eV/μm.通过对结果的分析,证明该方法是可行的.
- 陈世彬姚香檀
- 关键词：Γ辐射锗蒙特卡罗
