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山秀文

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：河北工业大学信息工程学院更多>>
相关领域：理学电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇带隙
  • 1篇电池
  • 1篇折射率
  • 1篇射频功率
  • 1篇生长速率
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇光电
  • 1篇光学
  • 1篇光学带隙
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇非晶硅
  • 1篇非晶硅薄膜
  • 1篇PECVD法
  • 1篇PECVD法...
  • 1篇ZNO:AL
  • 1篇ZNO:AL...
  • 1篇AZO

机构

  • 3篇河北工业大学
  • 2篇河北汉盛光电...

作者

  • 3篇山秀文
  • 2篇安会静
  • 2篇杨瑞霞
  • 2篇李广

传媒

  • 2篇真空

年份

  • 3篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
PECVD法制备非晶硅锗薄膜及其太阳能电池应用研究
非晶硅锗薄膜具有吸收系数高、带隙可调的优点，可大幅度地提高太阳光的吸收效率并拓宽光谱响应的范围，是非常有前景的叠层太阳能电池的底电池有源层材料。　　本文以SiH4和GeH4作为反应气体，用H2作为稀释气体，采用射频等离子...
山秀文
关键词：太阳能电池生长速率
文献传递
射频功率对非晶硅薄膜光电性能的影响被引量：1
2011年
采用等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)技术,在Corning Eg 2000玻璃上制备非晶硅薄膜,研究了射频功率对薄膜光电性能的影响。结果表明:通过调节功率可获得具有高折射率,高吸收系数,低暗电导率的非晶硅薄膜。
山秀文雷青松薛俊明杨瑞霞安会静李广
关键词：非晶硅薄膜折射率光学带隙
利用脉冲直流磁控溅射制备ZnO:Al薄膜的研究被引量：1
2011年
利用中频脉冲直流磁控溅射法制备了平面ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜,研究了沉积压力、衬底温度和溅射功率对AZO薄膜光电性能、薄膜稳定性的影响。结果表明:在较低沉积压力、衬底温度及溅射功率下,可获得具有低电阻率、高透过率、高稳定性的AZO薄膜。
安会静雷青松薛俊明杨瑞霞山秀文李广
关键词：ZNO:AL磁控溅射AZO
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