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孙明达

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：北京工业大学固体微结构与性能研究所更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇原位
  • 2篇晶化
  • 2篇碲
  • 1篇随机存储器
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇相变特性
  • 1篇晶化过程
  • 1篇锑
  • 1篇存储器

机构

  • 2篇北京工业大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇孙明达
  • 1篇张泽
  • 1篇宋志棠
  • 1篇封松林
  • 1篇韩晓东
  • 1篇韩晓东
  • 1篇张晓娜
  • 1篇刘波

传媒

  • 1篇电子显微学报

年份

  • 2篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
原位电子束诱导碲化锑(Sb_2Te_3)及硅掺杂的晶化
2006年
孙明达韩晓东张晓娜张泽刘波宋志棠封松林
关键词：晶化过程原位透射电子显微镜随机存储器相变特性
原位电子束诱导碲化锑(Sb2Te3)及硅掺杂的晶化
SbTe是一种基础的功能材料,在掺杂基础上主要应用其温差电特性作为新型能源如太阳能和应用其固态相变特性作为随机存储器的关键材料。其中下一代基于 CMOS(complementary metal oxide semicon...
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