您的位置： 专家智库 > >

姜海涛

作品数：27 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 12篇半导体
  • 9篇弛豫
  • 8篇衬底
  • 6篇退火
  • 6篇迁移率
  • 6篇离子
  • 6篇半导体工艺
  • 5篇氢离子
  • 5篇绝缘
  • 5篇绝缘体
  • 5篇半导体材料
  • 4篇载流子
  • 4篇载流子迁移率
  • 4篇迁移
  • 4篇热退火
  • 4篇位错
  • 4篇铝基
  • 4篇纳米
  • 4篇孔道
  • 4篇快速热退火

机构

  • 27篇中国科学院

作者

  • 27篇姜海涛
  • 27篇张苗
  • 25篇狄增峰
  • 17篇薛忠营
  • 10篇卞建涛
  • 10篇陈达
  • 8篇刘林杰
  • 7篇王曦
  • 6篇魏星
  • 6篇卞剑涛
  • 4篇武爱民
  • 4篇高晓强
  • 2篇陈龙
  • 2篇戴家赟
  • 2篇郭庆磊
  • 2篇母志强
  • 1篇叶林

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 9篇2013
  • 4篇2012
  • 3篇2011
共 27 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种CMOS器件及其制作方法
本发明提供一种CMOS器件及其制作方法，于具有SiO<Sub>2</Sub>层的Si衬底中分别形成第一深度的第一凹槽及大于所述第一深度的第二深度的第二凹槽，于所述第一凹槽及第二凹槽内分别形成Ge层、止刻层以及Ⅲ-Ⅴ族半导...
姜海涛狄增峰卞建涛薛忠营魏星张苗王曦
一种石墨烯场效应管及其制备方法
本发明涉及一种石墨烯场效应管及其制备方法，本发明可以避免在器件制作过程中因多次使用有机胶而对石墨烯沟道引入的污染，避免导电沟道因杂质散射对器件直流和射频性能的降级。
张苗王晨狄增峰姜海涛田子傲
一种薄GOI晶片及其制备方法
本发明提供一种薄GOI晶片及其制备方法，本发明采用高低温生长Ge薄膜的方法，使穿透位错等缺陷被限制在一个薄层内，并结合SmartCut技术，实现了一种顶层Ge薄膜厚度几十纳米至上百纳米可控的GOI衬底的制备，该GOI衬底...
张苗陈达卞剑涛姜海涛薛忠营
文献传递
一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构
本发明提供一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构，所述制备方法首先在GaAs衬底上分别外延出In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As层和顶层Ge薄膜，所述In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>...
张苗刘林杰狄增峰高晓强陈达薛忠营姜海涛卞建涛
文献传递
一种制备GOI的方法
本发明提供一种制备GOI的方法，采用生长Ge组分渐变的Si<Sub>1-x</Sub>Ge<Sub>x</Sub>层作为梯度缓冲层，以制备出高纯度、低缺陷的纯Ge层，然后通过离子注入在梯度缓冲层与纯Ge层的界面附近形成剥...
姜海涛张苗狄增峰卞剑涛王曦
文献传递
一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法
本发明提供一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法，首先在Si衬底上依次外延生长中间薄层、Si外延层、及顶Si<Sub>1-x</Sub>Ge<Sub>x</Sub>层，其中Ge组分x为0﹤x≤0.5，并使Si<S...
张苗刘林杰卞建涛陈达姜海涛薛忠营狄增峰
文献传递
一种绝缘体上半导体及其制备方法
本发明提供一种绝缘体上半导体及其制备方法，先在第一Si衬底上的第一SiO<Sub>2</Sub>层刻出多个孔道，然后选择性外延Ge、Si<Sub>x</Sub>Ge<Sub>y</Sub>C<Sub>z</Sub>Sn<...
姜海涛薛忠营狄增峰张苗郭庆磊戴家赟
文献传递
一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构
本发明提供一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构，所述制备方法是首先在GaAs衬底上分别外延出In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As层和Ge层，其中，0.223﹤x≤1，并使In<Sub>x<...
张苗刘林杰狄增峰薛忠营陈达卞建涛姜海涛高晓强
文献传递
硅基低位错密度锗薄膜的RPCVD外延生长
采用减压化学气相沉积(RPCVD)设备在<001>Si衬底上外延生长了Ge薄膜材料，通过TEM、XRD、Raman和AFM等测试分析表明，Ge外延薄膜具有很好的晶体质量和0.17％的张应变，低温缓冲Ge薄层对位错密度起到...
卞剑涛薛忠营陈达刘林杰姜海涛狄增峰张苗
关键词：位错密度
He+离子注入制备弛豫SiGe薄层的研究
对在Si衬底上利用减压化学沉积法外延生长的180nm厚的Si0.75Ge0.25进行He+离子注入和快速热退火.X射线衍射(XRD)和拉曼(Raman)测试结果表明，SiGe层中应力得到释放。原子力显微镜(AFM)结果表...
刘林杰狄增峰薛忠营陈达姜海涛叶林张苗
关键词：半导体薄膜工艺参数
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0