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文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇CVD
  • 2篇衬底
  • 2篇ZNS
  • 1篇等静压
  • 1篇多光谱
  • 1篇多晶材料
  • 1篇气相沉积
  • 1篇热等静压
  • 1篇热等静压处理
  • 1篇外用
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇大口径

机构

  • 4篇北京有色金属...

作者

  • 4篇霍承松
  • 4篇鲁泥藕
  • 4篇石红春
  • 4篇付利刚
  • 4篇孙加滢
  • 4篇杨海
  • 2篇余怀之
  • 2篇苏小平
  • 1篇黄万才
  • 1篇魏乃光
  • 1篇赵永田
  • 1篇郑冉

传媒

  • 2篇红外与激光工...
  • 1篇应用光学

年份

  • 2篇2008
  • 2篇2007
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
大口径多光谱ZnS头罩的研制被引量:8
2008年
多光谱ZnS是一种综合性能优异的红外光学材料,在长波红外及多波段红外探测成像系统中被广泛应用。化学气相沉积和热等静压后处理是制备多光谱ZnS材料的关键技术。介绍了化学气相沉积工艺和热等静压处理工艺制备多光谱ZnS的工艺原理及沉积大口径头罩的结构设计;报道了研制成功的270mm大口径多光谱ZnS头罩。经测试分析,头罩的全波段透过率均已接近理论水平、吸收系数≤0.01cm-1、折射指数均匀性达到2.2×10-5、硬度160kg/mm2、抗弯强度70MPa、断裂韧性1.0MPa·m1/2。与美国Rohm&Haas公司的多光谱ZnS产品相比,该头罩的主要性能指标与其处于同一水平。
霍承松杨海付利刚石红春鲁泥藕赵永田魏乃光孙加滢余怀之苏小平
关键词:大口径
CVD复制技术制备ZnS头罩
2007年
为减轻生产、加工难度和减少材料浪费,提出了CVD复制技术制备ZnS头罩的方法。着重阐述了衬底和CVD过程对复制ZnS头罩的影响,并列举了复制ZnS头罩时衬底材料的要求。
鲁泥藕霍承松付利刚石红春孙加滢杨海
关键词:衬底
红外用CVD ZnS多晶材料的研制被引量:13
2008年
论述了制备红外用CVD ZnS多晶材料的化学气相沉积工艺和热等静压处理工艺。针对CVD ZnS多晶材料具备优良的光学和力学性能,采用化学气相沉积工艺和热等静压处理技术成功研制出大尺寸多晶材料,其最大尺寸达到250 mm×15 mm。测试了CVD ZnS样品的各项光学、力学性能指标。样品的全波段透过率均接近ZnS材料的本征水平,折射指数均匀性优于2×10-5,在1.06μm的吸收系数为2×10-3cm-1,抗弯强度达到104 MPa。
杨海霍承松余怀之付利刚石红春鲁泥藕黄万才孙加滢郑冉苏小平
关键词:CVDZNS化学气相沉积热等静压处理
CVD复制技术制备ZnS头罩
为减轻生产、加工难度和减少材料浪费,提出了 CVD 复制技术制备 ZnS 头罩的方法。着重阐述了衬底和 CVD 过程对复制 ZnS 头罩的影响,并列举了复制 ZnS 头罩时衬底材料的要求。
鲁泥藕霍承松付利刚石红春孙加滢杨海
关键词:衬底
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